质谱 硅
本专题涉及质谱 硅的标准有53条。
国际标准分类中，质谱 硅涉及到分析化学、有色金属、半导体材料、金属材料试验、集成电路、微电子学、核能工程。
在中国标准分类中，质谱 硅涉及到基础标准与通用方法、贵金属及其合金分析方法、贵金属及其合金、元素半导体材料、半金属及半导体材料分析方法、电子技术专用材料、半金属与半导体材料综合、电子光学与其他物理光学仪器、半导体分立器件综合、核材料、核燃料及其分析试验方法、重金属及其合金分析方法、轻金属及其合金分析方法。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于质谱 硅的标准
- GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
- GB/T 36592-2018 铑粉化学分析方法 铂、钌、铱、钯、金、银、铜、铁、镍、铝、铅、锰、镁、锡、锌、硅的测定 电感耦合等离子体质谱法
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于质谱 硅的标准
- GB/T 33909-2017 纯铂化学分析方法 钯、铑、铱、钌、金、银、铝、铋、铬、铜、铁、镍、铅、镁、锰、锡、锌、硅量的测定 电感耦合等离子体质谱法
国家质检总局，关于质谱 硅的标准
- GB/T 31854-2015 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
- GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
- GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法.硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
- GB/T 23275-2009 钌粉化学分析方法.铅、铁、镍、铝、铜、银、金、铂、铱、钯、铑、硅量的测定.辉光放电质谱法
- GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
- GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
工业和信息化部，关于质谱 硅的标准
- YS/T 1119-2016 海绵钯化学分析方法 镁、铝、硅、铬、锰、铁、镍、铜、锌、钌、铑、银、锡、铱、铂、金、铅、铋的测定 电感耦合等离子体质谱法
行业标准-电子，关于质谱 硅的标准
- SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
- SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
行业标准-商品检验，关于质谱 硅的标准
- SN/T 4025-2014 稀土硅铁合金及镁硅铁合金化学分析方法 稀土总量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- SN/T 4107-2015 白刚玉、铬刚玉中硅、铁、钾、 钠、铬、钙、镁的测定 电感耦合等离子体质谱法
行业标准-有色金属，关于质谱 硅的标准
- YS/T 981.1-2014 高纯铟化学分析方法 镁、铝、硅、硫、铁、镍、铜、锌、砷、银、镉、锡、铊、铅的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法
- YS/T 35-2012 高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法
- YS/T 226.13-2009 硒化学分析方法.第13部分:银、铝、砷、硼、汞、铋、铜、镉、铁、镓、铟、镁、镍、铅、硅、锑、锡、碲、钛、锌量的测定.电感耦合等离子体质谱法
国际标准化组织，关于质谱 硅的标准
- ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 12406:2010 表面化学分析——二次离子质谱法——硅中砷的深度剖面分析方法
- ISO 14237:2010 表面化学分析——二次离子质谱法——用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
- ISO 14237-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- ISO 23812:2009 表面化学分析——二次离子质谱法——使用多δ层标准物质的硅深度校准方法
- ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
- ISO 14237:2000 表面化学分析.二次离子质谱法.使用均匀掺杂材料测定硅中的硼原子浓度
- ISO 14237-2000 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
德国标准化学会，关于质谱 硅的标准
- DIN 51456-2013 半导体技术用材料的试验. 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 通过水分析解决方案的多元素测定进行硅晶片的表面分析
美国材料与试验协会，关于质谱 硅的标准
- ASTM C1771-2013 固相萃取除铀后用电感耦合等离子体质谱法测定水解六氟化铀中硼、硅和锝的标准试验方法
- ASTM F1617-98 用二次离子质谱法测量硅和外延衬底上表面钠铝钾铁的标准试验方法
- ASTM F1617-1998 用次级离子质谱测定法(SIMS)测定表面钠,铝,钾-硅和EPI衬底的标准试验方法
- ASTM F1366-92(1997)e1 用二次离子质谱法测量重掺杂硅衬底中氧浓度的标准试验方法
福建省质量技术监督局，关于质谱 硅的标准
- DB35/T 1146-2011 硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
英国标准学会，关于质谱 硅的标准
- BS ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 14237-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- BS ISO 14237-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- BS ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法
- BS ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法
法国标准化协会，关于质谱 硅的标准
- NF X21-070-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度.
- NF X21-066-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层参考物质对硅进行深度校准的方法
韩国标准，关于质谱 硅的标准
- KS D ISO 14237-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.使用非均一掺杂材料的硅中硼原子的浓度测定
- KS D ISO 14237-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.使用非均一掺杂材料的硅中硼原子的浓度测定
日本工业标准调查会，关于质谱 硅的标准
- JIS K0143-2000 表面化学分析.次级离子质谱法.利用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
澳大利亚标准协会，关于质谱 硅的标准
- AS ISO 17560-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
- AS ISO 14237-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度
- AS ISO 17560-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
- AS ISO 14237-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度
