EN
KR
JP
ES
RU
DE新型金属电泳
本专题涉及新型金属电泳的标准有431条。
国际标准分类中,新型金属电泳涉及到有色金属产品、表面处理和镀涂、有色金属、涂料和清漆、烟草、烟草制品和烟草工业设备、电工器件、电工和电子试验、输电网和配电网、电线和电缆、电池和蓄电池、航空航天制造用紧固件、钢铁产品、内部装修、电阻器、粒度分析、筛分、焊接、钎焊和低温焊、制造成型过程、电容器、集成电路、微电子学、金属材料试验、航空航天制造用材料、印制电路和印制电路板、航空航天用电气设备和系统、热力学和温度测量、电子元器件综合、电气工程综合、金属矿、太阳能工程、半导体分立器件、环境保护、阀门、绝缘材料、滤波器、光纤通信、电学、磁学、电和磁的测量、轴承、无线通信、电子电信设备用机电元件。
在中国标准分类中,新型金属电泳涉及到、轻金属及其合金、材料防护、金属构配件、冶金原料与辅助材料综合、烟草加工、电工绝缘材料及其制品、结构要素、印制电路、电气设备安装工程、化学电源、电气装置用结构件、型钢、异型钢、筛分、筛板与筛网、电气设备与器具综合、安全控制技术、半导体集成电路、电缆及其附件、电阻器、实验室基础设备、金属丝制品、电容器、金属理化性能试验方法综合、混合集成电路、稀土金属及其合金、微电路综合、航空与航天用金属铸锻材料、焊接与切割、电子元件综合、铁矿、半导体分立器件综合、金属力学性能试验方法、计算机应用、电源设备、基础标准与通用方法、阀门、计算机设备、光通信设备、敏感元器件及传感器、滑动轴承、广播、电视发送与接收设备、微型电机。
中国团体标准,关于新型金属电泳的标准
行业标准-有色金属,关于新型金属电泳的标准
国际标准化组织,关于新型金属电泳的标准
国家质检总局,关于新型金属电泳的标准
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会,关于新型金属电泳的标准
GSO,关于新型金属电泳的标准
工业和信息化部,关于新型金属电泳的标准
湖南省标准,关于新型金属电泳的标准
法国标准化协会,关于新型金属电泳的标准
加拿大标准协会,关于新型金属电泳的标准
国家能源局,关于新型金属电泳的标准
(美国)军事条例和规范,关于新型金属电泳的标准
台湾地方标准,关于新型金属电泳的标准
CZ-CSN,关于新型金属电泳的标准
美国航空工业协会/国家航天工业标准,关于新型金属电泳的标准
HU-MSZT,关于新型金属电泳的标准
美国航空工业协会,关于新型金属电泳的标准
AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc.,关于新型金属电泳的标准
VE-FONDONORMA,关于新型金属电泳的标准
国家计量技术规范,关于新型金属电泳的标准
SCC,关于新型金属电泳的标准
美国国家标准学会,关于新型金属电泳的标准
韩国科技标准局,关于新型金属电泳的标准
美国机动车工程师协会,关于新型金属电泳的标准
德国标准化学会,关于新型金属电泳的标准
美国通用公司(巴西),关于新型金属电泳的标准
- GMSA EMS 9309502-2011 金属-金属粘合剂 高电阻 高触变性 低膨胀 Adesivo metal 金属 alta resist 阌歯cia alta tixotropia baixa expans 锣玱 不要在新项目上使用;无更换
RU-GOST R,关于新型金属电泳的标准
美国保险商实验所,关于新型金属电泳的标准
美国国防后勤局,关于新型金属电泳的标准
- DLA A-A-55534/1 A VALID NOTICE 1-2009 电阻器,固定式、线绕式或金属元件,(功率型)VLV1 型
- DLA DSCC-DWG-06001 REV D-2009 电阻器,片状,固定,大金属箔,超精密,2010 型
- DLA DSCC-DWG-06002 REV D-2009 电阻器,片状,固定,大金属箔,超精密,2512 型
- DLA DSCC-DWG-07024 REV A-2009 电阻器,片状,固定,大金属箔,超精密,0805 型
- DLA DSCC-DWG-07025 REV A-2009 电阻器,片状,固定,大金属箔,超精密,1206 型
- DLA DSCC-DWG-93079 REV D-2010 电阻器,固定,大金属箔,芯片,超精密,1505 型
- DLA DSCC-DWG-06002 REV E-2013 电阻器,片状,固定,大金属箔,超精密,2512 型
- DLA DSCC-DWG-07024 REV B-2013 电阻器,片状,固定,大金属箔,超精密,0805 型
- DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),片式,0603 型
- DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),芯片,0805 型
- DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),芯片,1206 型
- DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),芯片,1210 型
- DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),芯片,0402 型
- DLA MIL-PRF-39022/2 G-2011 电容器,固定,金属化,纸塑薄膜介电,直流,(密封在金属外壳中),可靠性高,CHR19 型(绝缘)
- DLA SMD-5962-95791 REV C-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体八角D可重新设置双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA DSCC-DWG-93079 REV C-2003 固定大量金属箔片状高精密1505型电阻器
- DLA MIL-PRF-39022/10 B-2008 电容器,固定,金属化,纸塑薄膜介电,直流(密封在金属外壳中)已确定可靠性,CHR10 型(绝缘)
- DLA A-A-55562/2 A-2001 类型为0805的片状压敏(压敏电阻,金属氧化物)电阻器
- DLA QPL-49465-16-2006 极低电阻值金属元素(功率型)固定电阻器一般规格
- DLA DSCC-DWG-07011 REV B-2009 电阻器,固定,电流感应,金属带,高精度,表面贴装,2512 型
- DLA DSCC-DWG-07012 REV B-2009 电阻器,固定,电流感应,金属带,高精度,表面贴装,3637 型
- DLA DSCC-DWG-07012 REV C-2012 电阻器,固定,电流感应,金属带,高精度,表面贴装,3637 型
- DLA DSCC-DWG-93030 REV D-2006 固定薄膜片状大量金属箔高精密2018型电阻器
- DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA QPL-49465-2011 电阻器,固定,金属元件(功率型),非常低的电阻值,通用规范
- DLA MIL-PRF-39022/1 G-2011 固定式、金属化、纸塑薄膜或塑料薄膜介电电容器,直流,(密封在金属外壳中),可靠性高,CHR09 型(绝缘)
- DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA QPL-49465-16 NOTICE 1-2008 电阻器,固定的,金属元件(功率型),非常低的电阻值,一般规格
- DLA QPL-49465-QPD-2010 电阻器,固定的,金属元件(功率型),非常低的电阻值,一般规格
- DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-PRF-24236/24 E VALID NOTICE 1-2011 开关,恒温,(双金属),超小型,I 型,密封,单刀双掷(SPDT),2 安培和低电平
- DLA MIL-PRF-24236/1 N-2012 开关,恒温,(双金属),超小型,I 型,密封,单极,单掷(SPST),5 安培和低电平
- DLA MIL-PRF-24236/1 P (1)-2013 开关,恒温,(双金属),超小型,I 型,密封,单极,单掷(SPST),5 安培和低电平
- DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 硅单块 互补金属氧化物半导16X16乘数,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 带电可变编程逻辑装置互补金属氧化物硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器和重新安排,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
- DLA DSCC-DWG-06011 REV B-2009 电阻器,片状,固定,功率金属带,表面贴装,低值(1.0 瓦),2512 型
- DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 互补金属氧化物半导体,超电压防护多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89552 REV A-1997 硅单片四方D型触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA DSCC-DWG-06003 REV A-2006 4527型低功率(2瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
- DLA DSCC-DWG-06006-2006 4527型低功率(3瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
- DLA DSCC-DWG-06007-2006 0603型低功率(0.1瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
- DLA DSCC-DWG-06009-2006 1206型低功率(0.25瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
- DLA DSCC-DWG-06010 REV A-2007 2010型低功率(0.5瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
- DLA DSCC-DWG-06011-2006 2512型低功率(1.0瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
- DLA DSCC-DWG-06012-2006 2816型低功率(2.0瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
- DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 数字互补金属氧化物可编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA MIL-PRF-39022/11 D-2008 电容器,固定式,金属化塑料电介质,直流,密封,型号 CHR20、CHR21、CHR22、CHR23、CHR24、CHR25
- DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 数字互补金属氧化物半导体可编程电池排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块 真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA A A 55563/17A-2012 支架,电子卡,金属卡导轨,薄型,开口,无扩口,带 2 个安装孔
- DLA MIL-PRF-24236/13 J-2012 开关,恒温,(双金属),I 型,密封,单极,单掷(SPST),1 安培和低电平
- DLA DSCC-DWG-06003 REV B-2013 电阻器,片状,固定,功率金属带,表面贴装,低值(2 瓦),型号 4527
- DLA DSCC-DWG-06006 REV A-2013 电阻器,片状,固定,功率金属带,表面贴装,低值(3 瓦),型号 4527
- DLA SMD-5962-91501 REV D-2005 硅单块 32比特综合微型控制器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88655-1989 硅单片八进制D型触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA A-A-55563/20 VALID NOTICE 1-2008 支架,电子卡,金属卡导轨,薄型,末端开口,带扩口入口,带 2 个安装孔,短型
- DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-C-25/6 E-2013 电容器,固定,纸质或塑料介电,直流(密封在金属外壳中),型号 CP67 和 CP69
- DLA SMD-5962-95525-1995 带电可消除编程分压计互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 硅单块 双极金属氧化物半导体技术中断接口闩锁设备,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-90731 REV E-2004 硅单块 单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体四列,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块 八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块 定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块 浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块 总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块 互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA MIL-PRF-24236/30 A-2012 开关,恒温,(双金属),I 型,环境密封,单刀双掷(SPDT),5 安培,低电平
- DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 互补金属氧化物半导体,双重单刀单掷(开关)硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95715-1996 数字的互补金属氧化物半导体时钟驱动器硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19978/1 F-2009 固定式塑料(或纸塑)介电电容器(密封在金属外壳中),型号 CQ08、CQ09、CQ12 和 CQ13
- DLA SMD-5962-94684-1996 互补金属氧化物带电可变可编程逻辑装置储存器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-91566 REV C-1996 硅单块 互补金属氧化物半导体单一芯片8比特微型控制器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88520 REV E-2007 硅单片双D型阳性边缘触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块 八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
- DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
- DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块 多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块 地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-95521 REV B-2006 10,000 GATE可编程逻辑陈列互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体16-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95824-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95610 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95611 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95612 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88702 REV A-2003 硅单片八进制D型触发器的时钟互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA MIL-PRF-83421/2 D-2012 固定式金属化塑料薄膜电介质电容器(直流、交流或直流和交流),密封在金属外壳中,成熟的可靠性型号 CRH11、CRH12 和 CRH13(绝缘)
- DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 数字的互补金属氧化物半导体可编程逻辑排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94733-1995 数字的互补金属氧化物半导体1200配置逻辑排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 硅单块 无缓冲六位变换电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88652-1989 硅单片高速向前进行发电机高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90969 REV B-2007 硅单块 第功率电压比较器,四列互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95717-1995 数字的互补金属氧化物半导体八角母线接收器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95780 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95811 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-91513-1993 硅单块 是或倒转门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 硅单块 图像系统处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,双直线式微型电路
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 硅单块 浮点协同处理机,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 硅单片远程终端多协议互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88653-1989 硅单片缓冲收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 硅单块 32比特微处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
- DLA SMD-5962-86846 REV C-2001 硅单块 互补金属氧化物半导体64X5平行先进先出,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88758-1991 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86864-1988 可编程逻辑设备互补金属氧化物半导体可擦除数字微型电路
- DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 硅单片总线收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89508-1989 硅单片1/4译码器高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-87641-1988 硅单块 闩锁设备,输入密封,双极金属氧化物半导体技术8比特,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 硅单片八进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-86716 REV D-2003 硅单块 高速四角形单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体直线型微型电路
- DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外的硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96509 REV A-2006 数字互补金属氧化物半导体512 X 18 X 2先入先出硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95728 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95818 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT输入或输出端硅单片电路线型微电路
US-FCR,关于新型金属电泳的标准
行业标准-劳动和劳动安全,关于新型金属电泳的标准
VN-TCVN,关于新型金属电泳的标准
(美国)海军,关于新型金属电泳的标准
CO-ICONTEC,关于新型金属电泳的标准
ESD - ESD ASSOCIATION,关于新型金属电泳的标准
行业标准-电子,关于新型金属电泳的标准
美国通用公司(北美),关于新型金属电泳的标准
ZA-SANS,关于新型金属电泳的标准
国家军用标准-总装备部,关于新型金属电泳的标准
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components,关于新型金属电泳的标准
SAE - SAE International,关于新型金属电泳的标准
丹麦标准化协会,关于新型金属电泳的标准
立陶宛标准局,关于新型金属电泳的标准
IN-BIS,关于新型金属电泳的标准
IEC - International Electrotechnical Commission,关于新型金属电泳的标准
RO-ASRO,关于新型金属电泳的标准
电子工业部,关于新型金属电泳的标准
KR-KS,关于新型金属电泳的标准
SE-SIS,关于新型金属电泳的标准
AENOR,关于新型金属电泳的标准
行业标准-煤炭,关于新型金属电泳的标准
未注明发布机构,关于新型金属电泳的标准
英国标准学会,关于新型金属电泳的标准
德国机械工程师协会,关于新型金属电泳的标准
美国材料与试验协会,关于新型金属电泳的标准
美国电气电子工程师学会,关于新型金属电泳的标准
欧洲标准化委员会,关于新型金属电泳的标准
ES-UNE,关于新型金属电泳的标准