GB/T 30855-2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
GaP substrates for LED epitaxial chips
GBT30855-2014, GB30855-2014
GB/T 30855-2014 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 30855-2014
- 别名
- GBT30855-2014
GB30855-2014 - 发布
- 2014年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 30855-2014
- 引用标准
- GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 14844 GB/T 1555 GB/T 191 GB/T 2828.1 GB/T 4326 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 GJB 3076-1997
- 本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。
GB/T 30855-2014相似标准
推荐
浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺 -1
经过对比测试和分析发现，在磷化铁气氛下退火制备的半绝缘磷化铟晶片不仅缺陷少，而且具有良好的均匀性。 为了进一步研究这种退火衬底对相邻外延层的实际影响，研究人员使用分子柬外延技术分别在原生掺铁的和磷化铁气氛退火制备的半绝缘磷化铟衬底上生长了相同的 InAlAs 外延层。测试结果表明后者更有利于生长具有良好结晶质量的外延层。...
绕道摩尔定律，中科院研究员探索半导体的“杂交水稻”技术 @“上海科技35U35”游天桂
“最近我们在硅基磷化铟上生长了激光器，也就是用Ⅲ-Ⅴ族材料做发光的激光器，把光学器件跟硅基衬底集成。对比异质外延生长和离子束剥离与转移两种技术方法，我们发现利用后者制备的器件，阈值电流密度、工作温度目前都达到了国际最高水平。”游天桂说，他们用一个更小的电流就可以让器件发光，器件也可以耐受更高的温度。除了高质量硅基磷化铟异质集成，他们也在研究高导热氧化镓异质集成晶圆。...
Nature封面：石墨烯“复印机”，半导体膜制备新玩法
在学术领域，科学家们试图找出能替代硅的半导体材料，比如III-V族元素化合物砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和磷化镓（GaP）等。与硅材料相比，它们具有低能耗、体积小、电子迁移率高，放大效率佳、高频段线性等优势，但到目前这些新贵半导体材料还没有抢夺下硅基芯片的市场。那么制约其发展的最大问题是什么呢？价格！...
深紫外LED医疗研发成新热点
作为国内氮化铝镓基深紫外LED的重要研发机构，中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心在国家863计划的支持下，在氮化铝镓材料的外延生长和掺杂以及深紫外LED芯片的制备工艺等方面积累了多年研发经验，目前已成功实现发光波长从260纳米到300纳米的深紫外LED芯片系列，并已具备产业化批量生产能力。 ...