二次离子质谱 深度
本专题涉及二次离子质谱 深度的标准有28条。
国际标准分类中，二次离子质谱 深度涉及到分析化学、半导体材料。
在中国标准分类中，二次离子质谱 深度涉及到基础标准与通用方法、电子光学与其他物理光学仪器、化学助剂基础标准与通用方法、化学、半金属与半导体材料综合、光学计量仪器。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于二次离子质谱 深度的标准
- GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
- GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
国家质检总局，关于二次离子质谱 深度的标准
- GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法
- GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
英国标准学会，关于二次离子质谱 深度的标准
- BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- BS ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法
- BS ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法
- BS ISO 20341-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
国际标准化组织，关于二次离子质谱 深度的标准
- ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
- ISO 20341-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
日本工业标准调查会，关于二次离子质谱 深度的标准
- JIS K0169-2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法
- JIS K0169-2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法
法国标准化协会，关于二次离子质谱 深度的标准
- NF X21-066-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层参考物质对硅进行深度校准的方法
美国材料与试验协会，关于二次离子质谱 深度的标准
- ASTM E1162-2006 报告次级离子质谱法(SIMS)中溅射深度截面数据的标准实施规程
- ASTM E1438-2006 用次级离子质谱法(SIMS)测量深度掺杂分布界面宽度标准指南
- ASTM E1438-1991(2001) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
- ASTM E1438-1991(1996) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
- ASTM E1162-1987(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
- ASTM E1162-1987(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
韩国标准，关于二次离子质谱 深度的标准
- KS D ISO 20341-2005 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
- KS D ISO 20341-2005 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
澳大利亚标准协会，关于二次离子质谱 深度的标准
- AS ISO 17560-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
- AS ISO 17560-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
