H17 半金属及半导体材料分析方法 标准查询与下载

GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption

GB/T 35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程

Practice for evaluation of granular polysilicon by melter-zoner and spectroscopies

GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry

GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法

Measurement method for surface metal contamination on sapphire polished substrate wafer

GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

本标准规定了半绝缘砷化久单晶深施主EL2 浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10”0，cm 的非挫杂和碳挫杂半绝缘砷化儿单品深施主EL2 浓度的测定。 本标准不适用于挫铬半绝缘砷化饼单晶深施主EL2 浓度的测定。

Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

GB/T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

本标准规定了使用全反射X光荧光光谱，定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片（以下称硅片），尤其适用于硅片清洗后自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围为10 atoms/cm~10 atoms/cm 。本标准同样适用于其他半导体材料，如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面拋光晶片表面金属沾污的测定。 对良好的镜面抛光表面，可探测深度约5nm，分析深度随表面粗糙度的改善而增大。 本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素，尤其适用于测定以下元素：钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。 本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数，无干扰检测限是元素原子序数的函数，其变化超过两个数量级。重复性和检测限的关系见附录A。 本方法是非破坏性的，是对其他测试方法的补充，与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的标定参见附录B。

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy

GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法

本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱(SIMS)检测方法。 本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0.2%(即<1×10 atoms/cm)，检测下限分别为氧含量≥5×10 atoms/cm、碳含量≥1×10 atoms/cm、硼含量≥1×10 atoms/cm和磷含量≥2×10 atoms/cm。四种元素体含量的测定可使用配有铯一次离子源的SIMS仪器一次完成。

Test method for measuring oxygen, carbon, boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock.Secondary ion mass spectrometry

GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10Ω ? cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量范围：室温下从1.0 × 10 atoms/cm到代位碳原子的最大溶解度，77 K时检测下限为4.0×10 atoms/cm。

Test methods for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法

本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片的电阻率。测量范围为1×10Ω•cm～1×10Ω•cm。

Germanium monocrystal.Measurement of resistivity-DC linear four-point probe

GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

1.1 本标准规定了亚-V族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb 可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。 2 定義

Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method

GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法

1.1 本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。 本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。 1.2 本标准中物体平面尺寸为0.1 mm 时,通过20 倍的放大後會在投影屏上形成2 0 mm 的影像,通过50 倍放大后会产生5.0 mm 的投影。 本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。 1.3 本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。

Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers

GB/T 14849.4-2008 工业硅化学分析方法.第4部分:电感耦合等离子体原子发射光谱法测定元素含量

本部分规定了工业硅中铁、铝、钙、钛锰、镍含量的测定方法。 本部分适用于工业硅中铁、铝、钙、钛锰、镍含量的测定，测定范围见表1。

Methods for chemical analysis of silicon metal.Part 4: Determination of elements content.Inductively coupled plasma atomic emission specrometric method

GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法

本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。本标准检测杂质浓度有效范围：0．002×10～100×10。

Polycrystalline silicon.Examination method.Vacuum zone-melting on boron

GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法

本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 本标准检测杂质浓度的有效范围：0.002×10～100×10。

Polycrystalline silicon.Examination method.Zone-melting on Phosphorus under controlled atmosphere

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10¯³Ω·cm～3×10³ Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达10Ω•cm半导体单晶材料的测试。

Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

本标准适用于位错密度0cm～100000cm的n型和p型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为（111）、（100）和（113）面。

Germanium monocrystal.Inspection of dislocation etch pit density

GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

本标准适用于砷化镓外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阴率小于0.02Ω•cm，外延层的电阴率大于0.1Ω•cm。

Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference

GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法

本标准适用于位错密度为（0～1000000）个/cm的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。

Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density

GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×10cm～5×10cm。

Gallium arsenide epitaxial layer.Determination of carrier concentration voltage-capacitance method