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半峰电位 过电位
本专题涉及半峰电位 过电位的标准有451条。
国际标准分类中,半峰电位 过电位涉及到建筑材料、集成电路、微电子学、电子电信设备用机电元件、电阻器、光电子学、激光设备、核能工程、金属的腐蚀、食用油和脂肪、含油种子、电击防护、特殊工作条件下用电气设备、有机化学、无机化学、输电网和配电网、水果、蔬菜及其制品、石油产品综合、分析化学、饮料、旋转电机、运输、信息技术应用、水质、化工产品、电学、磁学、电和磁的测量、IT终端和其他外围设备、电信综合、电信系统、辐射防护、塑料、道路车辆装置、燃料、移动业务、电工器件、纺织产品、频率控制和选择用压电器件与介质器件、半导体分立器件、金属矿、无线通信、金属材料试验、电子管、工业自动化系统、技术产品文件。
在中国标准分类中,半峰电位 过电位涉及到混凝土、集料、灰浆、砂浆、半导体集成电路、电力半导体器件、部件、、敏感元器件及传感器、传感元件、半导体光敏器件、计算机应用、光电子器件综合、材料防护、油脂加工与制品、氧化物、单质、果类加工与制品、电力综合、导航通讯系统与设备、旋转电机综合、水环境有毒害物质分析方法、基础标准与通用方法、电缆及其附件、电子测量与仪器综合、交通信息管理、电子计算机应用、通信网技术体制、各种通信业务服务、连接器、钢铁与铁合金分析方法、半导体三极管、半导体分立器件综合、交通控制系统、核材料、核燃料及其分析试验方法、低压配电电器、核材料、核燃料综合、工业自动化与控制装置综合、石英晶体、压电元件、工业控制机与计算技术应用装置、经济管理。
韩国科技标准局,关于半峰电位 过电位的标准
行业标准-电子,关于半峰电位 过电位的标准
行业标准-机械,关于半峰电位 过电位的标准
机械电子工业部,关于半峰电位 过电位的标准
新疆维吾尔自治区标准,关于半峰电位 过电位的标准
NEMA - National Electrical Manufacturers Association,关于半峰电位 过电位的标准
GOSTR,关于半峰电位 过电位的标准
行业标准-航天,关于半峰电位 过电位的标准
美国国防后勤局,关于半峰电位 过电位的标准
- DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 硅单片数位类比转换器双12位互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 硅单片装有置位复位键的J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89446-1991 硅单片8位可变长度移位寄存器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89772-1992 硅单片,装有8位或16位外总线16位微型控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构微型电路
- DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 硅单片16位和8/16位微处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 硅单片装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89731-1989 硅单片,TTL可兼容输入,8位同位锁存收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 硅单片12位缓冲成倍增加数位类比转换器互补型金属氧化物半导体微电路
- DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 硅单片装有复位键的六位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90501 REV A-2006 硅单片,8位串联/并联输入,串联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 硅单片8位通用移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 硅单片六位反相施密特触发电路,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77056-1977 六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 硅单片,96位浮点双口处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 硅单块 无缓冲六位变换电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位串联输入/并联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89741-1990 硅单片,TTL可兼容输入,装有I/P锁存器的八位移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87808 REV A-2005 硅单片4位同步向上/向下十年计数器异步复位高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 硅单片TTL兼容8位普遍移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94542-1994 硅单片,32位局域网络协处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
- DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 硅单片,32位高集成微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 硅单片,8-16位并行接口/限时器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 硅单片六位D型双稳多谐振荡器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 硅单片,16 X 16位并行多路复用器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94564-1994 硅单片,24位通用数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 硅单片,8位视频直流/交流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94608-1994 硅单片,12位可级联乘法器加法器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88568-1988 硅单片8位微机单一组装沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 硅单片,八位并行互连总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
- DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的六位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 硅单片,8位TTL/BTL寄存的收发器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89707-1989 硅单片,同步复位二-十进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-93187 REV L-2007 128K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字混合微型电路
- DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 硅单片16位片状微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 硅单片,512 X 8位串联式电可擦除只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有8位奇偶发生器/校验器的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有异步复位的4位可预设置二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77031 REV A-1979 14阶行波进位计数器/驱动器及振动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 硅单片,6位动画文件交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 硅单片,TTL可兼容输入,六位倒相器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 硅单片,8位交流/直流动画文件转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-92201 REV A-2003 硅单片,9位奇偶发生器/校验器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 硅单片H互补型金属氧化物半导体8位输入或无通道数字微电路
- DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 硅单片,8位同步二进降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 硅单块 万能移位寄存器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 硅单片12位乘法D/A转换器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 硅单片56位数字信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-92333 REV C-2006 硅单片,装有10位交流/直流比较时钟器的八位可擦可编程序只读存储器控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重64阶段静态移位寄存器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 硅单片,双重4级移位寄存器,改进型高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 硅单片误差检测与校正的单位互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90590 REV B-2002 硅单片,有明沟输入的六位反向器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 硅单片16 X 16位乘法器累加器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 硅单片A/D转换跑道/搁置8位互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89533-1989 硅单片10位扬声器收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 硅单片,四重串联接口8位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89946 REV A-2006 硅单片,4位同步十进升值/降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 硅单片16位误码检测与校正部件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合及单片微型电路
- DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 硅单片,装有4位ID总线的扫描通道连接器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 硅单片80位数字处理器扩建工程互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 硅单片,装有单片电可编程序只读存储器的16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 硅单片装有三态输出的八位反相缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-81017 REV G-2005 硅单片4比特并行输入/并行输出移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 硅单片装有复位键D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位可寻址锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 硅单片256 X 4静态记忆体复位互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 硅单片TTL兼容10位放大镜调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88661-1989 硅单片9位扬声器总线收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-84089 REV D-2002 硅单片装有复位键的D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 硅单片装有三态输出的8阶移位寄存器/锁存器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 硅单片,双重12位缓冲多路复用氧化物半导体直流/交流转变器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 硅单块 移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
- DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 硅单片耐辐射可编程序脉冲相位差节拍缓冲器的氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 硅单片装有三态输出的八位D型透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84162 REV D-2002 硅单片8比特串联输入并联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 硅单片,双重12位双缓冲多路复用氧化物半导体数字模拟转变器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 硅单片,装有三态输出的八位收发器/寄存器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89732-1989 硅单片,装有三态输出的八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 硅单片八进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89951-1990 硅单片,256 X 4位非易失随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 硅单片,寄存的8K X 8位可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92345 REV B-2001 硅单片,12位串联输入多路复用的数字模拟转变器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 硅单块 4比特双向万能移位寄存器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-84075 REV E-2002 硅单片装有同步复位的4比特同步二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 硅单片,8比特并联输入串联输出的移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,12级行波进位二进计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90705-1991 硅单块 异步复位二-十进制译码计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 硅单片,32K X 8位功率转换可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89519 REV F-1998 硅单片MIL-STD-1750型指令集架构16位微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90574-1990 硅单片,TTL可兼容输入,8位同步二-十进降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93244-1993 硅单片,512K X 8位5伏特可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 硅单片双杆四号定位类比多工器/解多工器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90686-1999 硅单片,TTL可兼容输入,装有明沟输出的六位反向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 硅单片输出扬声器参考12位互补型金属氧化物半导体数字类比转换数字线性微电路
- DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 硅单片三态输出8比特移位寄存器/存储记录器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
- DLA SMD-5962-89593 REV D-1995 硅单片,装有外围支援集成系统的32位存储票接存取控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89678 REV A-2001 硅单片,装有记忆装置的四重8位多路复用数字模拟转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 硅单片,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 硅单片,TTL兼容输入,装有施米特触发器的六位倒向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的10位透明锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
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- DLA SMD-5962-92283 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
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- DLA SMD-5962-92268 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的20位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89700 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的可再触发单稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
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- DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的反向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
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- DLA SMD-5962-92230 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的八位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
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- DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的10位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
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- DLA SMD-5962-92260 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
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美国材料与试验协会,关于半峰电位 过电位的标准
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英国标准学会,关于半峰电位 过电位的标准
德国标准化学会,关于半峰电位 过电位的标准
RU-GOST R,关于半峰电位 过电位的标准
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AENOR,关于半峰电位 过电位的标准
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山西省标准,关于半峰电位 过电位的标准
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PT-IPQ,关于半峰电位 过电位的标准
环球油品公司(美国),关于半峰电位 过电位的标准
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- PRETS 300 118-1996 公共交换电话网(PSTN);每秒 1200 位半双工和每秒 1200/75 位非对称双工调制解调器的 II 类规范,已标准化用于 PSTN 第二版
- PRETS 300 118-1995 终端设备(TE);公共交换电话网(PSTN)的附件;每秒 1200 位半双工和每秒 1200/75 位非对称双工调制解调器的 II 类连接要求已标准化用于 PSTN 第二版
美国国家标准学会,关于半峰电位 过电位的标准
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国家质检总局,关于半峰电位 过电位的标准
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