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半导体 测试 技术
本专题涉及半导体 测试 技术的标准有44条。
国际标准分类中，半导体 测试 技术涉及到词汇、半导体材料、半导体分立器件、光电子学、激光设备、电子电信设备用机电元件、整流器、转换器、稳压电源。
在中国标准分类中，半导体 测试 技术涉及到、元素半导体材料、激光器件、电子光学与其他物理光学仪器、半导体整流器件、加工专用设备、电力半导体器件、部件、仪器、仪表用材料和元件。
未注明发布机构，关于半导体 测试 技术的标准
- DIN SPEC 1994 E:2016-07 半导体技术材料的测试 弱酸中阴离子的测定
- DIN 50451-7 E:2017-09 半导体技术材料的测试 液体中痕量元素的测定 第7部分：ICP-MS测定高纯盐酸中的31种元素
- DIN 50451-7 E:2017-02 半导体技术材料的测试 液体中痕量元素的测定 第7部分：ICP-MS测定高纯盐酸中的31种元素
德国标准化学会，关于半导体 测试 技术的标准
- DIN SPEC 1994:2017-02 半导体技术材料的测试 弱酸中阴离子的测定
- DIN 50455-1:2009-10 半导体技术材料测试 光刻胶表征方法 第1部分：用光学方法测定涂层厚度
- DIN 50455-2:1999-11 半导体技术材料测试 光刻胶表征方法 第2部分：正性光刻胶光敏性的测定
- DIN 50452-1:1995-11 半导体技术材料的测试 - 液体中颗粒分析的测试方法 - 第 1 部分：颗粒的显微测定
- DIN 50453-1:2023-08 半导体技术材料的测试 - 蚀刻混合物蚀刻速率的测定 - 第 1 部分：硅单晶，重量法
- DIN 50452-3:1995-10 半导体技术材料的测试 - 液体中粒子分析的测试方法 - 第 3 部分：光学粒子计数器的校准
- DIN 50452-2:2009-10 半导体技术材料的测试 液体中颗粒分析的测试方法 第2部分：用光学颗粒计数器测定颗粒
- DIN 50451-3:2014-11 半导体技术材料的测试 液体中痕量元素的测定 第3部分：ICP-MS测定高纯硝酸中的31种元素
- DIN 50451-7:2018-04 半导体技术材料的测试 液体中痕量元素的测定 第7部分：ICP-MS测定高纯盐酸中的31种元素
- DIN 50451-6:2014-11 半导体技术材料的测试 液体中痕量元素的测定 第6部分：高纯氟化铵溶液中36种元素的测定
- DIN 50450-1:1987-08 半导体技术材料测试；载气和掺杂气体中杂质的测定；五氧化二磷电池测定水中氢、氧、氮、氩、氦中的杂质
- DIN 50453-2:2023-08 半导体技术材料的测试 - 蚀刻混合物蚀刻速率的测定 - 第 2 部分：二氧化硅涂层，光学方法
- DIN 50450-4:1993-09 半导体技术材料测试；载气和掺杂气体中杂质的测定；通过气相色谱法测定氮气中的C(指数)1-C(指数)3-烃
- DIN 50451-4:2024-01 半导体技术材料测试 液体中微量元素的测定 第 4 部分：电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 测定超纯水中 34 种元素
- DIN 50451-4:2007-02 半导体技术材料测试 液体中痕量元素的测定 第4部分：采用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)测定超纯水中的 34 种元素
- DIN 50450-2:1991-03 半导体技术材料测试；载气和掺杂气体中杂质的测定； N (Index) 2 、Ar、He、Ne和H (Index) 2 中氧杂质的测定通过使用原电池
- DIN 51456:2013-10 半导体技术材料测试 使用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)在水性分析溶液中进行多元素测定 对硅晶片进行表面分析
- DIN 50441-5:2001 半导体技术试验.半导体片几何尺寸测定.第5部分:形状和平整度偏差术语
- DIN 50451-2:2003-04 半导体技术材料的测试 - 液体中微量元素的测定 - 第 2 部分：钙 (Ca)、钴 (Co)、铬 (Cr)、铜 (Cu)、铁 (Fe)、镍 (Ni) 和锌 (Zn) ）在氢氟酸中，采用等离子体诱导发射光谱...
- DIN 50451-1:2003-04 半导体技术材料的测试 - 液体中微量元素的测定 - 第 1 部分：银 (Ag)、金 (Au)、钙 (Ca)、铜 (Cu)、铁 (Fe)、钾 (K) 和钠 (Na) ) 在硝酸中通过原子吸收光谱法
CZ-CSN，关于半导体 测试 技术的标准
- CSN 35 1601-1980 电力半导体器件．一般技术要求．测试方法
- CSN 35 1540-1979 功率半导体转换器测试
行业标准-电子，关于半导体 测试 技术的标准
- SJ/T 11820-2022 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法
韩国科技标准局，关于半导体 测试 技术的标准
- KS C 2607-2002 半导体测试方法
国家质检总局，关于半导体 测试 技术的标准
- GB/T 29299-2012 半导体激光测距仪通用技术条件
- GB/T 31359-2015 半导体激光器测试方法
- GB/T 15873-1995 半导体设施接口技术文件编写导则
中国团体标准，关于半导体 测试 技术的标准
- T/CASME 581-2023 半导体用硅环技术要求
- T/SZBSIA 006-2022 IC类半导体固晶机技术规范
- T/SHDSGY 135-2023 新能源半导体硅片材料技术
HU-MSZT，关于半导体 测试 技术的标准
- MSZ 700/36.lap-1961 煤矿中半导体测试试验
- MSZ 700/23.lap-1965 意法半导体测试焦炭
- MSZ 700/24.lap-1965 意法半导体焦炭测试
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于半导体 测试 技术的标准
- JEDEC JEP140-2002 半导体珠状温度测试
RO-ASRO，关于半导体 测试 技术的标准
- STAS 11066/2-1980 半导体匣流管．测试方法
美国国防后勤局，关于半导体 测试 技术的标准
- DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 半导体器件的测试方法
IN-BIS，关于半导体 测试 技术的标准
- IS 7412-1974 半导体器件的寿命测试
法国标准化协会，关于半导体 测试 技术的标准
- NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
RU-GOST R，关于半导体 测试 技术的标准
- GOST 24376-1991 半导体变换器.一般技术条件
行业标准-机械，关于半导体 测试 技术的标准
- JB/T 7064-1993 半导体逆变器通用技术条件
- JB/T 5537-1991 半导体压力传感器技术条件
