EN
RU
ES
二次离子质谱b
本专题涉及二次离子质谱b的标准有131条。
国际标准分类中，二次离子质谱b涉及到分析化学、半导体材料、金属材料试验、半导体分立器件、食品试验和分析的一般方法、微生物学、空气质量、水质、光学和光学测量、核能工程。
在中国标准分类中，二次离子质谱b涉及到基础标准与通用方法、元素半导体材料、半金属及半导体材料分析方法、光学计量仪器、半金属与半导体材料综合、电子光学与其他物理光学仪器、、化学、表面活性剂、食品卫生、基础学科综合、污染物排放综合、固体废弃物、土壤及其他环境要素采样方法、水环境有毒害物质分析方法、化学助剂基础标准与通用方法。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于二次离子质谱b的标准
- GB/T 40129-2021 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪质量标校准
- GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
- GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
国际标准化组织，关于二次离子质谱b的标准
- ISO 13084:2018 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 用于飞行时间二次离子质谱仪的质谱的校准
- ISO 13084:2011 表面化学分析.二次离子质谱分析法.飞行时间二次离子质谱仪用质量标度的校准
- ISO 20411:2018 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数动态二次离子光谱法中饱和强度的校正方法
- ISO/TS 22933:2022 表面化学分析.二次离子质谱法.模拟离子质谱中质量分辨率的测量方法
- ISO 22048:2004 表面化学分析——静态二次离子质谱信息格式
- ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- ISO 14237:2000 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- ISO 178:1975 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- ISO 17862:2013 表面化学分析——二次离子质谱法——单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- ISO 178:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- ISO 17862:2022 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO 23830:2008 表面化学分析.次级离子质谱测定法.静态次级离子质谱测定法中相对强度数值范围的重复性和稳定性
- ISO 18114:2003 表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样中的相对灵敏度系数
- ISO 18114:2021 表面化学分析. 次级离子质谱法. 测定离子注入标样中的相对灵敏度系数
- ISO 17109:2022 表面化学分析.深度剖面.用单层和多层薄膜在X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中测定溅射速率的方法
- ISO 11632:1998 固定源排放 二氧化硫质量浓度的测定 离子色谱法
- ISO 22415:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.有机材料氩团簇溅射深度剖面测定屈服体积的方法
- ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
英国标准学会，关于二次离子质谱b的标准
- BS ISO 13084:2011 表面化学分析.二次离子质谱.飞行时间二次离子质谱用质量标度的校准
- BS ISO 20411:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数动态二次离子质谱饱和强度校正方法
- BS ISO 13084:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析 飞行时间二次离子质谱仪的质量标度校准
- BS ISO 22048:2004 表面化学分析 静态二次离子质谱的信息格式
- BS ISO 18114:2021 表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定
- BS ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- 20/30409889 DC BS ISO 18114 表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定
- BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 17862:2022 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- BS ISO 23830:2008 表面化学分析.次级离子质谱法.静态次级离子质谱法中相对强度数值范围的重复性和稳定性
- 20/30409963 DC BS ISO 17862 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- BS ISO 18114:2003 表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样的相对灵敏系数
- BS ISO 22048:2005 表面化学分析.静态次生离子质谱法的信息格式
- BS ISO 17862:2013 表面化学分析.次级离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析器强度标的线性
- BS ISO 11632:1998 固定源辐射.二氧化硫质量浓厚的测定.离子色谱法
- BS ISO 22415:2019 表面化学分析 二次离子质谱分析 有机材料氩簇溅射深度剖析中产量体积的测定方法
- BS ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- BS ISO 17109:2022 表面化学分析 深度剖析 使用单层和多层薄膜的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率的测定方法...
- 21/30433862 DC BS ISO 17109 AMD1 表面化学分析 深度剖析 使用单一和……的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率测定方法
日本工业标准调查会，关于二次离子质谱b的标准
- JIS K 0157:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 渡越时间二次离子质谱仪的质量标度的校准
- JIS K 0158:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 单离子计数动态二次离子质谱法中饱和强度的校正方法
- JIS K 0153:2015 表面化学分析. 二次离子质谱法. 静态二次离子质谱法中相对强度范围的重复性和稳定性
- JIS K 0168:2011 表面化学分析.静态二次离子质谱法用信息格式
- JIS K 0164:2023 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度分析方法
- JIS K 0155:2018 表面化学分析 二次离子质谱法 单离子计数时间飞行质量分析仪中强度刻度的线性度
- JIS K 0143:2023 表面化学分析-二次离子质谱-使用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
- JIS K 0156:2018 表面化学分析-二次离子质谱法-使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
- JIS K 0163:2010 表面化学分析.次级离子质谱法.离子注入标样中相对灵敏度系数的测定
- JIS K 0169:2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法
- JIS K 0143:2000 表面化学分析.次级离子质谱法.利用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
法国标准化协会，关于二次离子质谱b的标准
- NF ISO 23830:2009 表面化学分析 二次离子质谱 二次离子静态质谱中相对强度标度的重复性和稳定性
- NF X21-070*NF ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度.
- NF X21-064*NF ISO 23830:2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.静态次级离子质谱测定法中相对强度数值范围的重复性和稳定性
- NF ISO 14237:2010 表面化学分析 二次离子质谱分析 使用均匀掺杂材料的硅中硼原子的剂量
- NF ISO 17560:2006 表面化学分析 二次离子质谱分析 通过厚度分析确定硅中硼的剂量
- NF ISO 23812:2009 表面化学分析 二次离子质谱 使用多三角层状参比材料的硅深度校准方法
- NF X43-338*NF ISO 11632:1998 固定源辐射 二氧化硫质量浓缩的测定 离子色谱法
国家质检总局，关于二次离子质谱b的标准
- GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 25186-2010 表面化学分析.二次离子质谱.由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子
- GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
- GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
- GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法
- GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法
美国材料与试验协会，关于二次离子质谱b的标准
- ASTM E1504-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程
- ASTM E1162-87(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
- ASTM E1162-87(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
- ASTM E2695-09 用飞行时间二次离子质谱法说明质谱数据获取的标准指南
- ASTM E1635-95(2000) 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程
- ASTM E1635-06(2019) 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程
- ASTM E1504-92(1996) 次级离子质谱(SIMS)测定中质谱数据报告的标准规范
- ASTM E1504-92(2001) 次级离子质谱(SIMS)测定中质谱数据报告的标准规范
- ASTM E1504-06 次级离子质谱法(SIMS)中质谱数据报告的标准实施规程
- ASTM E1504-11 次级离子质谱分析法中报告质谱数据的标准操作规程
- ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
- ASTM E1635-06(2011) 次级离子质谱法(SIMS)成像数据报告标准规程
- ASTM E1635-06 报告次级离子质谱法(SIMS)成像数据用标准实施规程
- ASTM E1881-12 用次级离子质谱法 (SIMS) 对细胞培养分析的标准指南
- ASTM E1438-91(2001) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
- ASTM E1438-91(1996) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
- ASTM E1881-06 用次级离子质谱法(SIMS)进行细胞培养分析的标准指南
- ASTM E1438-06 用次级离子质谱法(SIMS)测量深度掺杂分布界面宽度标准指南
- ASTM F1366-92(1997)e1 用次级离子质谱仪测量重掺杂硅基底中氧含量的测试方法
- ASTM E1880-06 用次级离子质谱法(SIMS)进行组织低温截面分析的标准实施规程
- ASTM E1880-12 用次级离子质谱法 (SIMS) 进行组织低温截面分析的标准实施规程
- ASTM E1162-06 报告次级离子质谱法(SIMS)中溅射深度截面数据的标准实施规程
- ASTM C1287-95(2001) 用电感耦合等离子体质谱法测定二氧化铀中杂质的标准试验方法
- ASTM E1162-11 报告次级离子质谱分析法(SIMS)中溅深深度文件数据的标准操作规程
行业标准-电子，关于二次离子质谱b的标准
- SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
- SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
韩国科技标准局，关于二次离子质谱b的标准
- KS D ISO 22048-2005(2020) 表面化学分析 - 静态二次离子质谱的信息格式
- KS D ISO 18114-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法离子注入标准物质相对灵敏度因子的测定
- KS D ISO 20341-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法用多δ层标准物质估算深度分辨参数的方法
- KS D ISO 22048:2005 表面化学分析.静态次生离子质谱法的信息格式
- KS D ISO 18114:2005 表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样中的相对灵敏度系数
- KS I ISO 11632:2004 固定源排放.二氧化硫质量浓度的测定.离子色谱法
- KS I ISO 11632:2014 固定源排放 二氧化硫质量浓度的测定 离子色谱法
- KS I ISO 11632-2014(2019) 固定源排放 - 二氧化硫质量浓度的测定 - 离子色谱法
- KS I ISO 10304-4:2008 水质.离子色谱法测定溶解性阴离子.第4部分.轻度污染水质中氯酸盐、氯化物、次氯酸盐的测定
- KS D ISO 17560-2003(2018) 表面化学分析-二次离子质量分析-硅内硼深度分布测量方法
- KS D ISO 14237-2003(2018) 表面下学分析-二次离子质量分析-硅内均匀添加的硼原子浓度的测量方法
- KS D ISO 14237:2003 表面化学分析.次级离子质谱法.使用非均一掺杂材料的硅中硼原子的浓度测定
未注明发布机构，关于二次离子质谱b的标准
- BS ISO 22048:2004(2005) 表面化学分析静态二次离子质谱的信息格式
- BS ISO 20341:2003(2010) 表面化学分析 二次离子质谱 多δ层参考材料估计深度分辨率参数的方法
- BS ISO 11632:1998(1999) 固定源排放 二氧化硫质量浓度的测定 离子色谱法
中国团体标准，关于二次离子质谱b的标准
- T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
- T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
KR-KS，关于二次离子质谱b的标准
- KS D ISO 17560-2003(2023) 表面化学分析-二次离子质谱分析-硅内硼深度分布测定场法
- KS D ISO 14237-2003(2023) 表面下学分析-二次离子质谱分析-硅内均匀添加硼原子浓度的测定方法
行业标准-农业，关于二次离子质谱b的标准
- 781兽药典 一部-2015 附录目次0400 光谱法0412 电感耦合等离子体质谱法
- 775兽药典 二部-2015 附录目次 0400 光谱法 0411 电感耦合等离子体质谱法
国家质量监督检验检疫总局，关于二次离子质谱b的标准
- SN/T 4585-2016 出口食品中甲基砷酸、二甲次胂酸残留量的测定 液相色谱-电感耦合等离子体质谱法
澳大利亚标准协会，关于二次离子质谱b的标准
- AS ISO 22048:2006 表面化学分析．静止次级离子质谱测量法用信息格式
- AS ISO 18114:2006 表面化学分析．次级离子质谱法．植入离子的参考材料的相对灵敏系数的测定
- AS ISO 17560:2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
VN-TCVN，关于二次离子质谱b的标准
- TCVN 6750-2000 固定源排放.二氧化硫质量浓度的测定.离子色谱法
AENOR，关于二次离子质谱b的标准
- UNE 77226:1999 固定源排放 二氧化硫质量浓度的测定 离子色谱法
丹麦标准化协会，关于二次离子质谱b的标准
- DS/ISO 11632:1998 固定源排放二氧化硫质量浓度的测定离子色谱法
行业标准-有色金属，关于二次离子质谱b的标准
- YS/T 980-2014 高纯三氧化二镓杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
欧洲标准化委员会，关于二次离子质谱b的标准
- EN ISO 10304-4:2022 水质.用液态离子色谱法测定已溶解的阴离子.第4部分:轻度污染水质中氯酸盐,氯化物,次氯酸盐的测定
- EN ISO 10304-2:1996 水质.用液态离子色谱法测定已溶解的阴离子.第2部分:轻度污染水质中氯酸盐,氯化物,次氯酸盐的测定 ISO 10304-4-1997
- EN ISO 10304-4:1999 水质.用液态离子色谱法测定已溶解的阴离子.第4部分:轻度污染水质中氯酸盐,氯化物,次氯酸盐的测定 ISO 10304-4-1997
