GB/T 11073-2007
硅片径向电阻率变化的测量方法
Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
GBT11073-2007, GB11073-2007
GB/T 11073-2007 发布历史
GB/T 11073-2007由国家质检总局 CN-GB 发布于 2007-09-11，并于 2008-02-01 实施。
GB/T 11073-2007 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法，在国际标准分类中归属于: 77.040.01 金属材料试验综合。
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 11073-2007 。
GB/T 11073-2007 发布之时，引用了标准
- GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片*， 2018-09-17 更新
- GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
- GB/T 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)
- GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
* 在 GB/T 11073-2007 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。
GB/T 11073-2007的历代版本如下：
- 2007年 GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
- 1989年 GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10¯³Ω·cm～3×10³ Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
- 标准号
- GB/T 11073-2007
- 别名
- GBT11073-2007
GB11073-2007 - 发布
- 2007年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 11073-2007
- 引用标准
- GB/T 12965 GB/T 1552 GB/T 2828 GB/T 6618-1995
- 被代替标准
- GB/T 11073-1989