GB/T 26065-2010
硅单晶抛光试验片规范

Specification for polished test silicon wafers

GBT26065-2010, GB26065-2010

GB/T 26065-2010 发布历史

1.本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。 2.本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8mm～300mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。 3.对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI24《硅单晶优质抛光片规范》。

GB/T 26065-2010由国家质检总局 CN-GB 发布于 2011-01-10，并于 2011-10-01 实施。

GB/T 26065-2010 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 26065-2010 发布之时，引用了标准

• GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
• GB/T 12964 硅单晶抛光片*， 2018-09-17 更新
• GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
• GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
• GB/T 14140 硅片直径测量方法
• GB/T 14264 半导体材料术语
• GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法*， 2018-12-28 更新
• GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
• GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
• GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法*， 2018-09-17 更新
• GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划*， 2013-02-15 更新
• GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
• GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
• GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
• GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法
• GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
• GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法
• GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
• YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法*， 2016-07-11 更新

* 在 GB/T 26065-2010 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

GB/T 26065-2010的历代版本如下：

• 2011年 GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范

标准号

GB/T 26065-2010

别名

GBT26065-2010
GB26065-2010

发布

2011年

发布单位

国家质检总局

当前最新

GB/T 26065-2010

 

 

引用标准

ASTM F1526 GB/T 11073 GB/T 12964 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 1550 GB/T 1554 GB/T 1555 GB/T 1557 GB/T 2828.1 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6619 GB/T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 SEMI 24 YS/T 26