ASTM F1392-00
用带汞探针的容量-电压测量法测定硅晶片中净载流子密度分布的标准试验方法

Standard Test Method for Determining Net Carrier Density Profiles in Silicon Wafers by Capacitance-Voltage Measurements With a Mercury Probe


ASTM F1392-00

标准号
ASTM F1392-00
发布
2000年
发布单位
美国材料与试验协会
替代标准
ASTM F1392-02
当前最新
ASTM F1392-02
 
 
引用标准
ASTM D4356 ASTM D5127 ASTM E691 ASTM F1153 ASTM F1241 ASTM F26 ASTM F419 ASTM F42 ASTM F672 ASTM F723 ASTM F81 ASTM F84
1.1本测试方法涵盖了外延和抛光体硅晶片中净载流子密度和净载流子密度分布的测量,其范围为约4 X 10 13 至约8 X 10 16 载流子/cm(电阻率范围为约0.1至约100) Ωcm 型晶片和约0.24至约330Ωcm 型晶片。 1.2 该测试方法需要形成肖特基势垒二极管,并用汞探针接触外延或抛光晶片表面。可能需要对硅表面进行化学处理才能生产可靠的肖特...

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