YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片

Monocrystalline silicon etched wafers

YS/T 1167-2016 发布历史

本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。

YS/T 1167-2016由行业标准-有色金属 CN-YS 发布于 2016-07-11，并于 2017-01-01 实施。

YS/T 1167-2016 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

YS/T 1167-2016 发布之时，引用了标准

• GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法*， 2018-12-28 更新
• GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
• GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
• GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
• GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
• GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
• GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
• GB/T 12962 硅单晶
• GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片*， 2018-09-17 更新
• GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
• GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
• GB/T 14140 硅片直径测量方法
• GB/T 14264 半导体材料术语
• GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法*， 2018-12-28 更新
• GB/T 20503 铝及铝合金阳极氧化 阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定20°、45°、60°、85°角度方向
• GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法
• GB/T 29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
• GB/T 30453 硅材料原生缺陷图谱
• YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法
• YS/T 28 硅片包装

* 在 YS/T 1167-2016 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

YS/T 1167-2016的历代版本如下：

• 2016年07月11日 YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片

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标准号

YS/T 1167-2016

发布日期

2016年07月11日

实施日期

2017年01月01日

废止日期

无

中国标准分类号

H82

国际标准分类号

29.045

发布单位

CN-YS

引用标准

GB/T 1550 GB/T 1555 GB/T 2828.1 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6620 GB/T 11073 GB/T 12962 GB/T 12965 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 14844 GB/T 20503 GB/T 26067 GB/T 29505 GB/T 30453 YS/T 26 YS/T 28

适用范围

本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。