本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×10cm~8×10cm。 本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽的深度。 本标准也适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
GB/T 14146-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30,并于 2010-06-01 实施。
GB/T 14146-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法 由 GB/T 14146-1993 变更而来。
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