29.045 半导体材料 标准查询与下载

GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶

本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒的分类、技术要求、检验方法和规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。

Gallium arsenide single crystal for solar cell

GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶

本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。

Monocrystalline silicon of solar cell

GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

本标准涵盖了对晶片边缘平直部分长度的确认方法。 本标准适用于标称圆形晶片边缘平直部分长度小于等于65mm的电学材料。本标准仅对硅片精度进行确认，预期精度不因材料而改变。 本标准适用于仲裁测量，当规定的限度要求高于用尺子和肉眼检测能够获得的精度时，本标准也可用于常规验收测量。 本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。建立合适的安全和保障措施及确定规章制度的应用范围是标准使用者的责任。

Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials

GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×10at•cm至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。

Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

GB/T 12963-2009 硅多晶

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

Specification for polycrystalline silicon

GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

本标准规定了a角的测量方法，a角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。 本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB／T 12964和GB／T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5º到+5º范围之内。 由本标准测定的晶向精度直接依赖于参考表面与基准挡板的匹配精度和挡板与相对于的x射线的取向精度。 本标准包含如下两种测试方法： 测试方法1-X射线边缘衍射法 测试方法2-劳厄背反射X射线法 测试方法1是非破坏性的，为了使硅片唯一的相对于X射线测角器定位，除了使用特殊的硅片夹具外，与GB／T 1555测试方法1类似。与劳厄背反射法相比，该技术测量参考面的晶向能得到更高的精度。 方法2也是非破坏性的，为了使参考面相对于X射线束定位，除了使用“瞬时”底片和特殊夹具外，与ASTM E82和DIN 50433测试方法第3部分类似。虽然方法2更简单快速，但不具有方法l的精度，因为其使用的仪器和夹具装置精确度较低且成本较低。方法2提供了一个测量的永久性底片的 记录。 注：解释Laue照片可以获得硅片取向误差的信息。然而这超出了测试方法的范围。愿意进行这种解释的用户，可 以参阅ASTM E82和DIN50433测试方法第3部分或标准的X射线教科书。由于可以使用不同的夹具，方法2也适用于硅片表面取向的测定。 本标准中的数值均以公制为单位，英制单位的数值放在括号内仅作为信息提供。 注：本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。标准使用前，建立合适的安全和保障措施以及确定规 章制度的廊用范围是标准使用者的责任。

Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques

GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

GB/T 24582-2009 酸浸取.电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。 本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/mL。 酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效益。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品的重量的1%。 本标准适用于重量为25 g～5000 g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的重量为约300 g。

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 14139-2009 硅外延片

本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N)和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P)的同质硅外延层，产品主要用于制作硅半层体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

Silicon epitaxial wafers

GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法

本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。 本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。

Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为：4×10cm～8×10cm。 本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽的深度。 本标准也适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物

1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。 1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。 1.3本标准的检测限范围取决于被检测的有机化合物，比如碳氢化合物(C～C)的检测范围就是 10 g/cm～10g/cm。 1.4本标准适用于硅抛光片和有氧化层的硅片。 1.5本标准中包含了两种方法。方法A适用于切割后的硅片，方法B则适用于完整的硅片。两种方法的不同点在第7部分中有详细描述。

Test methods for analyzing organic contaminants on silicon water surfaces by thermal desorption gas chromatography

GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法。 本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。 本方法适用于测量面密度在(10～10)atoms/cm的范围的元素。 本方法是非破坏性的。

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy

GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时， AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。

Test method for measuring the Al fraction in on AlGaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

GB/T 24579-2009 酸浸取.原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物

1. 1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。 1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。 1.3本标准适用于各种棒、块、粒、片形多晶或单晶硅表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，根据样品重量计算结果。使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/g。 1.4酸的强度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个试验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。 1.5该试验方法提出了一种特定的样品尺寸、酸组成、腐蚀周期、试验环境和仪器方案，这些参数可以调整，但可能影响金属的回收效率及滞留量。该方法适用于重量为25 g～5 000 g的样品的测定，为达到仲裁的目的，该试验方法规定样品重量为300 g。该试验方法在干扰和结果的偏差方面做了详细说明。 1.6该试验方法详细说明了用于分析酸提取痕量金属含量的石墨炉原子吸收光谱法的使用。也可使用灵敏度相当的其他仪器如电感耦合等离子体/质谱仪。 1.7方法的检测限和偏差取决于酸提取过程的效率、样品尺寸、方法干扰、每个元素的吸收谱及仪器灵敏度、背景和空白值。 1.8该方法是用热酸来腐蚀掉硅表面，腐蚀剂是有害的，操作必须在通风橱中进行，整个过程中必须非常小心。氢氟酸溶液非常危险，不熟悉专门防护措施的人不能使用。

Test methods for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy

GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。 本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为 ∮300mm。不适用于测量硅片的不圆度。

Test method for measuring diameter of semiconductor wafer

GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参照此方法。 本标准适用于测量标准直径76mm,100mm,125mm,150mm,200mm,电阻率不大于200Ω•cm厚度不大于1000μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

Testing methods for surface flatness of silicon slices

GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

1.1本标准规定了硅和外延片表面Na，Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na，Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量，因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。 1.2本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的硅片。 1.3本标准特别适用于位于晶片表面约5 nm深度内的表面金属沾污的测试。 1.4本标准适用于面密度范围在(l0 ～10 atoms/cm 的Na、Al、K和Fe的测试。本方法的检测限取决于空白值或计数率极限，因仪器的不同而不同。 1.5本测试方法是对以下测试方法的补充: 1.5.1全反射X射线荧光光谱仪(TXRF)，其能够检测表面的原子序数Z较高的金属，如Fe，但对Na，Al、K没有足够低的检测限（

Test method for measuring surface sodium, aluminum, potassium, and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry

GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。 本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面，见表1。 本标准可测的最低寿命值为10μs，取决于光源的余辉。不适用于抛光片的验收测试。

Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay