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射线 微盘

本专题涉及射线 微盘的标准有500条。

国际标准分类中，射线 微盘涉及到光学和光学测量、无线通信、IT终端和其他外围设备、光学设备、辐射防护、长度和角度测量、航空航天制造用材料、无损检测、集成电路、微电子学、有色金属产品、核能工程、分析化学、音频、视频和视听工程、地面服务和维修设备、医疗设备、犯罪行为防范、医学科学和保健装置综合、电工器件、半导体分立器件、燃料、玻璃、电信设备用部件和附件、电子元器件综合、建筑物中的设施、阀门、电信系统、化工产品、水质、计量学和测量综合、轮胎、物理学、化学、涂料和清漆、数据存储设备、信息技术应用、纸和纸板、微生物学、电学、磁学、电和磁的测量、电磁兼容性(EMC)、道路车辆装置。

在中国标准分类中，射线 微盘涉及到电子光学与其他物理光学仪器、广播、电视发送与接收设备、计算机外围设备、安全防范报警系统、、录制设备、复合材料与固体燃料、Ｘ射线、磁粉、荧光及其他探伤仪器、微电路综合、计算机设备、辐射防护仪器、无线电通信设备、核仪器与核探测器综合、机场地面服务系统及设备、医用射线设备、建材原料矿、非金属矿综合、电化学、热化学、光学式分析仪器、犯罪鉴定技术、连接器、半导体集成电路、电子元件综合、基础标准与通用方法、音响、电声设备、长度计量、化妆品、航空与航天用金属铸锻材料、通信网技术体制、自行车、半导体二极管、化学、陶瓷、玻璃综合、开关、灯具附件、视频、脉冲系统设备、光学设备、物理学与力学、阀门、通信网设备互通技术要求和通信网接口、金属无损检验方法、计算机应用、通信设备容量系列、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、卫星通信设备、数字通信设备、通用核仪器、光学测试仪器、轮胎、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、造纸综合、标志、包装、运输、贮存综合、商业、贸易、合同、纸、冶金辅助原料矿、通信设备综合、微波通信设备、电子测量与仪器综合、炭素材料、半导体分立器件综合、车用电子、电气设备与仪表综合。

行业标准-地质，关于射线 微盘的标准

• DZ 0029-1992 HYX—3型微机X射线荧光仪

美国国防后勤局，关于射线 微盘的标准

• DLA SMD-5962-95689 REV H-2007 抗辐射四重微分线路接收器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95689 REV G-2007 抗辐射四重微分线路接收器硅单片电路线型微电路
• DLA QPL-3928-2011 开关，射频传输线，（同轴和微带线），通用规范
• DLA QPL-3928-QPD-2012 开关，射频传输线，（同轴和微带线），通用规范
• DLA MIL-DTL-3928 G SUPP 1-2013 开关，射频传输线（同轴和微带线），一般规范
• DLA MS21380 REV D-2007 LT4K型(铁心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA MS53231 REV B VALID NOTICE 1-2012 线圈，射频，封装，可变，微型，铁芯，LT 型
• DLA SMD-5962-95635 REV D-1999 数字16-BIT反射微型控制器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95631 REV F-2007 反射差量线路接收器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95689 REV J-2012 微电路，线性，抗辐射，线路接收器，四差分单片硅
• DLA SMD-5962-95689 REV K-2013 微电路，线性，抗辐射，线路接收器，四差分单片硅
• DLA SMD-5962-00538 REV K-2011 微电路，线性，CMOS，抗辐射，上电，微处理器复位电路，单片硅
• DLA SMD-5962-96722 REV A-2001 抗辐射三重线路传播者硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96723 REV C-2003 抗辐射三重线路接收机硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95631 REV G-2013 微电路、线性、抗辐射、四路差分线路接收器、单片硅
• DLA SMD-5962-95631 REV H-2013 微电路、线性、抗辐射、四路差分线路接收器、单片硅
• DLA A-A-59700 A-2008 线圈、射频、芯片、固定、高频、微型、表面贴装
• DLA A-A-59739 A-2013 线圈、射频、芯片、固定、高 Q、微型、表面贴装
• DLA SMD-5962-99515 REV C-2008 微电路，线性，抗辐射，运算放大器，单片硅
• DLA SMD-5962-99517 REV J-2008 微电路，线性，抗辐射，可调，稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-08218-2010 微电路，线性，抗辐射，差分放大器，单片硅
• DLA SMD-5962-99517 REV K-2011 微电路，线性，抗辐射，可调，稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-99517 REV L-2012 微电路，线性，抗辐射，可调，稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-95632 REV E-2008 四路差分线路驱动器单片硅抗辐射CMOS线性微电路
• DLA SMD-5962-95632 REV F-2012 微电路、线性、抗辐射、CMOS、四路差分、线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-95632 REV G-2013 微电路、线性、抗辐射、CMOS、四路差分、线路驱动器、单片硅
• DLA MS14040 REV B-2007 LT10K097 TO LT10K107 INCL型(铁心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA MS14041 REV B-2007 LT10K108 TO LT10K112 INCL型(铁心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA MS14043 REV B-2007 LT10K118 TO LT10K122 INCL型(铁心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA MS14047 REV A-2007 LT10K138 TO LT10K142 INCL型(铁心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA MS14048 REV A-2007 LT10K143 TO LTI0K147 INCL型(铁心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA MS14049 REV A-2007 LT10K148 TO LT10K152 INCL型(铁心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA MS14050 REV A-2007 LT10K153 TO LT10K157 INCL型(铁心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA MS14052 REV A-2007 LT10K158 TO LT10K168 INCL型(铁心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA MS14046 REV D VALID NOTICE 1-2012 线圈，射频，模制，固定，微型，（铁芯）类型 LT10K128 至 LT10K137
• DLA SMD-5962-00501 REV D-2008 微电路，线性，抗辐射，精密电压基准，单片硅
• DLA SMD-5962-96663 REV J-2009 微电路、数字线性、抗辐射 CMOS、四路差分线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-96663 REV K-2013 微电路、数字线性、抗辐射 CMOS、四路差分线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-96663 REV L-2013 微电路、数字线性、抗辐射 CMOS、四路差分线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-00501 REV C-2007 单片硅线性微电路辐射硬化精密电压基准
• DLA SMD-5962-01510 REV D-2007 单片硅辐射硬化线性微电路四电压比较器
• DLA SMD-5962-99551 REV B-2007 微型电路,线型,辐射加固,正极,稳压器,单块硅
• DLA SMD-5962-09225 REV B-2010 微电路、抗辐射、线性、同步降压稳压器、单片硅
• DLA SMD-5962-09225 REV C-2011 微电路、抗辐射、线性、同步降压稳压器、单片硅
• DLA SMD-5962-09225 REV E-2013 微电路、抗辐射、线性、同步降压稳压器、单片硅
• DLA SMD-5962-96738 REV N-2008 微电路，线性，抗辐射，四路电压比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-99504 REV G-2008 微电路，线性，抗辐射，四路运算放大器，单片硅
• DLA SMD-5962-98613 REV H-2009 微电路，线性，抗辐射，四路电压比较器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/10602-2010 微电路，线性，低功耗，RS-485/RS-422 发射器，单片硅
• DLA SMD-5962-99504 REV J-2011 微电路，线性，抗辐射，四路运算放大器，单片硅
• DLA SMD-5962-96738 REV P-2011 微电路，线性，抗辐射，四路电压比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-88539 REV F-2011 微电路，线性，抗辐射，精密仪表放大器，单片硅
• DLA SMD-5962-38128 REV F-2011 微电路，线性，抗辐射，可编程电压基准，单片硅
• DLA SMD-5962-95813 REV G-2013 微电路、线性抗辐射 CMOS、双 SPDT 模拟开关、单片硅
• DLA SMD-5962-96738 REV R-2013 微电路，线性，抗辐射，四路电压比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-38128 REV E-2005 硅单片可编程电压基准耐辐射线性微型电路
• DLA SMD-5962-87739 REV H-2007 硅单片辐射硬化电压比较器四方线性微电路
• DLA SMD-5962-88539 REV E-2005 硅单片精密仪表扬声器辐射硬化线性微电路
• DLA MS53233 REV A VALID NOTICE 1-2012 线圈，射频，封装，可变，微型，铁芯，类型 LT11V077 至 LT11V097，包括
• DLA SMD-5962-89509 REV B-2008 微电路、混合、线性、CMOS、三重、8 位、彩色映射视频 DAC
• DLA SMD-5962-99547 REV K-2008 微电路，线性，抗辐射，可调正电压稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-99547 REV L-2011 微电路，线性，抗辐射，可调正电压稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-98636 REV D-2011 微电路、线性、抗辐射 JFET 输入运算放大器、单片硅
• DLA SMD-5962-97641 REV B-2005 微型电路,线型,辐射加固,超高频率,全部NPN,单块硅
• DLA SMD-5962-98613 REV G-2007 微型电路,线型,辐射加固,四路电压比较器,单块硅
• DLA MS53232 REV B VALID NOTICE 1-2012 线圈，射频，封装，可变，微型，铁氧体磁芯，LT11V060 至 LT11V076，包括
• DLA SMD-5962-99536 REV F-2011 微电路，数字线性，抗辐射，高频半桥驱动器，单片硅
• DLA SMD-5962-08244 REV C-2011 微电路，数字，抗辐射，4 端口太空线路由器，单片硅
• DLA SMD-5962-99536 REV G-2011 微电路，数字线性，抗辐射，高频半桥驱动器，单片硅
• DLA SMD-5962-08244 REV C-2013 微电路，数字，抗辐射，4 端口太空线路由器，单片硅
• DLA SMD-5962-08244 REV D-2013 微电路，数字，抗辐射，4 端口太空线路由器，单片硅
• DLA SMD-5962-07215 REV B-2010 微电路，线性，BiCMOS，抗辐射，双高速，电压比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-07215 REV C-2012 微电路，线性，BiCMOS，抗辐射，双高速，电压比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-87571 REV H-2013 微电路，线性，抗辐射，两个端子温度传感器，单片硅
• DLA SMD-5962-95812 REV D-2013 微电路，线性抗辐射 CMOS，双通道，DPST 模拟开关，单片硅
• DLA SMD-5962-96544 REV D-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、3 线至 8 线解码器/解复用器、单片硅
• DLA SMD-5962-96544 REV E-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、3 线至 8 线解码器/解复用器、单片硅
• DLA SMD-5962-96544 REV F-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、3 线至 8 线解码器/解复用器、单片硅
• DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体16-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95824-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
• DLA MIL-DTL-83517 A-2005 带状或微带传输线同轴射频同轴连接器一般规范
• DLA MS21367 REV G-2007 LT10K354 TO LT10K383 INCL型屏蔽(铁心)微型缩影固定包裹射频线圈
• DLA SMD-5962-00520 REV D-2007 单片硅辐射硬化数字线性微电路8通道源驱动器
• DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 单片硅辐射硬化线性微电路 2.5V并联二极管调节器
• DLA SMD-5962-87571 REV G-2007 硅单块 两终点温度传感器,防辐射直线型微型电路
• DLA SMD-5962-95670 REV C-2003 抗辐射低功率运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88565 REV F-2003 硅单片QUAD运算扬声器低噪音辐射硬化线性微电路
• DLA MS21367 REV G VALID NOTICE 1-2012 线圈，射频，封装，固定，微型，屏蔽（铁芯）类型 LT10K354 至 LT10K383，包括
• DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 微电路，数字线性，抗辐射，8 通道源极驱动器，单片硅
• DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 微电路，数字线性，抗辐射，8 通道源极驱动器，单片硅
• DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-94680 REV E-2011 微电路，线性，抗辐射，低噪声，精密，运算放大器，单片硅
• DLA SMD-5962-88565 REV G-2011 微电路、线性、抗辐射、低噪声、四路运算放大器、单片硅
• DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-88565 REV H-2011 微电路、线性、抗辐射、低噪声、四路运算放大器、单片硅
• DLA MS18100 REV E-2007 LT4K200 TO LT4K208,LT4K220 和 LT4K221　INCL型(酚醛核心)微型固定熔铸射频线圈
• DLA SMD-5962-00524 REV D-2005 单片硅辐射硬化线性微电路精密电压比较器/缓冲器
• DLA SMD-5962-01521 REV A-2001 单片硅辐射硬化数字线性微电路9A非反转MOSFET驱动器
• DLA SMD-5962-02503 REV A-2005 单片硅辐射硬化线性微电路负低压降可调式稳压器
• DLA SMD-5962-02547-2003 单片硅辐射硬化线性微电路双宽带视频运算放大器
• DLA SMD-5962-95669 REV C-2005 抗辐射的取样和持有放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87501 REV E-2006 硅单块 四列线接收器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87502 REV F-2006 硅单块 三列线接收器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
• DLA SMD-5962-98539-2000 微型电路,线型,辐射加固,单路高速,运算放大器,单块硅
• DLA SMD-5962-98639 REV D-2007 微型电路,线型,辐射加固,超低失调运算放大器,单块硅
• DLA MS21400 REV B VALID NOTICE 1-2012 线圈，射频，模制，固定，微型，磁屏蔽，（铁芯-铁套），LT10K469 至 LT10K482，包括
• DLA SMD-5962-08230 REV A-2009 微电路、数字线性、BiCMOS、抗辐射、非反相四路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-99558 REV G-2008 微电路，线性，抗辐射，高速，双输出脉冲宽度调制，单片硅
• DLA SMD-5962-95687 REV D-2009 微电路、线性、抗辐射、低功耗、可编程运算放大器、单片硅
• DLA SMD-5962-93258 REV G-2010 微电路、线性、抗辐射、精密、高速、四路运算放大器、单片硅
• DLA SMD-5962-02547 REV A-2010 微电路，线性，抗辐射，双路，宽带视频运算放大器，单片硅
• DLA SMD-5962-10237-2011 微电路，线性，抗辐射，CMOS，16 比 1 模拟多路复用器，单片硅
• DLA SMD-5962-10233 REV D-2012 微电路，线性，抗辐射，CMOS，16 比 1 模拟多路复用器，单片硅
• DLA SMD-5962-10236-2012 微电路，线性，抗辐射，CMOS，16 比 1 模拟多路复用器，单片硅
• DLA SMD-5962-10233 REV A-2012 微电路，线性，抗辐射，CMOS，16 比 1 模拟多路复用器，单片硅
• DLA SMD-5962-10237 REV A-2012 微电路，线性，抗辐射，CMOS，16 比 1 模拟多路复用器，单片硅
• DLA SMD-5962-99558 REV H-2012 微电路，线性，抗辐射，高速，双输出脉冲宽度调制，单片硅
• DLA SMD-5962-95687 REV E-2013 微电路、线性、抗辐射、低功耗、可编程运算放大器、单片硅
• DLA SMD-5962-99618 REV F-2013 微电路，线性，抗辐射，CMOS 高速四通道 SPST 模拟开关，单片硅
• DLA SMD-5962-95690 REV G-2013 微电路、线性、抗辐射、四通道、低噪声、运算放大器、单片硅
• DLA SMD-5962-99618 REV G-2013 微电路，线性，抗辐射，CMOS 高速四通道 SPST 模拟开关，单片硅
• DLA QPL-83517-17 NOTICE 1-2008 连接器，同轴，同轴、带状或微带传输线的射频，通用规范
• DLA SMD-5962-93258 REV F-2005 硅单片,耐辐射准确高速四重运算扬声器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-99511 REV C-2006 微型电路,数字线型,辐射加固双路反向MOSFET驱动器,单块硅
• DLA SMD-5962-99617 REV B-2002 微型电路,线型,辐射加固,全桥式N通道FET驱动器,单块硅
• DLA SMD-5962-99618 REV E-2007 微型电路,线型,辐射加固,CMOS高速四路SPST模式开关,单块硅
• DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-07218 REV A-2008 单片硅超高频NPN-PNP组合晶体管阵列耐辐射线性微电路
• DLA SMD-5962-96742 REV F-2011 微电路，线性，抗辐射，CMOS，带过压保护的多路复用器，单片硅
• DLA SMD-5962-96550 REV C-2007 先进CMOS抗辐射数字微电路,双4线至1线数字选择器/多路复用器,单片硅
• DLA SMD-5962-94771 REV B-2002 8-BIT反射交流电和直流电转换器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-98533 REV C-2005 微型电路,线型,辐射加固,极低噪音四路运算放大器,单块硅
• DLA SMD-5962-98633 REV A-1999 微型电路,数字型,辐射加固CMOS,10到4线优先编码器,单块硅
• DLA SMD-5962-99560 REV A-2002 微型电路,数字线型,辐射加固双路非反向MOSFET驱动器,单块硅
• DLA SMD-5962-96832 REV C-2007 抗辐射双重低功率录像缓冲器双硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95684 REV C-2007 抗辐射四通道可编程运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95687 REV C-2003 抗辐射低功率可编程运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA MS75088 REV D VALID NOTICE 1-2012 线圈，射频，模制，固定，微型，磁屏蔽，（铁芯-铁套），类型 LT10K203 至 LT10K216，包括
• DLA SMD-5962-89932 REV F-2011 微电路，数字 线性，抗辐射，8 位，高速，乘法 D/A 转换器，单片硅
• DLA SMD-5962-95686 REV C-2010 微电路，线性，抗辐射，内部补偿，高压摆率，运算放大器，单片硅
• DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅
• DLA SMD-5962-10211 REV A-2011 微电路，线性，抗辐射，双 2:1，宽带宽，有源多路复用器，单片硅
• DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅
• DLA SMD-5962-96545 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、3 线至 8 线解码器/解复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96552 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、四路 2 线到 1 线数据选择器/多路复用器、单片硅
• DLA MS21381 REV E-2007 LT10V174 TO LT10V209 INCL. 和 LT10V247 TO LT10SV258 INCL.型磁屏蔽铁芯微型可变熔铸射频线圈
• DLA SMD-5962-91629 REV A-2006 硅单块 五列差异总线接收器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85514 REV H-2005 硅单块 +5伏特可调节精密电压参考,抗辐射直线型微型电路
• DLA SMD-5962-98636 REV C-2003 微型电路,线型,辐射加固,J型场效应输入运算放大器,单块硅
• DLA SMD-5962-96831 REV B-2003 抗辐射双重低功率录像闭环缓冲器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
• DLA MS75087 REV D VALID NOTICE 1-2012 线圈，射频，模制，固定，微型，磁屏蔽，（酚醛芯 铁套），类型 LT10K191 至 LT10K202，包括
• DLA SMD-5962-89577 REV K-2013 微电路、数字、抗辐射、CMOS、总线控制器、远程终端和监视器、单片硅
• DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 单片硅互补开关场效应晶体管驱动,耐辐射数字线性微电路
• DLA SMD-5962-96547 REV D-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、双 2 线至 4 线解码器/解复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-02508 REV D-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持和三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
• DLA QPL-83517-17-2005 射频同轴电缆同轴电缆条形或微带连接器输电线路一般规格
• DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 单片硅辐射硬化数字非线性微电路互补开关场效应管驱动器
• DLA SMD-5962-89932 REV E-2006 硅单片,8位高速耐辐射的增值直流/交流转变器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-95671 REV B-2006 抗辐射多种频率的高电阻运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-99558 REV F-2006 微型电路,线型,辐射加固,高速,双路输出脉冲宽度调节器,单块硅
• DLA SMD-5962-96785 REV B-2003 低功率输出限制闭锁环缓冲器抗辐射硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95686 REV B-2003 抗辐射内部补偿高回转率运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-02545-2003 单片硅辐射硬化线性微电路双宽带低噪声电压反馈运算放大器
• DLA SMD-5962-96767 REV C-2005 抗辐射可编程输入限制电流反馈放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96830 REV C-2004 抗辐射低功率电流反馈录像运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96551 REV D-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、双 4 线到 1 线数据选择器/多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96551 REV E-2011 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、双 4 线到 1 线数据选择器/多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96551 REV F-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、双 4 线到 1 线数据选择器/多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 抗辐射互补金属氧化物半导体母线控制器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95685 REV E-2007 抗辐射未得到补偿的高回转率运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95688 REV D-2007 抗辐射多种频率的高输入阻抗运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96553 REV D-2008 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、四路 2 线到 1 线数据选择器/多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96553 REV E-2008 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、四路 2 线到 1 线数据选择器/多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96553 REV F-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、四路 2 线到 1 线数据选择器/多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96570 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,八角缓冲器和线路三状态线路驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96571 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,八角缓冲器和线路三状态线路驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-02511 REV E-2008 微电路、线性、抗辐射、高速、具有 SEU 保护的双输出脉冲宽度调制器、单片硅
• DLA SMD-5962-02511 REV F-2010 微电路、线性、抗辐射、高速、具有 SEU 保护的双输出脉冲宽度调制器、单片硅
• DLA SMD-5962-02511 REV G-2011 微电路、线性、抗辐射、高速、具有 SEU 保护的双输出脉冲宽度调制器、单片硅
• DLA SMD-5962-96572 REV D-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,八角三状态输出母线接收器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-98637 REV D-2005 微型电路,线型,辐射加固,单通道低输入电流运算放大器,外部补偿,单块硅
• DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95780 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95811 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路线型微电路
• DLA MS75089 REV D VALID NOTICE 1-2012 线圈，射频，模制，固定，微型，磁屏蔽，（铁氧体磁芯-铁氧体套管），类型 LT10K217 至 LT10K263，包括
• DLA SMD-5962-88706 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器/线路驱动器、具有三态输出、单片硅
• DLA SMD-5962-95693 REV E-2010 微电路、线性、抗辐射 CMOS、多路复用器/多路分解器，具有主动过压保护、单片硅
• DLA SMD-5962-95630 REV G-2006 多电压保护的反射单相16通道类似体多用户实验硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95728 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入多路器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95818 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT输入或输出端硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-95630 REV H-2009 微电路，数字线性，抗辐射，单 16 通道模拟复用器/解复用器，带过压保护，单片硅
• DLA SMD-5962-95753 REV C-2009 微电路、数字、高速 CMOS、抗辐射、双 2 至 4 线解码器/解复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-95630 REV J-2011 微电路，数字线性，抗辐射，单 16 通道模拟复用器/解复用器，带过压保护，单片硅
• DLA SMD-5962-95630 REV M-2013 微电路，数字线性，抗辐射，单 16 通道模拟复用器/解复用器，带过压保护，单片硅
• DLA SMD-5962-95630 REV N-2013 微电路，数字线性，抗辐射，单 16 通道模拟复用器/解复用器，带过压保护，单片硅
• DLA SMD-5962-95823 REV A-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体或无线电呼叫信号8K X 8静态随机存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96575 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、双 4 线到 1 线数据选择器/多路复用器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-98518 REV A-2007 微型电路,线型,辐射加固,具有禁用功能的低功耗电流反馈运算放大器,单块硅
• DLA SMD-5962-96576 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95691 REV B-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95692 REV A-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95713 REV B-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体可编程计时器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95724 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-97512 REV D-2005 抗辐射双多种频率的高输入阻抗未补偿运算放大器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95777 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95778 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95783 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入排外硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95812 REV C-2006 反射变硬互补金属氧化物半导体双重双刀单掷开关硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95813 REV E-2007 反射变硬互补金属氧化物半导体双重单刀双掷开关硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95814 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重 2输入排外硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95829 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器或转换器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器和具有三态输出的线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器和具有三态输出的线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-06243 REV B-2011 微电路、数字、抗辐射 CMOS、16 位缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入和三态输出、单片硅
• DLA SMD-5962-96767 REV D-2009 微电路、线性、抗辐射、高速、低功耗、电流反馈放大器，具有可编程输出限制、单片硅
• DLA SMD-5962-95650 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95651 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95652 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体三倍输出量与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-97639 REV A-1999 微型电路,数字型,辐射加固改进的CMOS,双路2到4线解码器/多用复解码器,单块硅
• DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96538 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体四重2输入排外硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96584 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加速硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95690 REV F-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体四重低噪音运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95790 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入多路器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89795 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线缓冲器
• DLA SMD-5962-89795 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线缓冲器
• DLA SMD-5962-96573 REV C-2008 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-96573 REV D-2008 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-96573 REV E-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-96573 REV F-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-96586 REV B-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出的同相六角缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-96573 REV G-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95822 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体或无线电呼叫信号64K X 1-BIT静态随机存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-05210 REV D-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持功能的 16 位总线缓冲器、串联输出电阻器和三态输出、单片硅
• DLA SMD-5962-05213 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持功能的 16 位总线收发器、串联输出电阻器和三态输出、单片硅
• DLA SMD-5962-94713-1996 数字互补金属氧化物半导体带电可变反射编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96524 REV E-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器施密特触发器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96530 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体六角非倒相缓冲器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96580 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96642 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8部转换储存母线寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95730 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元同步计时器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95805 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入夺路传输硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95820 REV A-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体静态时钟控制器或发生器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96568 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96569 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95693 REV D-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体超电压多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95694 REV D-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体超电压多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95731 REV D-2010 微电路、数字、高速 CMOS、抗辐射、具有三态输出的非反相八通道缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-96571 REV D-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅

日本工业标准调查会，关于射线 微盘的标准

• JIS X 6041:1987 商业用阴极射线管显示器及键盘
• JIS K 0189:2013 微束分析.电子探针显微分析.波长色散X射线光谱学用实验参数的测定
• JIS K 0190:2010 微光束分析.电子探针显微分析.波长分散X射线光谱法对质量点分析用指南

国家质检总局，关于射线 微盘的标准

• GB 7667-1996 电子显微镜X射线泄漏剂量
• GB 15208-1994 微剂量X射线安全检查设备
• GB 7667-2003 电子显微镜X射线泄漏剂量
• GB/T 23413-2009 纳米材料晶粒尺寸及微观应变的测定.X射线衍射线宽化法
• GB/T 18873-2002 生物薄试样的透射电子显微镜-X射线 能谱定量分析通则
• GB/T 18873-2008 生物薄试样的透射电子显微镜-X射线能谱定量分析通则
• GB/T 15208.2-2006 微剂量X射线安全检查设备.第2部分;测试体
• GB/T 17507-2008 透射电子显微镜X射线能谱分析生物薄标样的通用技术条件
• GB/T 20726-2015 微束分析 电子探针显微分析X射线能谱仪主要性能参数及核查方法
• GB/T 19267.6-2008 刑事技术微量物证的理化检验 第6部分:扫描电子显微镜/X射线能谱法
• GB 15208.1-2005 微剂量X射线安全检查设备 第1部分;通用技术要求
• GB/T 17507-1998 电子显微镜X射线能谱分析生物薄标样通用技术条件
• GB/T 25758.5-2010 无损检测.工业X射线系统焦点特性.第5部分：小焦点和微焦点X射线管的有效焦点尺寸的测量方法
• GB/T 17361-1998 沉积岩中自生粘土矿物扫描电子显微镜及X射线能谱鉴定方法
• GB/T 26834-2011 无损检测仪器 小焦点及微焦点X射线管有效焦点尺寸测量方法
• GB/T 2679.11-2008 纸和纸板 无机填料和无机涂料的定性分析.电子显微镜/X射线能谱法
• GB/T 2679.11-1993 纸和纸板中无机填料和无机涂料的定性分析 电子显微镜/X射线能谱法
• GB/T 32869-2016 纳米技术 单壁碳纳米管的扫描电子显微术和能量色散X射线谱表征方法

中国团体标准，关于射线 微盘的标准

• T/CSCM 05-2020 纤维内微孔分布的测定小角X射线散射法
• T/CAB 0144-2022 CT扫描装置X射线管再生阳极金属靶盘
• T/RAC 013-2018 微功率短距离无线电发射设备射频测试方法 第一部分：9kHz-30MHz
• T/RAC 015-2018 微功率短距离无线电发射设备射频测试方法 第三部分：1GHz-40GHz
• T/RAC 014-2018 微功率短距离无线电发射设备射频测试方法 第二部分：30MHz-1GHz
• T/CSIQ 3103-2015 陶瓷艺术品内部微观结构测试方法 X射线计算机断层扫描法

欧洲标准化委员会，关于射线 微盘的标准

• prEN 60856-1992 50Hz/625线预录式光反射视盘录象系统"激光视盘".PAL制(IEC856-86)
• prEN 60856 prA1-1992 50Hz/625线预录式光反射视盘录象系统"激光视盘".PAL制(IEC 856-86/A1-91)
• HD 514 S1-1989 预录式光反射录像盘系统."激光电视"50Hz/625线.PAL制
• EN 12543-5:1999 无损检验.用于无损检验的工业X射线系统中焦点的特性.第5部分:小型和微型聚焦X射线管有效焦点尺寸的测量

韩国科技标准局，关于射线 微盘的标准

• KS X 5005-1993 业务使用CRT阴极射线管显示装置和键盘
• KS M ISO 20203-2016(2021) 铝生产用含碳材料——煅烧焦炭——用X射线衍射法测定煅烧石油焦的微晶尺寸（Lc）
• KS D ISO 22489:2012 微光束分析.电子探针微量分析.运用波长色散X射线光谱测量法定量分析块状样品
• KS D ISO 22489:2018 微束分析 - 电子探针微量分析 - 使用波长色散X射线光谱法的批量样品的定量点分析
• KS D ISO 15632:2012 微光束分析.带半导体探测器的能量发散X射线分光仪的仪器规范
• KS D ISO 15632:2018 微束分析 - 用于电子探针微量分析的能量色散X射线光谱仪的规范和检查的选定仪器性能参数
• KS R ISO 11452-5:2013 道路车辆.窄带辐射电磁能量产生的电子干扰.零部件试验方法.第5部分:微波带状线

国际电工委员会，关于射线 微盘的标准

• IEC 62495:2011 核监测仪表.利用微型X-射线管的便携式X-射线荧光分析设备
• IEC 60856:1986/AMD1:1991 修改件1-预录反射式光盘系统“激光视觉”50 Hz/625线-PAL
• IEC 60857:1986/AMD2:1997 修改件2-预录反射式光盘系统“激光视觉”60 赫兹/525线-米/NTSC
• IEC 60857:1986/AMD1:1991 修改件1-预录反射式光盘系统“激光视觉”60 赫兹/525线-米/NTSC
• IEC 62037-6:2021 RLV 无源射频和微波器件互调电平测量第6部分:天线中无源互调的测量
• IEC 62037-6:2021 无源射频和微波器件互调电平测量第6部分:天线中无源互调的测量

行业标准-邮电通信，关于射线 微盘的标准

• YD/T 4179-2023 30MHz～1GHz微功率短距离无线电发射设备射频测试方法
• YD/T 4178-2023 9kHz～30MHz微功率短距离无线电发射设备射频测试方法
• YD/T 4180-2023 1GHz～40GHz微功率短距离无线电发射设备射频测试方法
• YD/T 1153-2001 微波接力通信系统抛物面天线辐射图包络的技术要求

德国标准化学会，关于射线 微盘的标准

• DIN IEC 62495:2011 核仪器.使用微型X射线管的便携式X射线荧光分析设备(IEC 62495-2011)
• DIN EN 60856/A2:1998-08 预录光学反射视盘系统“激光视觉”50 Hz/625 线
• DIN 32566:2007-12 微系统生产设备 X射线光刻掩模支撑环规范
• DIN 32566:2007 微型系统用生产设备.X射线光刻掩膜支持环用规范
• DIN EN 61223-3-1:2001 医院放射科评定和常规试验.第3-1部分:验收试验.辐射照相和辐射显微照相系统用X射线设备成像性能
• DIN ISO 15632:2015 微光束分析.带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规范(ISO 15632-2012)
• DIN ISO 15632:2022-09 微束分析 用于能量色散 X 射线光谱仪规格和检查的选定仪器性能参数
• DIN EN 60835-2-4:1995 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法.第2部分:地面无线电中继系统的测量.第4节:包括调制/解调器的发射机/接收机

丹麦标准化协会，关于射线 微盘的标准

• DS/EN 60856+A1,2+Corr.:1998 预录光学反射式视盘系统 ""Laser-Vision"" 50 Hz/625 线 PAL
• DS/EN 12543-5:2000 无损检测 用于无损检测的工业 X 射线系统中焦斑的特性 第5部分：微焦和微焦 X 射线管有效焦斑尺寸的测量
• DS/EN 62037-6:2013 无源射频和微波设备，互调电平测量 第6部分：天线中无源互调的测量
• DS/ISO/TS 10798:2011 纳米技术 使用扫描电子显微镜和能量色散 X 射线光谱分析法表征单壁碳纳米管

行业标准-民用航空，关于射线 微盘的标准

• MH 7011-2003 民用航空微剂量X射线安全检查设备

行业标准-医药，关于射线 微盘的标准

• YY/T 0347-2002 微型医用诊断X射线机通用技术条件
• YY/T 0347-2009 微型医用诊断X射线机专用技术条件

海关总署，关于射线 微盘的标准

• HS/T 65.4-2021 微剂量X射线海关查验设备 第4部分：封闭式X射线人员查验设备
• HS/T 65.3-2021 微剂量X射线海关查验设备 第3部分：透射式货物查验设备
• HS/T 65.2-2021 微剂量X射线海关查验设备 第2部分：透射式行包查验设备
• HS/T 65.1-2021 微剂量X射线海关查验设备 第1部分：通用技术要求

行业标准-商品检验，关于射线 微盘的标准

• SN/T 3231-2012 滑石中石棉含量测定.偏光显微镜-X射线衍射光谱法
• SN/T 2731-2010 非金属矿中石棉的定性方法 X射线衍射-显微镜观察法
• SN/T 2649.2-2010 进出口化妆品中石棉的测定 第2部分：X射线衍射-偏光显微镜法
• SN/T 3131-2012 自行车车闸闸皮中石棉含量的测定.偏光显微镜-X射线衍射光谱法
• SN/T 2649.1-2010 进出口化妆品中石棉的测定 第1部分：X射线衍射-扫描电子显微镜法

行业标准-公共安全标准，关于射线 微盘的标准

• GA 926-2011 微剂量透射式X射线人体安全检查设备通用技术要求
• GA/T 1522-2018 法庭科学 射击残留物检验 扫描电子显微镜/X射线能谱法
• GA/T 1065-2013 微剂量X射线安全检查设备测试体校准规范
• GA/T 1938-2021 法庭科学 金属检验 扫描电子显微镜/X射线能谱法
• GA/T 1937-2021 法庭科学 橡胶检验 扫描电子显微镜/X射线能谱法
• GA 857-2009 货物运输微剂量X射线安全检查设备通用技术要求
• GA/T 1939-2021 法庭科学 电流斑检验 扫描电子显微镜/X射线能谱法
• GA/T 1521-2018 法庭科学 塑料元素成分检验 扫描电子显微镜/X射线能谱法
• GA/T 1519-2018 法庭科学 墨粉元素成分检验 扫描电子显微镜/X射线能谱法
• GA/T 1520-2018 法庭科学 黑火药、烟火药元素成分检验 扫描电子显微镜/X射线能谱法
• GA/T 823.3-2018 法庭科学油漆物证的检验方法 第3部分：扫描电子显微镜/X射线能谱法

US-FCR，关于射线 微盘的标准

• FCR 21 CFR PART 1030-2015 微波和无线电频率发射产品的性能标准
• FCR 21 CFR PART 1030-2013 微波和无线电频率发射产品的性能标准
• FCR 21 CFR PART 1030-2014 微波和无线电频率发射产品的性能标准

国家军用标准-总装备部，关于射线 微盘的标准

• GJB 976A-2009 同轴、带状线或微带传输线用射频同轴连接器通用规范
• GJB 976-1990 同轴、带状或微带传输线用的射频同轴连接器总规范

美国电子元器件、组件及材料协会，关于射线 微盘的标准

• ECA TEP 170-1972 微波电子管X射线探测和测量的推荐做法

美国材料与试验协会，关于射线 微盘的标准

• ASTM E1588-10e1 扫描电子显微术/能量散射X射线光谱法射击残留物分析的标准指南
• ASTM E2903-18 用于测量微型和微焦点X射线管的有效焦点尺寸的标准测试方法
• ASTM E1588-16 采用扫描电子显微术/能量散射X射线光谱法进行射击残留物分析的标准指南
• ASTM D5187-21 用X射线衍射法测定煅烧石油焦微晶尺寸（Lc）的标准试验方法
• ASTM E2926-13 采用微束X射线荧光(微束XRF)光谱法对玻璃进行鉴识对比的标准试验方法
• ASTM E1588-16a 采用扫描电子显微术/能量散射X射线光谱法进行射击残留物分析的标准实施规程
• ASTM E1588-17 采用扫描电子显微术/能量散射X射线光谱法进行射击残留物分析的标准实施规程
• ASTM E2926-17 使用微X射线荧光的玻璃法医比较的标准测试方法（
• ASTM E3295-22 法医聚合物检查中使用微X射线荧光（μ-XRF）的标准指南
• ASTM E3295-23 法医聚合物检查中使用微X射线荧光（μ-XRF）的标准指南
• ASTM D6502-99(2003) 用X射线荧光（XRF）在线测量水中低水平微粒和溶解金属的标准试验方法
• ASTM D6502-99 用X射线荧光（XRF）在线测量水中低水平微粒和溶解金属的标准试验方法
• ASTM F1467-99(2005)e1 微电子装置的电离辐射效应试验中 X 射线测试仪(近似等于10 keV 辐射量子)的使用的标准指南
• ASTM F1467-99 半导体器件和微电路的电离辐射效应试验中X射线测试仪(近似等于10keV辐射量子)的使用标准指南
• ASTM F1467-99(2005) 半导体器件和微电路的电离辐射效应试验中X射线测试仪(近似等于10keV辐射量子)的使用标准指南
• ASTM E1588-07e1 用扫描电子显微镜法/能量色散X射线光谱测定法的射击残留物分析用标准指南
• ASTM E1588-07 用扫描电子显微镜法/能量色散X射线光谱测定法的射击残留物分析用标准指南
• ASTM E2903-13 测量小型和微型焦点X射线管的有效焦点尺寸的标准试验方法
• ASTM F1035-03 为论证轮胎X射线成象系统的辩别能力橡胶帘布圆盘的使用标准规程
• ASTM F1035-03(2008) 为论证轮胎X射线成象系统的辩别能力橡胶帘布圆盘的标准实施规程
• ASTM E2809-13 在法医油漆检查中使用扫描电子显微镜/X射线光谱法的标准指南
• ASTM F1035-91(1997)e1 为了测定轮胎X射线成像系统识别能力的橡胶绳饼盘使用的标准实施规程
• ASTM D7434-08 测定托盘或成套负荷上被动式无线射频识别(RFID)应答器性能的标准试验方法
• ASTM F1035-03(2015) 为了测定轮胎X射线成像系统识别能力的橡胶绳饼盘使用的标准实施规程
• ASTM D6376-09 通过波长色散X射线荧光光谱法测定石油焦中微量金属的标准测试方法
• ASTM E3135-18 用模拟土壤测定载体上微生物紫外线杀菌辐射抗菌效果的标准实施规程
• ASTM D6376-10(2017)e1 通过波长色散X射线荧光光谱法测定石油焦中微量金属的标准测试方法
• ASTM E1588-20 通过扫描电子显微镜/能量色散X射线光谱法进行枪支残留分析的标准实践
• ASTM D5839-15 采用能量发散X射线荧光光谱法分析危险废油中微量元素的标准试验方法
• ASTM E280-98(2004)e1 在法医聚合物检验中使用扫描电子显微镜/能量色散X射线光谱（SEM/EDS）的标准指南
• ASTM E280-21 在法医聚合物检验中使用扫描电子显微镜/能量色散X射线光谱（SEM/EDS）的标准指南
• ASTM E2809-22 在法医聚合物检验中使用扫描电子显微镜/能量色散X射线光谱（SEM/EDS）的标准指南

AENOR，关于射线 微盘的标准

• UNE-EN 60856/A2:2000 预录光学反射视频磁盘系统“激光视觉”50 HZ/625 线 PAL
• UNE-EN 12543-5:2000 无损检测 无损检测中 UE 工业 X 射线系统焦斑的特性 第5部分：微型和微焦 X 射线管有效焦斑尺寸的测量
• UNE-EN 62037-6:2015 无源射频和微波设备，互调电平测量 第6部分：天线中无源互调的测量

国际标准化组织，关于射线 微盘的标准

• ISO/CD 19214:2023 微束分析 分析电子显微镜 透射电子显微镜测定线状晶体表观生长方向的方法
• ISO 17470:2004 微光束分析.电子探针显微分析.波长分散X射线光谱法分析质量点的指南
• ISO 17470:2014 微束分析. 电子探针微量分析. 用波长色散X射线光谱测定法定性点分析指南
• ISO 22489:2006 微光束分析.电子探针微量分析.运用波长色散X射线光谱测量法定量分析块状样品
• ISO 22489:2016 微光束分析.电子探针微量分析.运用波长色散X射线光谱测量法定量分析块状样品
• ISO 15632:2021 微光束分析.带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规范
• ISO 15632:2012 微光束分析.带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规范
• ISO 15632:2002 微光束分析.带半导体探测器的能量发散X射线分光仪的仪器规范
• ISO 23201:2015 主要用于铝生产的氧化铝. 微量元素的测定. 波长色散X射线荧光光谱法
• ISO 11452-5:2002 道路车辆.用窄带发射的电磁能量进行电干扰的元件试验方法.第5部分:微波带状线
• ISO 11452-5:1995 道路车辆.用窄带发射的电磁能量进行电子干扰.部件试验方法.第5部分:微波带状线

印度尼西亚标准，关于射线 微盘的标准

• SNI 04-6293-2000 50 Hz/625线PAL制式“激光视觉”预录光学反射录象盘系统

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于射线 微盘的标准

• GB 15208.2-2018 微剂量X射线安全检查设备 第2部分：透射式行包安全检查设备
• GB 15208.5-2018 微剂量X射线安全检查设备 第5部分：背散射物品安全检查设备
• GB 15208.3-2018 微剂量X射线安全检查设备 第3部分：透射式货物安全检查设备
• GB 15208.1-2018 微剂量X射线安全检查设备 第1部分：通用技术要求
• GB 15208.4-2018 微剂量X射线安全检查设备 第4部分：人体安全检查设备

(美国)海军，关于射线 微盘的标准

• NAVY MIL-A-17161 D-1985 无线电频率放射(微波吸收材料)吸收器总说明书

英国标准学会，关于射线 微盘的标准

• BS EN 60856:1993 预录光学反射视盘系统“激光视觉”50 Hz/625 线的规范 朋友
• BS ISO 15714:2019 管道内紫外线杀菌照射装置对空气中微生物的紫外线剂量评价方法
• 15/30292710 DC BS ISO 19214 透射电子显微镜测定线状晶体生长方向的指南
• BS ISO 20203:2005 用于生产铝的碳质材料 锻烧焦炭 X射线衍射法测定煅烧石油焦微晶尺寸
• BS EN 12543-5:1999 无损检验.无损检验用工业X射线系统的焦点特性.小型和微型聚焦X射线管有效焦点尺寸测量
• BS ISO 17470:2014 微束分析. 电子探针显微分析. 采用波长分散X射线光谱测定法的定性点分析指南
• BS EN 60835-2-1:1992 数字微波无线电发射系统设备测量方法.地面无线电中继系统测量方法.总则
• BS EN 60835-2-4:1993 数字微波无线电发射系统使用设备测量方法.地面无线电中继系统测量.发射机/接收机包括调制器/解调器
• BS ISO 22489:2007 微光束分析.电子探针微量分析.用波长色散X-射线光谱测量法作块状样品的定量点分析
• BS ISO 22489:2016 微光束分析.电子探针微量分析.用波长色散X-射线光谱测量法作块状样品的定量点分析
• BS DD ISO/TS 10798:2011 毫微技术.利用扫描电子显微镜和能量色散X射线光谱法分析得出单层碳纳米管的表示特征
• BS ISO 15632:2012 微束分析. 用于电子探针显微分析的能量分散X射线光谱仪规范和检查用所选仪器性能参数
• BS ISO 15632:2021 微束分析 用于电子探针显微分析的能量分散X射线光谱仪规范和检查用所选仪器性能参数
• BS EN 60835-3-1:1992 数字微波无线电发射系统使用设备测量方法.卫星地面站测量.总则
• BS EN IEC 62037-6:2022 跟踪更改 无源射频和微波器件、互调电平测量 天线无源互调的测量
• BS ISO 23201:2015 主要用于铝生产的氧化铝. 微量元素的测定. 波长色散X射线荧光光谱法
• 19/30394914 DC BS ISO 15632 微束分析 用于电子探针显微镜或电子探针微量分析仪(EPMA)的能量色散 X 射线光谱仪的规格和检查的选定仪器性能参数
• BS EN 60835-1-1:1992 数字微波无线电发射系统使设备测量方法.地面无线电中继系统和卫星地面站测量方法.总则
• BS ISO 12926:2012 工业用氟化铝 微量元素的测定 使用压粉片的波长色散 X 射线荧光光谱法
• BS EN 60835-2-3:1995 数字微波无线电传输系统中使用的设备的测量方法 地面无线电中继系统的测量 射频分支网络
• 20/30409226 DC BS EN IEC 62037-6 无源射频和微波器件、互调电平测量 第6部分：天线无源互调的测量
• DD ISO/TS 10798:2011 纳米技术 使用扫描电子显微镜和能量色散 X 射线光谱分析表征单壁碳纳米管
• BS ISO 12926:2013 工业用氟化铝.微量元素的测定.使用压制粉末药片的波长色散X射线荧光光谱法

欧洲电信标准协会，关于射线 微盘的标准

• ETSI TR 136 931-2012 LTE.演进的全球陆地无线接入(E-UTRA).LTE微微基站的无线射频(RF)要求 版本11.0.0. 3GPP TR 36.931 版本11.0.0 R11

工业和信息化部，关于射线 微盘的标准

• JB/T 13465-2018 无损检测 低功率微焦点X射线数字成像检测方法
• YD/T 2827.6-2015 无线通信射频和微波器件无源互调电平测量方法 第6部分：天线
• YD/T 2827.1-2015 无线通信射频和微波器件无源互调电平测量方法 第1部分：通用要求
• YD/T 2827.1-2020 无线通信射频和微波器件无源互调电平测量方法 第1部分：通用要求
• YD/T 2827.4-2015 无线通信射频和微波器件无源互调电平测量方法 第4部分：同轴电缆
• YD/T 2827.3-2015 无线通信射频和微波器件无源互调电平测量方法 第3部分：同轴连接器
• YD/T 2827.2-2015 无线通信射频和微波器件无源互调电平测量方法 第2部分：同轴电缆组件
• YD/T 2827.5-2015 无线通信射频和微波器件无源互调电平测量方法 第5部分：滤波器类器件

法国标准化协会，关于射线 微盘的标准

• NF X21-003:2006 微光束分析.电子探针显微分析.波长分布X射线光谱测量法定量分析指南
• NF X43-017:1984 空气质量 周围空气中固体微粒浓度的测定 Ｂ射线吸收法
• NF C90-302-3*NF EN 60835-2-3:1993 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第2部分：地面无线电中继系统的测量 第3节：射频分支网络
• NF X21-008:2012 微光束分析.带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规格
• NF X21-006:2007 微光束分析.电子探针微量分析.用波长色散X-射线光谱测量法进行块状样品的定量点分析
• NF C90-302-2*NF EN 60835-2-2:1994 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第2部分：陆地无线电中继系统的测量 第2节：天线
• NF C93-557-6*NF EN 62037-6:2014 无源射频和微波装置, 互调电平测量. 第6部分: 天线无源互调的测量
• NF C93-557-6*NF EN IEC 62037-6:2022 无源射频和微波设备，互调电平测量 第6部分：天线中无源互调的测量
• NF C90-303-2*NF EN 60835-3-2:1997 数字微波无线电传发射系统使用设备的测量方法 第3部分：卫星地面站的测量 第2节：天线
• NF C90-301-4*NF EN 60835-1-4:1996 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第1部分：地面无线电中继系统和卫星地面站的通用测量 第4节：发射性能
• NF C90-301-3*NF EN 60835-1-3:1996 数字微波无线电发射系统使用设备的测试方法 第1部分：地面无线电中继系统和卫星地面站的通用测量 第3节：发射特性
• NF C90-302-4*NF EN 60835-2-4:1996 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第2部分：陆地无线电中继系统的测量 第4节：发射机/接收机（包括调制器/解调器）
• NF C90-301-1*NF EN 60835-1-1:1993 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第1部分：陆地无线电中继系统的测量 第1节：总则
• NF C90-302-1*NF EN 60835-2-1:1993 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第2部分：地面无线电中继系统的测量 第1节：总则
• NF C90-303-11*NF EN 60835-3-11:1996 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第3部分：卫星地面站的测量 第11节：SCPC-PSK 发射服务信道设备
• NF C90-302-9*NF EN 60835-2-9:1996 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第2部分：陆地无线电中继系统的测量 第9节：服务信道
• FD T16-203:2011 纳米技术 使用扫描电子显微镜和能量色散 X 射线光谱分析法表征单壁碳纳米管
• NF C90-302-8*NF EN 60835-2-8:1993 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第2部分：地面无线电中继系统的测量 第8节：适配补偿器
• NF C90-302-6*NF EN 60835-2-6:1996 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第2部分：陆地无线电中继系统的测量方法 第6节：保护开关
• NF C90-302-10*NF EN 60835-2-10:1993 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法 第2部分：陆地无线电中继系统的测量 第10节：系统总性能

行业标准-电子，关于射线 微盘的标准

• SJ 50976/2-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插针接触件法兰安装微带接端射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 50976/3-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插孔接触件法兰安装开槽微带接端射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 2741-1987 数字无线电微波接力通信系统容量系列及射频波道配置
• SJ 50976/10-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插孔接触件法兰安装射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 50976/9-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插孔接触件尾端装接射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 50976/11-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插针接触件法兰安装射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 50976/6-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插孔接触件8孔表面装接射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 50976/7-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插针接触件8孔表面装接射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 50976/4-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插孔接触件(加长介质)法兰安装射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 50976/1-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插孔接触件法兰安装徽带接端射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 50976/5-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插针接触件(加长介质)法兰安装射频同轴插座连接器.详细规范
• SJ 50976/8-1995 SMA系列（带状线或微带传输线用)插孔接触件8孔表面装接直角射频同轴插座连接器.详细规范

澳大利亚标准协会，关于射线 微盘的标准

• AS 2879.7:1997(R2013) 氧化铝微量元素的测定波长色散X射线荧光光谱法

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc.，关于射线 微盘的标准

• ASHRAE OR-16-C031-2016 冷却盘管紫外线杀菌照射对能源使用相关影响的现场研究
• ASHRAE 185.2-2014 用于 HVAC&R 装置或空气管道的紫外线灯灭活照射表面微生物的测试方法

(美国)军事条例和规范，关于射线 微盘的标准

• ARMY MIL-PRF-39010/7 F-2008 既设可靠度和非既设可靠度微小型(粉末铁心)模塑无线射频固定线圈

KR-KS，关于射线 微盘的标准

• KS M ISO 20203-2016 铝生产用碳质材料煅烧焦炭用X射线衍射法测定煅烧石油焦的微晶尺寸
• KS D ISO 22489-2018 微束分析 - 电子探针微量分析 - 使用波长色散X射线光谱法的批量样品的定量点分析
• KS D ISO 22489-2018(2023) 微束分析.电子探针微量分析.用波长色散x射线光谱法对大块样品进行定量点分析
• KS D ISO 15632-2018 微束分析 - 用于电子探针微量分析的能量色散X射线光谱仪的规范和检查的选定仪器性能参数

IX-IX-IEC，关于射线 微盘的标准

• IEC TS 62607-6-17:2023 纳米制造 关键控制特性 第 6-17 部分：石墨烯基材料 阶参数：X 射线衍射和透射电子显微镜

TIA - Telecommunications Industry Association，关于射线 微盘的标准

• EIA-195-C ERTA-1987 地面微波中继系统天线和无源反射器的电气和机械特性
• EIA-195-C-1985 地面微波中继系统天线和无源反射器的电气和机械特性

广东省标准，关于射线 微盘的标准

• DB44/T 1216-2013 利用扫描电子显微术和X射线能谱法表征石墨烯的特性
• DB44/T 1215-2013 利用扫描电子显微术和X射线能谱法表征单壁碳纳米管的特性

GOSTR，关于射线 微盘的标准

• PNST 507-2020 纳米技术 单壁碳纳米管 使用透射电子显微镜和能量色散 X 射线光谱法进行表征
• PNST 508-2020 纳米技术 单壁碳纳米管 通过扫描电子显微镜和能量色散 X 射线光谱法表征

黑龙江省地方标准，关于射线 微盘的标准

• DB23/T 2489-2019 球化石墨中十种微量元素测定 波长色散 型X 射线荧光光谱法

欧洲电工标准化委员会，关于射线 微盘的标准

• EN 60856:1993 50Hz/625线预录式光反射视盘录象系统"激光视盘".PAL制 包含修改件A1-1993和A2-1997;IEC 856-1986/A1-1991+A2-1997;替代 HD 514 S1-1989
• EN 62037-6:2013 无源射频和微波设备，互调电平测量 第6部分：天线中无源互调的测量
• EN 60835-3-2:1996 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法.第3部分:卫星地面站的测量:天线(IEC 835-3-2-1995)

立陶宛标准局，关于射线 微盘的标准

• LST EN 12543-5-2001 无损检测 用于无损检测的工业 X 射线系统中焦点的特性 第5部分：小焦点和微焦点 X 射线管的有效焦点尺寸的测量

ES-UNE，关于射线 微盘的标准

• UNE-EN IEC 62037-6:2022 无源射频和微波设备 互调电平测量 第6部分：天线中无源互调的测量

BE-NBN，关于射线 微盘的标准

• NBN-EN 60835-2-1-1994 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法．第2部分：地面无线电中继系统的测量．第1项：概要
• NBN-EN 60835-2-8-1994 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法．第2部分：地面无线电中继系统的测量．第8项：适配补偿器
• NBN-EN 60835-2-3-1994 数字微波无线电发射系统使用设备的测量方法．第2部分：地面无线电中继系统的测量．第3项：RF分支网络

行业标准-有色金属，关于射线 微盘的标准

• YS/T 63.16-2006 铝用炭素材料检测方法　第16部分：微量元素的测定X射线荧光光谱分析方法

本站其他标准专题： 射线 微盘，a微盘，微盘 协议，光谱 微盘，手册 微盘，iso微盘，物理 微盘，微盘 闸，微盘 物理，能源微盘，化合微盘，物理微盘，微盘 电流，微盘 iec，层 微盘，术 微盘，微盘iso，标准 微盘，iso 微盘，iec 微盘。

 

可能用到的仪器设备