L55 微电路综合 标准查询与下载
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本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for criterion of the SOI wafer based MEMS process
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2016-08-29
- 实施
- 2017-03-01
本标准描述了用半导体制造的微机电系统(MEMS)的总规范，规定了用于IECQ-CECC体系质量评定的一般规程，给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。 本标准适用于各类MEMS器件[如传感器、射频MEMS，但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统(Micro-TAS)和微能源MEMS]。
Semiconductor devices.Micro-electromechanical devices.Generic specification for MEMS
- ICS
- 31.080.99
- CCS
- L55
- 发布
- 2016-08-29
- 实施
- 2017-03-01
本标准规定了采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质量检验。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for criterion of the combination of the deep etching and bonding process
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2016-08-29
- 实施
- 2017-03-01
Specification for leadframes for etched dual-row packages for semiconductor integrated circuits
- ICS
- CCS
- L55
- 发布
- 2014-08-15
- 实施
- 2014-08-15
本标准规定了使用器件的符号及记忆法宜与限定符号一致、预计达到两个目的,即:--对白盒子符号,给出标准名称;--对灰盒子符号,希望限制可能变化的范围、白盒子符号:符号中元件的功能行为完全由标准化方法描述的符号,相关的规则和解释可在二进制逻辑元件符号及应用注释,模拟元件符号,应用注释中找到、灰盒子符号:符号中元件的功能行为,通常由于其复杂性,有些用非白盒子符号所用的方法,特别是由参照的支持文件描述的符号;相关的规则和解释可在符号和应用注释中找到、本标准提出了白盒子符号和灰盒子符号的概念,便于设计者的应用、本标准适用于集成电路的设计、第3章中,第二列字母是W,表明相关的标记可用于白盒子符号以及灰盒子符号中、第二列是字母G,意味着有关的标记只能用于灰盒子符号中,或只能用于方框间的白盒子符号中(如作为"电源关掉"的附加信息)、在用字母m的地方,m应按每种情况的要求用相关的值、标识数字、循环长度、位数或顺序数代替、m1×m2出现的地方,m1应用字数、m2应用每字的位数代替,见符号、
Mnemonics and symbols for integrated circuits
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-12-31
- 实施
- 2013-07-01
本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。 本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Measurement method of cutting and pull-press strength of micro bonding area
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-05-11
- 实施
- 2012-12-01
本标准规定了微结构加工时，光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。 本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积（CVD）、物理气相淀积（PVD）、离子注入、反应离子刻蚀（RIE）、氢氧化钾（KOH）腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。
Silicon-based MEMS fabrication technology.The basic regulation of layout design
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-05-11
- 实施
- 2012-12-01
本标准规定了采用体硅深片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。 本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for dissolved wafer process
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-05-11
- 实施
- 2012-12-01
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。 本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for KOH etch process
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-05-11
- 实施
- 2012-12-01
本标准规定了微几何量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。 本标准适用于企业、研究机构、检测机构从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测。
Micro-electromechanical system techology.General rules for the assessment of micro-geometrical parameters
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2011-01-10
- 实施
- 2011-10-01
本标准规定了微机电系统领域所涉及的材料、设计、加工、封装、测量以及器件等方面的通用术语和定义。 本标准适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。
Micro-electromechanical system techology.Terms
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2011-01-10
- 实施
- 2011-10-01
本标准规定了微机械量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。 本标准适用于企业、研究机构、检测机构从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测及使用。
Micro-electromechanical system techology.General rules for the assessment of micro-mechanical parameters
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2011-01-10
- 实施
- 2011-10-01
本标准向集成电路的设计和制造人员推荐:使用器件的符号及记忆法宜与限定符号一致。预计达到两个目的，即: ——对白盒子符号，给出标准名称； ——对灰盒子符号，希望限制可能变化的范围。 白盒子符号：符号中元件的功能完全由标准化方法描述的符号，相关的规则和解释可在GB/T4728.12的第一篇至第五篇和GB/T4728.13的第一篇至第五篇及第六篇第17章、第18章中找到。 灰盒子符号：符号中元件的功能，通常由于其复杂性，有些用非白盒子符号所用的方法，特别是用可参照的支持文件描述的符号。相关的规则和解释见GB/T4728.12中第六篇。 第2章表中，第二列是字母W,表明相关的标记可用于白盒子符号也可用于灰盒子符号中；第二列是字母G,意味着有关标记只能用于灰盒子符号中，或只能用于方框间的白盒子符号中(如[PDN]作为“电源关掉”的附加信息 )。 在用字母m的地方,m应按各种情况的要求用相应的值、标识号、周期时间、位数或顺序数代替(增益调节的Am除外 )。示出m1×m2的地方,m1应由可存储最大字数代替，m2应由数据输出的数目代替,见GB/T4728.12的第50章和第51章。
Mnemonics and symbols for integrated circuits
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2006-07-13
- 实施
- 2007-01-01
本标准规定了测量封装引线电阻的方法。本标准适用于针栅阵列封装(PGA)引线电阻的测试。该测试技术也适用于其他微电子封装如无引线片式载体(LCC)、四边引线扁平封装(QFP)和陶瓷双列封装(CDIP)等引线电阻的测试。
Test method for measuring the resistance of package leads
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2003-07-02
- 实施
- 2003-10-01
本标准给出了下列各类或各分类器件的标准： --组合和时序数字电路； --存储器集成电路； --微处理器集成电路； --电荷转移器件。
Semiconductor devices. Integrated circuits. Part 2: Digital integrated circuits
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 1998-11-17
- 实施
- 1999-06-01
IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC授权下进行工作。这个体系的目的是确定质量评定程序，使得由一个成员国根据相应规范要求认为合格而放行的电子元器件，在所有其他成员国内不需要再进行检验就能同样地承认其合格。 本族规范是与半导体器件有关的一系列空白详细规范之一，并且与下列标准一起使用。 IEC747-10/QC700000半导体器件第10部分分立器件和集成电路总规范 IEC748-11/QC790100半导体器件集成电路第11部分半导体集成电路分规范（不包括混合电路）
Semiconductor devices. Integrated circuits. Part 2: Digital integrated circuits. Section two-Family specification for HCMOS digital integrated circuits series 54/74HC, 54/74HCT, 54/74HCU
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 1997-10-07
- 实施
- 1998-09-01
IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC授权下进行工作。这个体系的目的是确定质量评定程序，使得由一个成员国根据相应规范要求认为合格而放行的电子元器件，在所有其他成员国内不需要再进行检验就能同样地承认其合格。 本空白详细规范是与半导体器件有关的一系列空白详细规范之一，并且与下列标准一起使用。IEC747-10/QC700000半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范
Semiconductor devices. Integrated circuits--Part 2: Digital integrated circuits. Section three--Blank detail specification for HCMOS digital integrated circuits series 54/74HC, 54/74HCT, 54/74HCU
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 1997-10-07
- 实施
- 1998-09-01
本规范规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体（PLCC）封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及检验规则。 本规范适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体（PLCC）封装引线框架的研制、生产和采购。
Specification of leadframes for plastic leaded chip carrier packages
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 1996-09-09
- 实施
- 1997-05-01
本标准规定了半导体集成电路封装引线间电容 和引线负载电容的测试方法。 本标准适用于半导体集成电路陶瓷、金属、塑料封装引线间电容和引线负载电容测量。
The method measuring the lead-to-lead and loading capacitance of package leads
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 1996-09-09
- 实施
- 1997-05-01
本总规范适用于膜集成电路和混合膜集成电路（F＆HFICs），包括GB/T16464-1996第Ⅳ章第2.4条中的无源和有源的F＆HFICs。 本规范适用于供用户继续加工的半成品F＆HFICs，也适用于装有一个以上芯片的片式载体电路，而且这些芯片应作为分立的单元用膜互连技术互连起来。
Generic specification for film integrated circuits and hybrid film integrated circuits
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 1996-07-09
- 实施
- 1997-01-01
