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DE效应
本专题涉及效应的标准有500条。
国际标准分类中,效应涉及到事故和灾害控制、金属材料试验、光纤通信、涂料和清漆、分析化学、电击防护、光学和光学测量、橡胶、词汇、电磁兼容性(EMC)、电气工程综合、石蜡、沥青材料和其他石油产品、热力学和温度测量、耐火材料、纸和纸板、水质、化工产品、造船和海上构筑物综合、有色金属产品、质量、机器、装置、设备的特性和设计、航空器和航天器综合、家用、商用和工业用加热器具、半导体分立器件、纺织产品、建筑物中的设施、建筑材料、机上设备和仪器、电学、磁学、电和磁的测量、输电网和配电网、航空航天制造用材料、空气质量、医学科学和保健装置综合、机床、环境保护、地质学、气象学、水文学、润滑剂、工业油及相关产品、电工器件、起重设备、核能工程、铺地非织物、涂料涂覆设备、通风机、风扇、空调器、防护设备、塑料、服装、航空航天用电气设备和系统、建筑物结构、结构和结构元件、流体存储装置、危险品防护、珠宝、生物学、植物学、动物学、公司(企业)的组织和管理、电子元器件综合、办公机械、肉、肉制品和其他动物类食品、航道和港口建筑、太阳能工程、电子设备用机械构件、电信系统、电线和电缆、振动、冲击和振动测量、热泵、道路工程。
在中国标准分类中,效应涉及到卫生、安全、劳动保护、测磁仪器、金属物理性能试验方法、光通信设备、、化学、基础标准和通用方法、光学计量仪器、电磁兼容、石油沥青、耐火材料综合、涂料、纺织检测仪器、纸浆与纸板、水处理剂、物理学与力学、船舶电气、观通、导航设备综合、学校专用设备、人类工效学、轻金属及其合金、可靠性和可维护性、航空、航天材料基础标准、标准化、质量管理、供热器材设备、场效应器件、基础标准与通用方法、供水、排水器材设备、涂料基础标准与通用方法、通用电子测量仪器设备及系统、纺织机械与器具综合、航空与航天用金属铸锻材料、半导体二极管、大气、水、土壤环境质量标准、卫生综合、机床综合、气象学、润滑脂、电力半导体器件、部件、起重机械、核反应堆与核电厂核岛设备、合成橡胶基础标准与通用方法、装修材料、复合材料与固体燃料、通用核仪器、其他非金属矿、环境条件、劳动防护用品、电力综合、土壤、肥料综合、肥料与土壤调理剂、橡胶制品综合、专业环境质量标准、技术管理、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、电气系统与设备、合成树脂、塑料、起飞着陆装置、油罐汽车、半导体三极管、微电路综合、电磁计量、合成材料综合、天然气、文具、绘图仪器、簿册、卡片、化工原料矿、卫星通信设备、太阳能、半导体分立器件综合、半导体集成电路、基础学科综合、其他纺织制品、通信网技术体制、通信线路设备、电缆及其附件、电子元器件、计量综合、服装、服饰品、通风、空调工程。
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会,关于效应的标准
HU-MSZT,关于效应的标准
行业标准-机械,关于效应的标准
行业标准-有色金属,关于效应的标准
YU-JUS,关于效应的标准
国家军用标准-总装备部,关于效应的标准
美国电信工业协会,关于效应的标准
英国标准学会,关于效应的标准
中国团体标准,关于效应的标准
美国材料与试验协会,关于效应的标准
TR-TSE,关于效应的标准
丹麦标准化协会,关于效应的标准
美国照明工程协会,关于效应的标准
RU-GOST R,关于效应的标准
国际电工委员会,关于效应的标准
德国标准化学会,关于效应的标准
国家质检总局,关于效应的标准
ZA-SANS,关于效应的标准
RO-ASRO,关于效应的标准
澳大利亚标准协会,关于效应的标准
国家计量技术规范,关于效应的标准
(美国)空军,关于效应的标准
法国标准化协会,关于效应的标准
美国国家标准学会,关于效应的标准
API - American Petroleum Institute,关于效应的标准
ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc.,关于效应的标准
行业标准-船舶,关于效应的标准
行业标准-教育,关于效应的标准
未注明发布机构,关于效应的标准
IEC - International Electrotechnical Commission,关于效应的标准
CZ-CSN,关于效应的标准
(美国)军事条例和规范,关于效应的标准
(美国)海军,关于效应的标准
行业标准-电子,关于效应的标准
行业标准-纺织,关于效应的标准
欧洲标准化委员会,关于效应的标准
韩国科技标准局,关于效应的标准
立陶宛标准局,关于效应的标准
AT-ON,关于效应的标准
AENOR,关于效应的标准
KR-KS,关于效应的标准
行业标准-航天,关于效应的标准
国际标准化组织,关于效应的标准
(美国)固态技术协会,隶属EIA,关于效应的标准
国家计量检定规程,关于效应的标准
ES-UNE,关于效应的标准
中国轻工总会,关于效应的标准
VN-TCVN,关于效应的标准
美国宇航局,关于效应的标准
行业标准-卫生,关于效应的标准
日本工业标准调查会,关于效应的标准
福建省地方标准,关于效应的标准
中国气象局,关于效应的标准
国家卫生健康委员会,关于效应的标准
SAE - SAE International,关于效应的标准
行业标准-能源,关于效应的标准
行业标准-核工业,关于效应的标准
欧洲航空工业协会,关于效应的标准
IET - Institution of Engineering and Technology,关于效应的标准
行业标准-地质,关于效应的标准
美国混凝土学会,关于效应的标准
VDI - Verein Deutscher Ingenieure,关于效应的标准
ESDU - Engineering Sciences Data Unit,关于效应的标准
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于效应的标准
湖北省地方标准,关于效应的标准
行业标准-农业,关于效应的标准
PL-PKN,关于效应的标准
广东省标准,关于效应的标准
河北省标准,关于效应的标准
陕西省标准,关于效应的标准
美国焊接协会,关于效应的标准
WRC - Welding Research Council,关于效应的标准
美国国防后勤局,关于效应的标准
- DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 半导体器件,场效应抗辐射晶体管,N 沟道,硅,2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型(总剂量和单事件效应),JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 半导体器件,场效应抗辐射晶体管,N 沟道,硅,2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型(总剂量和单事件效应),JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 半导体器件,场效应抗辐射晶体管,N 沟道,硅,2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型(总剂量和单事件效应),JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 半导体器件.N-通道场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)硅晶体管.型号:2N7485U3,2N7486U3和2N7487U3,JANTXVR和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 半导体器件、晶体管、场效应、硅、N 沟道、抗辐射(总剂量和单事件效应),类型 2N7472U2、2N7473U2 和 2N7474U2,JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,P 沟道硅,类型 2N7403 和 2N7404,JANSD 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单粒子效应)晶体管,P 沟道硅类型 2N7438 和 2N7439 JANSD 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件,场效应抗辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N 沟道,硅类型 2N7497T2、2N7498T2 和 2N7499T2,JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 2N7292,2N7294,2N7296,和2N7298,JANTXVM,D,R,H 和JANSM,D和R型硅N通道耐辐射(仅总计量效应)场效应晶体管半导体装置
- DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3,JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/752-2010 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射(总剂量和单事件效应)、逻辑级硅、2N7608T2 型、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3,JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅类型 2N7488T3、2N7489T3 和 2N7490T3,JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/749-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道抗辐射(总剂量和单事件效应)、硅、2N7506U8 和 2N7506U8C 型、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2,JANTXVR,F,G和H 和JANSR,F,G和H型耐辐射N通道场效应晶体管(总剂量和单粒子效应)半导体装置
- DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半导体装置,场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N通道,硅,型号2N7504T2,JANTXVR,JANTXVF,JANTXVG,JANTXVH,JANSF,JANSG,JANSR和JANSH
- DLA MIL-PRF-19500/744-2008 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射(总剂量和单事件效应)、逻辑级硅、类型 2N7616UB、2N7616UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道硅,类型 2N7509、2N7510 和 2N7511,JANTXVD,R 和 JANSD,R
- DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单粒子效应)晶体管,N 沟道硅类型 2N7512、2N7513 和 2N7514 JANTXVD、R 和 JANSD、R
- DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单粒子效应)晶体管,N 沟道硅,类型 2N7509、2N7510 和 2N7511,JANTXVD,R 和 JANSD,R
- DLA MIL-PRF-19500/745-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射(总剂量和单事件效应)、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射(总剂量和单事件效应)、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、抗辐射(总剂量和单事件效应)类型 2N7467U2、JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
- DLA MIL-PRF-19500/753-2008 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7580T1、2N7582T1、2N7584T1 和 2N7586T1,JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/755-2010 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7588T3、2N7590T3、2N7592T3 和 2N7594T3,JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/733 B-2010 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,P 沟道,硅,类型 2N7523T1、2N7523U2、2N7524T1 和 2N7524U2,JANTXVR,F 和 JANSR,F
- DLA MIL-PRF-19500/713 B-2010 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,P 沟道,硅,类型 2N7549T1、2N7549U2、2N7550T1 和 2N7550U2,JANTXVR,F 和 JANSR,F
- DLA MIL-PRF-19500/753 B-2013 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7580T1、2N7582T1、2N7584T1 和 2N7586T1,JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 半导体器件、场效应、抗辐射(总剂量和单事件效应)晶体管芯片、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC
- DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射(总剂量和单事件效应)、逻辑级硅、类型 2N7624U3 和 2N7625T3、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应、抗辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管管芯、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC
- DLA SMD-5962-89659-1990 场效应晶体管缓冲器线性混合微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/732 A-2008 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,P 沟道,硅,类型 2N7519U3、2N7519U3C、2N7519T3、2N7520U3、2N7520U3C 和 2N7520T3 , JANTXVR, F 和 JANSR, F
- DLA MIL-PRF-19500/743-2008 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7503U8 和 2N7503U8C,JANTXVR,F 和 G 以及 JANSR,F 和 G
- DLA MIL-PRF-19500/746-2008 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7587U3、2N7587U3C、2N7589U3、2N7589U3C、2N7591U3、2N7591U3C, 2N7593U3、2N7593U3C、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/697 C (1)-2009 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7478T1,JANTXVR,F、G 和 H 以及 JANSR,F、G 和 H
- DLA MIL-PRF-19500/758-2010 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7609U8 和 2N7609U8C,JANTXVR,F 和 G 以及 JANSR,F 和 G
- DLA MIL-PRF-19500/697 D-2011 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7478T1,JANTXVR,F、G 和 H 以及 JANSR,F、G 和 H
- DLA MIL-PRF-19500/746 B-2011 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7587U3、2N7587U3C、2N7589U3、2N7589U3C、2N7591U3、2N7591U3C, 2N7593U3、2N7593U3C、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/655 E-2012 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,P 沟道硅,类型 2N7424U、2N7425U 和 2N7426U,JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
- DLA MIL-PRF-19500/697 E-2013 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)晶体管,N 沟道,硅,类型 2N7478T1,JANTXVR,F、G 和 H 以及 JANSR,F、G 和 H
BE-NBN,关于效应的标准
美国机动车工程师协会,关于效应的标准
NATO - North Atlantic Treaty Organization,关于效应的标准
FI-SFS,关于效应的标准
行业标准-商品检验,关于效应的标准
AGMA - American Gear Manufacturers Association,关于效应的标准
ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector,关于效应的标准
国际电信联盟,关于效应的标准
ACI - American Concrete Institute,关于效应的标准
TH-TISI,关于效应的标准
CEN - European Committee for Standardization,关于效应的标准
美国电气电子工程师学会,关于效应的标准
GB-REG,关于效应的标准
行业标准-烟草,关于效应的标准
国家质量监督检验检疫总局,关于效应的标准
德国机械工程师协会,关于效应的标准
安徽省标准,关于效应的标准