GB/T 1554-1995
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法已作废

Test method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

GB/T 1554-1995 发布历史

本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为或、电阻率为10～10Ω·cm、位错密度在0～10cm之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。

GB/T 1554-1995由国家质检总局 CN-GB 发布于 1995-04-18，并于 1995-12-01 实施，于 2010-06-01 废止。

GB/T 1554-1995 在中国标准分类中归属于: H26 金属无损检验方法，在国际标准分类中归属于: 77.040.30 金属材料化学分析。

GB/T 1554-1995的历代版本如下：

• 1995年04月18日 GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
• 2009年10月30日 GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 于 2009-10-30 变更为 GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法。

标准号

GB/T 1554-1995

发布日期

1995年04月18日

实施日期

1995年12月01日

废止日期

2010-06-01

中国标准分类号

H26

国际标准分类号

77.040.30

发布单位

CN-GB

代替标准

GB/T 1554-2009

适用范围

本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为<111>或<100>、电阻率为10^-3～10⁴Ω·cm、位错密度在0～10⁵cm^-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。

GB/T 1554-1995系列标准

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