半导体 性能
本专题涉及半导体 性能的标准有108条。
国际标准分类中，半导体 性能涉及到陶瓷、半导体分立器件、分析化学、光纤通信、表面处理和镀涂、纺织产品、环境试验、电子电信设备用机电元件、集成电路、微电子学。
在中国标准分类中，半导体 性能涉及到特种陶瓷、微电路、半导体分立器件综合、供气器材设备、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、光通信设备、连接器、基础标准与通用方法、物性分析仪器、催化剂、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品综合、半导体三极管、膜集成电路、混合集成电路、半导体集成电路、电力半导体器件、部件。
法国标准化协会，关于半导体 性能的标准
- NF B44-101-4-2021 精细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第4部分: 甲醛的清除
- NF B44-101-5-2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
- NF C46-251-7-2014 气体分析仪性能表示. 第7部分: 可调半导体激光器气体分析仪
- NF B44-101-4-2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 - 第4部分: 甲醛的清除
- NF B44-101-5-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲硫醇的清除
- NF C96-050-8-2011 半导体装置.微机电装置.第8部分:用钢带弯曲试验法测量薄膜的拉伸性能.
- NF C96-022-19/A1-2011 半导体装置抗机械及气候影响性能的测试方法.第19部分:晶片抗切强度.
国际标准化组织，关于半导体 性能的标准
- ISO 22197-4:2021 精细陶瓷（高级陶瓷 高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第4部分:去除甲醛
- ISO 22197-5:2021 精细陶瓷（高级陶瓷 高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气纯化性能测试方法 - 第5部分:去除甲硫醇
- ISO 22197-5-2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
- ISO 22197-4-2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲醛的清除
- ISO 22197-3-2019 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯
- ISO 22197-2-2019 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
- ISO 22601-2019 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.通过定量分析总有机碳（TOC）测定半导体光催化材料苯酚氧化分解性能的试验方法
- ISO 17168-5:2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第5部分:去除甲硫醇
- ISO 17168-3:2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯
- ISO 17168-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第1部分:去除一氧化氮
- ISO 17168-4:2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第4部分:去除甲醛
- ISO 19810-2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料自清洁性能的试验方法. 水接触角测量
- ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能试验方法. 第1部分: 一氧化氮净化
- ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能试验方法. 第1部分: 一氧化氮净化
- ISO 18560-1:2014 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工艺陶瓷） - 室内照明环境下用试验箱法测定半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 - 第1部分:甲醛去除率
- ISO 17299-5:2014 纺织及印刷业;；除臭剂性能的测定第5部分:金属氧化物半导体传感器法
- ISO 17299-5-2014 纺织品. 除臭性能的测定. 第5部分: 金属氧化物半导体传感器法
- ISO 22197-4:2013 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料空气净化性能试验方法第4部分:甲醛的去除
- ISO 22197-5:2013 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料空气净化性能试验方法第5部分:甲硫醇的去除
- ISO 22197-5-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲硫醇的清除
- ISO 22197-4-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲醛的清除
- ISO 22197-3-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第3部分:甲苯的清除
- ISO 22197-2-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第2部分:乙醛的清除
- ISO 22197-3:2011 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料空气净化性能试验方法第3部分:甲苯的去除
- ISO 22197-2:2011 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料空气净化性能试验方法第2部分:乙醛的去除
- ISO 10676-2010 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
- ISO 10676:2010 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——通过测定活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
- ISO 27448:2009 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料自清洁性能的试验方法——水接触角的测量
- ISO 22197-1-2007 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
，关于半导体 性能的标准
- STAS 6693/2-1975 半导体设备．晶体管．电子性能测试方法
国际电工委员会，关于半导体 性能的标准
- IEC 60747-14-10-2019 半导体器件.第14-10部分:半导体传感器.可穿戴葡萄糖传感器的性能评估方法
- IEC 62047-28:2017 半导体器件 - 微机电器件 - 第28部分:振动驱动MEMS驻极体能量收集装置的性能测试方法
- IEC 62047-28-2017 半导体器件. 微型机电装置. 第28部分: 振动驱动MEMS驻极体能量采集设备的性能试验方法
- IEC 62779-2-2016 半导体器件 - 用于人体通信的半导体接口 - 第2部分:接口性能的表征
- IEC 61207-7 CORR 1-2015 气体分析仪性能表示. 第7部分: 可调半导体激光器气体分析仪; 勘误表1
- IEC 62149-8:2014 光纤有源元件和器件 - 性能标准 - 第8部分:种子反射半导体光放大器器件
- IEC 62149-9:2014 光纤有源元件和器件性能标准第9部分:种子反射半导体光放大器收发器
- IEC 62149-8-2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第8部分: 晶种反射半导体光放大器设备
- IEC 62149-9-2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第9部分: 晶种反射半导体光放大器收发器
- IEC 61207-7:2013 气体分析仪性能表示第7部分:可调半导体激光气体分析仪
- IEC 61207-7-2013 气体分析器性能表示. 第7部分: 可调谐半导体激光气体分析器
- IEC 62047-8:2011 半导体器件 - 微机电器件 - 第8部分:用于薄膜拉伸性能测量的带钢弯曲试验方法
- IEC 60748-22-1-1991 半导体器件.集成电路.第22部分第1节:符合性能审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路空白详细规范
- IEC 60146-4-1986 半导体变流器.第4部分:不间断电力系统性能和试验要求的规定方法
英国标准学会，关于半导体 性能的标准
- BS ISO 19810-2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料自清洁性能的试验方法. 水接触角测量
- BS ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
- BS ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
- BS EN 62149-9-2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 晶种反射半导体光学放大器收发器
- BS EN 62149-8-2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 晶种反射半导体光学放大器设备
- BS EN 62149-8-2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 晶种反射半导体光学放大器设备
- BS EN 62149-9-2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 晶种反射半导体光学放大器收发器
- BS PD CEN/TS 16599-2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
- BS EN 61207-7-2014 气体分析仪性能表示. 可调半导体激光器气体分析仪
- BS EN 61207-7-2014 气体分析仪性能表示. 可调半导体激光器气体分析仪
- BS EN 61207-7-2013 气体分析器性能表示. 可调谐半导体激光气体分析器
- BS ISO 22197-4-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲醛的清除
- BS ISO 22197-5-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲硫醇的清除
- BS ISO 22197-4-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲醛的清除
- BS ISO 22197-5-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲硫醇的清除
- BS EN 62047-8-2011 半导体装置.微电机装置.薄膜拉伸性能测量用带材弯曲试验方法
- BS ISO 22197-3-2011 精制陶瓷(优质陶器,先进工艺陶器).半导体光催化材料的空气净化性能试验方法.甲苯的移除
- BS ISO 22197-2-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 乙醛的脱除
- BS ISO 22197-3-2011 精制陶瓷(优质陶器,先进工艺陶器).半导体光催化材料的空气净化性能试验方法.甲苯的移除
- BS ISO 22197-2-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 乙醛的脱除
- BS ISO 10676-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用形成活性氧的能力测量半导体光催化材料的水净化性能的试验方法
- BS ISO 10676-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用形成活性氧的能力测量半导体光催化材料的水净化性能的试验方法
- BS ISO 27448-2009 细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的自洁性能用试验方法.水接触角度的测量
- BS ISO 27448-2009 细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的自洁性能用试验方法.水接触角度的测量
- BS ISO 22197-1-2008 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
- BS QC 760200-1997 电子元件质量评定协调体系.半导体装置.集成电路.薄膜集成电路和混合薄膜集成电路分规范:性能认可
- BS QC 760201-1997 电子元器件质量评定协调体系.半导体装置.集成电路.空白详细规范.薄膜和混合集成电路:性能认可
- BS EN 62779-2-2016 半导体器件. 人体沟通的半导体界面. 界面连接性能的特征描述
德国标准化学会，关于半导体 性能的标准
- DIN EN 62779-2-2017 半导体器件.人体沟通的半导体界面.第2部分:界面连接性能的特征描述(IEC 62779-2-2016);德文版本EN 62779-2-2016
- DIN ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除(ISO 22197-1-2007)
- DIN EN 61207-7-2015 气体分析器性能表示.第7部分:可调谐半导体激光气体分析器(IEC 61207-7-2013);德文版本EN 61207-7-2013
- DIN EN 62149-9-2015 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第9部分: 晶种反射半导体光放大器收发器 (IEC 62149-9-2014); 德文版本EN 62149-9-2014
- DIN EN 62149-8-2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第8部分: 晶种反射半导体光放大器设备 (IEC 62149-8-2014); 德文版本EN 62149-8-2014
- DIN EN 62047-8-2011 半导体设备.微机电设备.第8部分:薄膜拉伸性能测量用带弯曲试验方法(IEC 62047-8-2011).德文版 EN 62047-8-2011
欧洲标准化委员会，关于半导体 性能的标准
- CEN/TS 16599-2014 光催化.半导体材料光催化性能的辐照条件及这些条件的测定
韩国标准，关于半导体 性能的标准
- KS L ISO 10676-2012 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
- KS L ISO 22197-1-2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
- KS L ISO 22197-1-2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
- KS C 6049-1980 半导体集成电路试验法和耐久性能试验方法
- KS C 6049-1980 半导体集成电路试验法和耐久性能试验方法
美国材料与试验协会，关于半导体 性能的标准
- ASTM F996-2011 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F637-85(1994)e1 周长为19和35mm的可测试带材载体粘合半导体器件的物理性能格式和试验方法的标准规范
