找不到引用GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底 的标准
2015-01-2268GB/T 30852-2014牵引电机用导电铜及铜合金型材2015-02-0169GB/T 30853-2014牵引电机用铜及铜合金锻环2015-02-0170GB/T 30854-2014LED发光用氮化镓基外延片2015-04-0171GB/T 30855-2014LED外延芯片用磷化镓衬底2015-04-0172GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化镓衬底...
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“最近我们在硅基磷化铟上生长了激光器,也就是用Ⅲ-Ⅴ族材料做发光的激光器,把光学器件跟硅基衬底集成。对比异质外延生长和离子束剥离与转移两种技术方法,我们发现利用后者制备的器件,阈值电流密度、工作温度目前都达到了国际最高水平。”游天桂说,他们用一个更小的电流就可以让器件发光,器件也可以耐受更高的温度。除了高质量硅基磷化铟异质集成,他们也在研究高导热氧化镓异质集成晶圆。...
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