+++++ 半导体 电流
本专题涉及+++++ 半导体 电流的标准有100条。
国际标准分类中，+++++ 半导体 电流涉及到半导体分立器件、整流器、转换器、稳压电源、开关装置和控制器、半导体材料、集成电路、微电子学、电学、磁学、电和磁的测量、光电子学、激光设备、电子设备用机械构件、电气设备元件。
在中国标准分类中，+++++ 半导体 电流涉及到电力半导体器件、部件、半导体发光器件、低压配电电器、、半导体分立器件综合、低压电器综合、控制电器、半导体集成电路、光通信设备、半导体三极管、激光器件、半导体整流器件、电感器、变压器、半导体光敏器件、半导体二极管。
国家质检总局，关于+++++ 半导体 电流的标准
- GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
- GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分;晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- GB/T 17950-2000 半导体变流器 第6部分:使用熔断器保护半导体变流器防止过电流的应用导则
国际电工委员会，关于+++++ 半导体 电流的标准
- IEC 60747-5-11-2019 半导体器件第5-11部分:光电子器件发光二极管发光二极管辐射电流和非辐射电流的试验方法
- IEC 60747-5-11:2019 半导体器件第5-11部分:光电子器件发光二极管发光二极管辐射电流和非辐射电流的试验方法
- IEC 62415-2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验
- IEC 60947-4-2 Edition 2.2-2007 低压开关设备和控制设备.第4-2部分:电流接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和起动器
- IEC 60947-4-3 Edition 1.1-2007 低压开关设备和控制设备.第4-3部分:电流接触器和电动机起动器 非电动机负载用交流半导体控制器和电流接触器
- IEC 60747-6-3-1993 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3节:电流在100A以上的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
- IEC 60747-2-2-1993 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以上环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
- IEC TR 60146-6-1992 半导体变流器第6部分:用熔断器防止半导体变流器过电流的应用指南
- IEC TR 60146-6:1992 半导体变流器第6部分:用熔断器防止半导体变流器过电流的应用指南
- IEC/TR2 60146-6-1992 半导体变流器 第6部分:半导体变流器对由熔断器引起的过电流保护的应用指南
- IEC 60747-6-2-1991 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第2节:电流在100A以下的环境或外壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
- IEC 60747-6-1-1989 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第1节:电流在100A以下的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
- IEC 60747-2-1-1989 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
行业标准-电子，关于+++++ 半导体 电流的标准
- SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流
- SJ 50597/51-1999 半导体集成电路.JW1846/JW1847型电流型脉冲宽度调制控制器详细规范
- SJ 2355.3-1983 半导体发光器件测试方法.反向电流的测试方法
- SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法
- SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法
- SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法
- SJ 2214.8-1982 半导体光敏三极管暗电流的测试方法
- SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法
- SJ 50033/115-1997 半导体分立器件 2CK28型硅大电流开关二极管详细规范
- SJ 50033/117-1997 半导体分立器件 2CK38型硅大电流开关二极管详细规范
- SJ 50033/116-1997 半导体分立器件 2CK29型硅大电流开关二极管详细规范
- SJ 1795-1981 50～1000mA小电流半导体闸流管（暂行）
- SJ 1488-1979 反向阻断型高频半导体闸流管额定高频通态平均电流IT的测试方法
美国保险商实验所，关于+++++ 半导体 电流的标准
- UL 60947-4-2-2014 低压开关设备和控制设备的UL安全标准. 第4-2部分: 电流接触器和电动起动器. 交流半导体电动控制器和起动器 (第一版)
- UL 60947-4-2 (ND)-2014 UL 60947-4-2低压开关设备和控制设备的国家差异. 第4-2部分: 电流接触器和电动起动器. 交流半导体电动控制器和起动器 (第一版)
- UL 60947-4-2 (ND)-2014 UL 60947-4-2低压开关设备和控制设备的国家差异. 第4-2部分: 电流接触器和电动起动器. 交流半导体电动控制器和起动器 (第一版)
- UL 60947-4-2-2014 低压开关设备和控制设备的UL安全标准. 第4-2部分: 电流接触器和电动起动器. 交流半导体电动控制器和起动器 (第一版)
贵州省质量技术监督局，关于+++++ 半导体 电流的标准
- DB52/T 844-2013 半导体电流调整管
德国标准化学会，关于+++++ 半导体 电流的标准
- DIN EN 60947-4-2-2013 低压开关设备和控制设备. 第4-2部分:电流接触器和电动起动器. 交流半导体电动控制器和起动器 (IEC 60947-4-2-2011+Cor. -2012); 德文版本EN 60947-4-2-2012
- DIN EN 62415-2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验(IEC 62415-2010);德文版本EN 62415-2010
，关于+++++ 半导体 电流的标准
- CSN 35 8773-1977 半导体器件的测量．半导体闸流管．阻断电流和反向阻断电流的测量
- CSN 35 8734-1975 半导体器件．二极管．反向电流测量．
- CSN 35 8746-1973 半导体设备．晶体管．正向电流传输比绝对值和频率fT；fh21b；fh21e的测量
- CSN 35 8762-1973 半导体设备．光电晶体管光电二极管．暗电流测量
- CSN 35 8742-1973 半导体设备．晶体管．截止电流的测量
- CSN 35 8772-1970 半导体闸流管．保持电流的测量方法
- CSN 35 8771-1970 半导体闸流管．栅极触发电压和栅极触发电流的测量方法
- CSN 35 8735-1964 半导体二极管．直流电流和电压的测量
- CSN 35 8732-1964 半导体二极管．正向电流测量
法国标准化协会，关于+++++ 半导体 电流的标准
- NF C80-201-2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验.
- NF C63-113/A1-2007 低压开关装置和控制装置.第4-3部分:电流接触器和电动机起动器.交流半导体控制装置和非电动机负荷用电流接触器
- NF C63-112-1996 低压开关设备和控制设备.第4部分:电流接触器和发动机启动器.第2节:交流半导体发动机控制器和启动器(欧洲标准60 947-4-2)
英国标准学会，关于+++++ 半导体 电流的标准
- BS EN 62415-2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验
- BS EN 60947-4-3-2000 低压开关装置和控制装置.电流接触器和电动起动器.非电动机负荷用交流半导体控制器和电流接触器
- BS EN 60947-4-2-2000 低压开关装置和控制装置.电流接触器和电动起动器.交流半导体电动控制器和电流起动器
- BS QC 750113-1994 电子元器件质量评估协调体系规范.空白详细规范:电流大于100A的环境温度额定和外壳温度限定反向闭锁三级半导体闸流晶体管
美国材料与试验协会，关于+++++ 半导体 电流的标准
- ASTM F615M-95(2008) 确定半导体元件金属化的安全电流脉冲工作区域的标准实践（公制）
- ASTM F616M-1996(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
- ASTM F616M-1996 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
- ASTM F615M-95 半导体元件金属化用安全电流脉冲工作区测定的标准实施规程[米制]
- ASTM F615M-95(2002) 半导体元件金属化用安全电流脉冲工作区测定的标准实施规程[米制]
- ASTM F615M-1995(2008) 在半导体元件上喷镀金属的安全电流脉冲操作区域的标准作法(米制)
- ASTM F615M-1995(2002) 测定在半导体元件上喷镀金属的安全电流脉冲操作区域的标准实施规范(米制)
- ASTM F615M-1995(2013) 测定在半导体元件上喷镀金属的安全电流脉冲操作区域的标准实施规范 (米制)
- ASTM F615M-1995 测定在半导体元件上喷镀金属的安全电流脉冲操作区域的标准实施规范(米制)
美国国防后勤局，关于+++++ 半导体 电流的标准
- DLA MIL-PRF-19500/463 H-2008 半导体装置,硅电流调节器二极管,型号1N5283-1到1N5314-1和1N5283UR-1到1N5314UR-1,1N7048-1到1N7055-1,1N7048UR-1到N7055UR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC
- DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 硅单片,双重四重电流反馈扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
韩国标准，关于+++++ 半导体 电流的标准
- KS C IEC 60747-6-2-2006 半导体器件.分立器件.第6部分:晶体闸流管.第2节:双向三极晶体闸流(三极双向可控硅开关元件)、电流最多为100A空白详细规范
- KS C IEC 60747-6-1-2006 半导体器件.分立器件.第6部分:晶闸管.第1节:电流在100A以下的额定环境和外壳的反向阻断三极闸流晶体管的空白详细规范
- KS C IEC 60747-6-3-2006 半导体器件.分立器件.第6部分:晶体闸流管.第3节:电流在100A以下的额定环境和外壳的反向阻挡三极闸流晶体管的空白详细规范
- KS C IEC 60747-6-1-2006 半导体器件.分立器件.第6部分:晶闸管.第1节:电流在100A以下的额定环境和外壳的反向阻断三极闸流晶体管的空白详细规范
- KS C IEC 60747-2-2-2006 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以上具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范
- KS C IEC 60747-6-3-2006 半导体器件.分立器件.第6部分:晶体闸流管.第3节:电流在100A以下的额定环境和外壳的反向阻挡三极闸流晶体管的空白详细规范
- KS C IEC 60747-2-2-2006 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以上具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范
- KS C IEC 60747-6-2-2006 半导体器件.分立器件.第6部分:晶体闸流管.第2节:双向三极晶体闸流(三极双向可控硅开关元件)、电流最多为100A空白详细规范
- KS C IEC 60747-2-1-2006 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以下具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范
- KS C IEC 60747-2-1-2006 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以下具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范
- KS C IEC 60146-6-2002 半导体变流器.第6部分:用熔断器预防过电流的半导体变流器保护的应用指南
- KS C IEC 60146-6-2002 半导体变流器.第6部分:用熔断器预防过电流的半导体变流器保护的应用指南
美国电信工业协会，关于+++++ 半导体 电流的标准
- TIA-455-128-1996 FOTP 128 半导体激光器阈值电流的测定程序
美国国家标准学会，关于+++++ 半导体 电流的标准
- ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 半导体激光器阈值电流的测定程序
丹麦标准化协会，关于+++++ 半导体 电流的标准
- DS/IEC 747-6-1-1990 半导体器件.分立器件.第6部分:晶闸管.第1节:电流在100A以下的额定环境和外壳的反向阻断三极闸流晶体管的空白详细规范
- DS/IEC 747-2-1-1990 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以下具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范
行业标准-机械，关于+++++ 半导体 电流的标准
- JB/T 7063-1993 电力半导体器件额定电压和电流
澳大利亚标准协会，关于+++++ 半导体 电流的标准
- AS/NZS 3947.4.3-2000 低压开关设备和控制设备．电流接触器和电动起动器．非电动机负荷用交流半导体控制器和电流接触器
