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GB/T 26069-2010 硅退火片规范

硅退火片规范GB/T26069—2010 本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的耍求、试验方法、检验规则等”本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片”

Specification for silicon annealed wafers

GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05•cm～1Ω•cm之间。 3 分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过对比某特定工艺前后载流子符合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。

Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance

GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范

1.本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。 2.本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8mm～300mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。 3.对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI24《硅单晶优质抛光片规范》。

Specification for polished test silicon wafers

GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶

本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。

Monocrystalline silicon of solar cell

GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶

本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒的分类、技术要求、检验方法和规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。

Gallium arsenide single crystal for solar cell

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω～5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参照此方法。 本标准适用于测量标准直径76mm,100mm,125mm,150mm,200mm,电阻率不大于200Ω•cm厚度不大于1000μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

Testing methods for surface flatness of silicon slices

GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

Test method for bow of silicon wafers

GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。 本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。 硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。 本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10Ω•cm～3×10Ω•cm。

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicom

GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×10at•cm至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。

Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层 的电阻率，测量范围：10Ω·cm～10 Ω·cm。

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB／T 12964、GB／T 12965、GB／T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices

GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法

本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。

Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection

GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为：4×10cm～8×10cm。 本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽的深度。 本标准也适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GB/T 24582-2009 酸浸取.电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。 本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/mL。 酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效益。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品的重量的1%。 本标准适用于重量为25 g～5000 g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的重量为约300 g。

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

本标准涵盖了对晶片边缘平直部分长度的确认方法。 本标准适用于标称圆形晶片边缘平直部分长度小于等于65mm的电学材料。本标准仅对硅片精度进行确认，预期精度不因材料而改变。 本标准适用于仲裁测量，当规定的限度要求高于用尺子和肉眼检测能够获得的精度时，本标准也可用于常规验收测量。 本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。建立合适的安全和保障措施及确定规章制度的应用范围是标准使用者的责任。

Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials

GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时， AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。

Test method for measuring the Al fraction in on AlGaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为、或、电阻率为10Ω•m～10Ω•m、位错密度在0cm～10cm之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。 本方法也适用于硅单晶片。

Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques