GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
GBT14847-2010, GB14847-2010
GB/T 14847-2010 发布历史
GB/T 14847-2010由国家质检总局 CN-GB 发布于 2011-01-10，并于 2011-10-01 实施。
GB/T 14847-2010 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 14847-2010 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264 半导体材料术语
- GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
- GB/T 6379.2 测量方法与结果的准确度(正确度与精密度) 第2部分;确定标准测量方法重复性与再现性的基本方法
GB/T 14847-2010的历代版本如下：
- 2011年 GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
- 1993年 GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试 0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。
- 标准号
- GB/T 14847-2010
- 别名
- GBT14847-2010
GB14847-2010 - 发布
- 2011年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 14847-2010
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 1552 GB/T 6379.2
- 被代替标准
- GB/T 14847-1993
GB/T 14847-2010相似标准
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