半导体光学性能

本专题涉及半导体光学性能的标准有249条。

国际标准分类中，半导体光学性能涉及到光纤通信、光电子学、激光设备、分析化学、环境试验、半导体分立器件、半导体材料、表面处理和镀涂、词汇、无机化学、机器、装置、设备的特性和设计、医疗设备、光学设备、航空航天用电气设备和系统、机上设备和仪器、橡胶和塑料制品、消防、陶瓷、音频、视频和视听工程、集成电路、微电子学、辐射测量、纺织产品、电线和电缆、绝缘流体、导体材料、金属材料试验。

在中国标准分类中，半导体光学性能涉及到连接器、光通信设备、物理学与力学、供气器材设备、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、半导体分立器件综合、、物性分析仪器、催化剂、半导体发光器件、光电子器件综合、无机盐、能源、核技术综合、电力半导体器件、部件、光学测试仪器、电化学、热化学、光学式分析仪器、医用光学仪器设备与内窥镜、放大镜与显微镜、电子元器件、激光器件、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、广播、电视发送与接收设备、半金属及半导体材料分析方法、半导体集成电路、眼科与耳鼻咽喉科手术器械、计算机应用、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品综合、特种陶瓷、电缆及其附件、人工晶体、元素半导体材料、微电路、基础标准与通用方法、医用射线设备、微电路综合、半导体光敏器件。

HU-MSZT，关于半导体光学性能的标准

MSZ 771/5-1979 半导体材料的力学性能

英国标准学会，关于半导体光学性能的标准

BS EN 62149-8:2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 晶种反射半导体光学放大器设备
BS EN 62149-9:2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 晶种反射半导体光学放大器收发器
BS ISO 17915:2018 光学和光子学传感用半导体激光器的测量方法
BS EN 61207-7:2014 气体分析仪性能表示. 可调半导体激光器气体分析仪
BS EN 61207-7:2013 气体分析器性能表示. 可调谐半导体激光气体分析器
BS EN 62779-2:2016 半导体器件用于人体通信的半导体接口接口性能表征
BS IEC 62951-7:2019 半导体器件柔性和可拉伸半导体器件表征柔性有机半导体薄膜封装阻隔性能的测试方法
BS IEC 62830-7:2021 半导体器件。用于能量收集和发电的半导体器件。线性滑模摩擦电能量收集
BS IEC 60747-14-10:2019 半导体器件半导体传感器可穿戴式葡萄糖传感器的性能评估方法
BS EN 62007-1:2000 光纤系统半导体光电器件.基本额定值及特性
BS PD CEN/TS 16599:2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
BS IEC 62951-9:2022 半导体器件柔性可拉伸半导体器件一晶体管一电阻（1T1R）电阻式存储单元的性能测试方法
BS IEC 60747-18-4:2023 半导体器件半导体生物传感器无透镜CMOS光子阵列传感器噪声特性评估方法
BS IEC 62830-4:2019 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件柔性压电能量收集器件的测试和评估方法
BS IEC 60747-18-5:2023 半导体器件半导体生物传感器通过光入射角评估无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的光响应特性的方法
BS EN 62047-17:2015 半导体器件. 微型机电装置. 用于测量薄膜力学性能的胀形试验方法
18/30380675 DC BS EN IEC 62830-7 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件第7部分：线性滑模摩擦电能量收集
BS IEC 60747-18-3:2019 半导体器件半导体生物传感器具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性
BS EN 62007-1:2009 光纤系统用半导体光电子器件.基本等级和特性的规范模板
BS EN 62007-1:2015 光纤系统用半导体光电子器件.基本等级和特性的规范模板
BS IEC 62830-5:2021 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件测量柔性热电装置发电功率的试验方法
BS ISO 11884-2:2007 光学和光子学.立体显微镜的最低要求.高性能显微镜
BS EN 2591:6315:2001 光电连接元件.试验方法.光学元件.耐流体性能
20/30423207 DC BS EN IEC 62951-9 半导体器件柔性且可拉伸的半导体器件第9部分一管一电阻（1T1R）电阻式存储单元性能测试方法
BS IEC 62047-28:2017 半导体器件微机电器件振动驱动MEMS驻极体能量收集器件性能测试方法
BS ISO 10676:2010 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的测试方法
21/30432234 DC BS IEC 60747-18-4 半导体器件第18-4部分半导体生物传感器无透镜CMOS光子阵列传感器噪声特性评估方法
BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 用于光纤系统应用的半导体光电器件基本额定值和特性的规范模板
21/30432238 DC BS EN IEC 60747-18-5 半导体器件第18-5部分半导体生物传感器通过光入射角评估无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的光响应特性的方法
BS ISO 17299-5:2014 纺织品除臭剂性能的测定金属氧化物半导体传感器方法
18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 半导体器件第18-3部分半导体生物传感器具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性
18/30355426 DC BS EN 62830-5 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件第5部分测量柔性热电装置发电量的测试方法
BS ISO 10676:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用形成活性氧的能力测量半导体光催化材料的水净化性能的试验方法
BS ISO 22197-2:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）半导体光催化材料空气净化性能测试方法去除乙醛
BS ISO 22197-4:2021 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）半导体光催化材料空气净化性能的测试方法除甲醛
BS IEC 62830-8:2021 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件低功率电子产品用柔性和可拉伸超级电容器的测试和评估方法
BS ISO 22197-3:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）半导体光催化材料空气净化性能测试方法甲苯的去除
BS 7012-10.2:1997 光学显微镜.立体显微镜最低要求.高性能显微镜
BS EN 62047-8:2011 半导体装置.微电机装置.薄膜拉伸性能测量用带材弯曲试验方法
BS ISO 22197-4:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲醛的清除
BS ISO 22197-3:2011 精制陶瓷(优质陶器,先进工艺陶器).半导体光催化材料的空气净化性能试验方法.甲苯的移除
BS ISO 22197-2:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法乙醛的脱除
BS ISO 22197-5:2021 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）半导体光催化材料空气净化性能的测试方法脱除甲硫醇
BS ISO 22197-5:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲硫醇的清除
BS ISO 27448:2009 细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的自洁性能用试验方法.水接触角度的测量
BS ISO 22197-1:2016 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）半导体光催化材料空气净化性能的测试方法去除一氧化氮
15/30323630 DC BS EN 62047-28 半导体器件微机电装置第28部分振动驱动MEMS驻极体能量收集器件性能测试方法
BS ISO 27447:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）半导体光催化材料抗菌活性测试方法
BS ISO 22197-1:2008 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除

国际标准化组织，关于半导体光学性能的标准

ISO 17915:2018 光学和光子学.传感用半导体激光器测量方法
ISO/TS 17915:2013 光学和光电.传感用半导体激光器测量方法
ISO 15632:2021 微光束分析.带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规范
ISO 15632:2012 微光束分析.带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规范
ISO 15632:2002 微光束分析.带半导体探测器的能量发散X射线分光仪的仪器规范
ISO 11884-2:2007 光学和光子学.立体显微镜的最低要求.第2部分:高性能显微镜
ISO 11884-2:1997 光学和光学仪器体视显微镜的最低要求第2部分:高性能显微镜
ISO 10676:2010 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
ISO 17299-5:2014 纺织品. 除臭性能的测定. 第5部分: 金属氧化物半导体传感器法
ISO 19810:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）室内光照环境下半导体光催化材料自洁性能试验方法水接触角的测量
ISO 22197-3:2019 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯
ISO 22197-2:2019 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛

河北省标准，关于半导体光学性能的标准

DB13/T 5120-2019 光通信用 FP、 DFB 半导体激光器芯片直流性能测试规范

RU-GOST R，关于半导体光学性能的标准

GOST R 59740-2021 光学和光子学用于测定低浓度物质的半导体激光器测量特性的方法
GOST R 59605-2021 光学和光子学半导体光电探测器光电和光接收器件术语和定义
GOST R 59607-2021 光学和光子学半导体光电探测器光电和光接收器件测量光电参数和确定特性的方法
GOST 17704-1972 半导体器件.光电式辐射能接收器.分类和代号体系
GOST 19834.3-1976 半导体辐射器.辐射能量相对光谱分布和辐射光谱宽度测量方法
GOST 17772-1988 半导体光电探测器和光电接收器.光电参数和测定特性的测量方法
GOST 19868-1974 电离辐射半导体探测器用分光计的线性放大器.参数测量法

中国团体标准，关于半导体光学性能的标准

T/CZSBDTHYXH 001-2023 半导体晶圆缺陷自动光学检测设备

法国标准化协会，关于半导体光学性能的标准

XP CEN/TS 16599:2014 光催化确定照射条件以测试半导体材料的光催化性能
NF C46-251-7*NF EN 61207-7:2014 气体分析仪性能表示. 第7部分: 可调半导体激光器气体分析仪
NF C96-779-2*NF EN 62779-2:2016 半导体设备用于人体通信的半导体接口第2部分：接口性能的表征
NF EN 61207-7:2014 气体分析仪性能的表达第7部分：可调谐半导体激光气体分析仪
NF EN 62779-2:2016 半导体器件 - 通过人体进行通信的半导体接口 - 第 2 部分：表征接口性能
NF C93-884-8*NF EN 62149-8:2014 光纤有源元件和器件性能标准第8部分：种子反射半导体光放大器器件
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光催化用于测试半导体材料光催化性能的辐照条件和这些条件的测量
NF C93-884-9*NF EN 62149-9:2014 光纤有源元件和器件性能标准第9部分：种子反射半导体光放大器收发器
NF EN 62149-8:2014 光纤有源器件和器件性能标准第8部分：分布式反射半导体光放大器器件
NF EN 62149-9:2014 光纤有源元件和器件性能标准第9部分：分布式反射半导体光放大器收发器
NF EN IEC 62969-2:2018 半导体器件 - 汽车半导体接口 - 第 2 部分：评估汽车传感器无线谐振电力传输性能的方法
NF X21-008:2012 微光束分析.带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规格
NF ISO 22197-4:2021 技术陶瓷空气净化用半导体光催化材料性能测试方法第4部分：除甲醛
NF ISO 22197-5:2021 技术陶瓷空气净化用半导体光催化材料性能试验方法第5部分：甲硫醇的去除
NF C93-801-1:2009 光纤系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性用规范模板
NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 光纤系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性用规范模板
NF EN 62007-1/A1:2022 光纤系统中应用的光电半导体器件第1部分：与基本值和特性相关的规格模型
NF EN 62007-1:2015 光纤系统中应用的光电半导体器件第1部分：与基本值和特性相关的规格模型
NF EN 60747-5-2:2001 分立半导体器件和集成电路 - 第 5-2 部分：光电器件 - 限值和基本特性
NF EN 60747-5-2/A1:2003 分立半导体器件和集成电路 - 第 5-2 部分：光电器件 - 限值和基本特性
NF C96-005-2/A1*NF EN 60747-5-2/A1:2003 分立半导体器件和集成电路第 5-2 部分：光电器件基本额定值和特性
NF C96-005-2*NF EN 60747-5-2:2001 分立半导体器件和集成电路第 5-2 部分：光电器件基本额定值和特性
NF B44-101-4:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 - 第4部分: 甲醛的清除
NF C96-050-17*NF EN 62047-17:2015 半导体器件-微机电器件-第17部分：测量薄膜机械性能的凸起试验方法
NF EN 62047-17:2015 半导体器件微机电器件第 17 部分：测量薄膜机械性能的凸出试验方法

国际电工委员会，关于半导体光学性能的标准

IEC 62149-8:2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第8部分: 晶种反射半导体光放大器设备
IEC 62149-9:2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第9部分: 晶种反射半导体光放大器收发器
IEC 61207-7:2013 气体分析器性能表示. 第7部分: 可调谐半导体激光气体分析器
IEC 62007-2:1999 纤维光学系统用半导体光电器件第2部分:测量方法
IEC 62830-7:2021 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第7部分:线性滑动模式摩擦电能收集
IEC 61207-7:2013/COR1:2015 气体分析仪性能表示. 第7部分: 可调半导体激光器气体分析仪; 勘误表1
IEC 62007-1:2015 纤维光学系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性用规范模板
IEC 62007-1:2008 纤维光学系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性用规范模板
IEC 60747-14-10:2019 半导体器件.第14-10部分:半导体传感器.可穿戴葡萄糖传感器的性能评估方法
IEC 62951-9:2022 半导体器件柔性可伸缩半导体器件第9部分：一晶体管一电阻（1T1R）电阻式存储单元的性能测试方法
IEC 62007-1:1999 光纤系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性.
IEC 62007-1:1997 光纤系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性
IEC 60747-18-4:2023 半导体器件.第18-4部分:半导体生物传感器.无透镜CMOS光子阵列传感器噪声特性的评估方法
IEC 60747-18-5:2023 半导体器件.第18-5部分:半导体生物传感器.通过光入射角对无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的光响应特性的评估方法
IEC 62830-5:2021 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第5部分:测量柔性热电器件产生功率的试验方法
IEC 60747-18-3:2019 半导体器件.第18-3部分:半导体生物传感器.带射流系统的无透镜CMOS光子阵列传感器组件的流体流动特性
IEC 62007-1/AMD1:1998 光纤系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性.修改件1
IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV 光纤系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值和特性的规范模板
IEC 62047-28:2017 半导体器件. 微型机电装置. 第28部分: 振动驱动MEMS驻极体能量采集设备的性能试验方法
IEC 60747-5-2:2009 分立半导体器件及集成电路.第5-2部分:光电元件.基本额定值及特性
IEC 62007-1:2015/AMD1:2022 修改件1.光纤系统应用的半导体光电器件.第1部分:基本额定值和特性的规范模板
IEC 60747-5-2:1997/AMD1:2002 半导体分立器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基础额定值及特性
IEC 60747-5-2:1997+AMD1:2002 CSV 分立半导体器件和集成电路第5-2部分:光电子器件基本额定值和特性
IEC 60747-5-2:1997 半导体分立器件和集成电路第5-2部分:光电子器件基本额定值和特性
IEC 60146-4:1986 半导体变流器.第4部分:不间断电力系统性能和试验要求的规定方法
IEC 60747-12-6:1997 半导体器件第12-6部分:光电子器件纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的雪崩光电二极管空白详细规范
IEC 60747-12-2:1995 半导体器件第12部分:光电子器件第2节:纤维光学系统和子系统带尾纤的激光二极管模块空白详细规范
IEC 60747-12-5:1997 半导体器件第12-5部分:光电子器件纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的PIN光电二极管空白详细规范
IEC 62830-8:2021 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件第8部分：用于低功率电子设备的柔性和可拉伸超级电容器的测试和评估方法

RO-ASRO，关于半导体光学性能的标准

STAS 12258/3-1985 光电半导体器件．光电晶体管术语和基本特性
STAS 12258/7-1987 光电半导体器件．光电池术语和基本特性
STAS 6693/2-1975 半导体设备．晶体管．电子性能测试方法
STAS 12258/2-1984 光电半导体装置．光电二极管术语和基本特性
STAS 12258/4-1986 光电半导体设备．发光二极管术语和主要特性
STAS 12258/5-1986 光电半导体．设备显示．术语和基本特性
STAS 12258/6-1987 光电半导体器件．红外发射二极管术语和基本特性

未注明发布机构，关于半导体光学性能的标准

BS EN 61207-7:2013(2015) 气体分析仪性能表示第7部分：可调谐半导体激光气体分析仪
DIN ISO 15632 E:2015-05 微光束分析带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规范
DIN ISO 15632 E:2022-03 微光束分析带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规范
BS EN 60747-5-2:2001(2003) 分立半导体器件和集成电路第5-2部分：光电器件 — 基本额定值和特性
DIN EN 62007-1 E:2013-04 用于光纤系统应用的半导体光电器件第1部分：基本额定值和特性的规范模板（草案）

德国标准化学会，关于半导体光学性能的标准

DIN EN 61207-7:2015-07 气体分析仪性能表达第7部分：可调谐半导体激光气体分析仪
DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光催化测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
DIN 4000-20:1988 第20部分:光电子半导体元件用物品特性表格设计
DIN 50455-2:1999-11 半导体技术材料测试光刻胶表征方法第2部分：正性光刻胶光敏性的测定
DIN EN 62149-8:2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第8部分: 晶种反射半导体光放大器设备 (IEC 62149-8-2014); 德文版本EN 62149-8-2014
DIN EN 62149-9:2015 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第9部分: 晶种反射半导体光放大器收发器 (IEC 62149-9-2014); 德文版本EN 62149-9-2014
DIN EN 62779-2:2017 半导体器件.人体沟通的半导体界面.第2部分:界面连接性能的特征描述(IEC 62779-2-2016);德文版本EN 62779-2-2016
DIN EN 61207-7:2015 气体分析器性能表示.第7部分:可调谐半导体激光气体分析器(IEC 61207-7-2013);德文版本EN 61207-7-2013
DIN 50455-1:2009-10 半导体技术材料测试光刻胶表征方法第1部分：用光学方法测定涂层厚度
DIN ISO 15632:2015 微光束分析.带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规范(ISO 15632-2012)
DIN 50455-1:2009 半导体技术用材料的试验.表征光阻剂方法.第1部分:涂层厚度的光学法测定
DIN 58750-1:2013-01 光学工程生产.光学工程用抛光剂的测试.第1部分：物理和胶体性能
DIN 50452-3:1995 半导体工艺材料的检验.液体中颗粒分析的试验方法.第3部分:光学粒子计数器校正
DIN EN 821-2:1997 高级陶瓷.整体陶磁.热物理性能.第2部分:用激光闪光法(或热能脉冲)测定导热能力
DIN 50452-3:1995-10 半导体技术材料的测试 - 液体中粒子分析的测试方法 - 第 3 部分：光学粒子计数器的校准
DIN 50452-2:2009-10 半导体技术材料的测试液体中颗粒分析的测试方法第2部分：用光学颗粒计数器测定颗粒
DIN EN 62047-17:2015-12 半导体器件-微机电器件-第17部分：测量薄膜机械性能的凸起测试方法

ES-UNE，关于半导体光学性能的标准

UNE-EN 61207-7:2013 气体分析仪性能表达第7部分：可调谐半导体激光气体分析仪
UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 气体分析仪性能表达第7部分：可调谐半导体激光气体分析仪
UNE-EN 62779-2:2016 半导体器件用于人体通信的半导体接口第2部分：接口性能的表征
UNE-EN 62149-8:2014 光纤有源元件和器件性能标准第8部分：种子反射半导体光放大器器件
UNE-EN 62149-9:2014 光纤有源元件和设备性能标准第9部分：种子反射式半导体光放大器收发器
UNE-EN 62007-1:2015/A1:2022 用于光纤系统应用的半导体光电器件第1部分：基本额定值和特性的规范模板
UNE-EN 62007-1:2015 用于光纤系统应用的半导体光电器件第1部分：基本额定值和特性的规范模板
UNE-EN 60747-5-2:2001 分立半导体器件和集成电路第5-2部分：光电器件基本额定值和特性
UNE-EN 60747-5-2:2001/A1:2002 分立半导体器件和集成电路第5-2部分：光电器件基本额定值和特性
UNE-EN 62047-17:2015 半导体器件微机电器件第17部分：测量薄膜机械性能的凸起测试方法

欧洲电工标准化委员会，关于半导体光学性能的标准

EN 62779-2:2016 半导体设备用于人体通信的半导体接口第2部分：接口性能的表征
EN 61207-7:2013 气体分析仪性能的表达第7部分：可调谐半导体激光气体分析仪
EN 62149-8:2014 光纤有源元件和器件性能标准第8部分：种子反射半导体光放大器器件
EN 62149-9:2014 光纤有源元件和器件性能标准第9部分：种子反射式半导体光放大器收发器
EN 62007-1:2015 光纤系统应用的半导体光电子器件第1部分：基本额定值和特性的规范模板
EN 62047-17:2015 半导体器件-微机电器件-第17部分：测量薄膜机械性能的凸起试验方法

欧洲标准化委员会，关于半导体光学性能的标准

PD CEN/TS 16599:2014 光催化.半导体材料光催化性能的辐照条件及这些条件的测定
CEN/TS 16599:2014 光催化测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
EN 821-2:1997 高级技术陶瓷.整体陶磁.热物理性能.第2部分:用激光闪光法(或热能脉冲)测定导热能力

IN-BIS，关于半导体光学性能的标准

IS 12737-1988 半导体 X 射线能量光谱仪的标准测试程序
IS 3700 Pt.11-1984 半导体器件的基本额定值和特性第11部分发光二极管

韩国科技标准局，关于半导体光学性能的标准

KS C IEC 60747-14-10:2022 半导体器件.第14-10部分:半导体传感器.可穿戴葡萄糖传感器的性能评估方法
KS C 6049-1980 半导体集成电路试验法和耐久性能试验方法
KS C IEC 62007-1:2003 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:基本额定值及特性.
KS D ISO 15632:2012 微光束分析.带半导体探测器的能量发散X射线分光仪的仪器规范
KS C IEC 62007-1-2003(2018) 光纤系统应用的半导体光电器件 - 第一部分:基本额定值和特性
KS L ISO 10676-2012(2022) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－用活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
KS B ISO 11884-2-2011(2016) 光学和光子学立体显微镜最低要求第2部分:高性能显微镜
KS B ISO 11884-2-2011(2021) 光学和光子学立体显微镜最低要求第2部分:高性能显微镜
KS B ISO 11884-2:2011 光学和光子学.立体显微镜的最低要求.第2部分:高性能显微镜
KS L ISO 10676:2012 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
KS L ISO 10676-2012(2017) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）用活性氧形成能力测定法测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
KS L ISO 27448-2011(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－半导体光催化材料自清洁性能试验方法－水接触角的测量
KS L ISO 27448-2011(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料自清洁性能试验方法水接触角的测定
KS C IEC 60747-5-2:2020 分立半导体器件和集成电路 - 第5-2部分:光电子器件 - 基本等级和特性
KS C IEC 60747-5-2:2004 半导体分立器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基本额定值及特性
KS L ISO 27447-2011(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料抗菌活性试验方法
KS L ISO 27447-2011(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－半导体光催化材料抗菌活性试验方法
KS L ISO 22197-2:2020 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
KS L ISO 22197-3:2020 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第3部分:去除甲苯
KS L ISO 22197-4:2020 精细陶瓷（高级陶瓷高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第4部分:去除甲醛

KR-KS，关于半导体光学性能的标准

KS C IEC 60747-14-10-2022 半导体器件.第14-10部分:半导体传感器.可穿戴葡萄糖传感器的性能评估方法
KS C IEC 62007-1-2003(2023) 光通信系统用半导体光电元件-第一部分:重要等级及特性
KS C IEC 60747-5-2-2020 分立半导体器件和集成电路 - 第5-2部分:光电子器件 - 基本等级和特性
KS L ISO 27447-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料抗菌活性试验方法
KS L ISO 22197-2-2020 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
KS L ISO 22197-4-2020 精细陶瓷（高级陶瓷高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第4部分:去除甲醛
KS L ISO 22197-3-2020 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第3部分:去除甲苯

国家质检总局，关于半导体光学性能的标准

GB/T 29856-2013 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法
GB/T 3048.3-1994 电线电缆电性能试验方法半导电橡塑材料体积电阻率试验
GB/T 42257-2022 铬铒共掺钇钪镓石榴石晶体光学及激光性能测量方法
GB/T 18904.2-2002 半导体器件第12-2部分;光电子器件纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范
GB/T 15651.2-2003 半导体分立器件和集成电路第5-2部分;光电子器件基本额定值和特性
GB/T 15651.2-2003/IEC 60747-5-2:1997 半导体分立器件和集成电路第5-2部分:光电子器件基本额定值和特性
GB/T 3048.3-2007 电线电缆电性能试验方法.第3部分:半导电橡塑材料体积电阻率试验
GB/T 18904.5-2003 半导体器件第12-5部分;光电子器件纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范

PH-BPS，关于半导体光学性能的标准

PNS IEC 62830-4:2021 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第4部分：柔性压电能量收集器件的试验和评估方法
PNS IEC 62047-28:2021 半导体器件.微机电器件.第28部分：振动驱动MEMS驻极体能量收集装置的性能试验方法

TIA - Telecommunications Industry Association，关于半导体光学性能的标准

TIA/EIA-455-74-1996 FOTP-74 光纤光学性能的流体浸没老化程序

行业标准-医药，关于半导体光学性能的标准

YY 0290.2-2009 眼科光学.人工晶状体.第2部分:光学性能及试验方法
YY 0290.2-1997 人工晶体.第2部分：光学性能及其测试方法
YY 0290.3-2008 眼科光学.人工晶状体.第3部分:机械性能及测试方法

国家药监局，关于半导体光学性能的标准

YY 0290.2-2021 眼科光学人工晶状体第2部分：光学性能及测试方法
YY/T 1694-2020 放射治疗用体表光学摆位设备性能和试验方法
YY 0290.3-2018 眼科光学人工晶状体第3部分：机械性能及测试方法

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体光学性能的标准

GB/T 35118-2017 掺铒钇铝石榴石激光晶体光学性能测量方法

行业标准-邮电通信，关于半导体光学性能的标准

YD/T 2001.1-2009 用于光纤系统的半导体光电子器件第1部分:基本特性和额定值

美国国家标准学会，关于半导体光学性能的标准

ANSI/UL 2360-2004 半导体器械构造用塑料的可燃性能测定的试验方法

广东省标准，关于半导体光学性能的标准

DB44/T 2088-2018 眼镜式立体投影机光学性能测量方法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于半导体光学性能的标准

EN 62007-1:2000 用于光纤系统应用的半导体光电器件第1部分：基本额定值和特性
EN 61788-6:2001 超导性第6部分：力学性能测量-Cu/Nb-Ti复合超导体的室温拉伸试验
EN 62007-1:2009 光纤系统应用的半导体光电子器件第1部分：基本额定值和特性的规范模板

美国国防后勤局，关于半导体光学性能的标准

DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 硅单片,高性能微型控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
DLA SMD-5962-96895-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜传播器接口硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96896-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜接收器接口硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
DLA SMD-5962-87713 REV A-1991 硅单块系列控制器多协议高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路

行业标准-电子，关于半导体光学性能的标准

SJ 2658.11-1986 半导体红外发光二极管测试方法.脉冲响应特性的测试方法

PL-PKN，关于半导体光学性能的标准

PN P50069-1974 造纸工业的半产品．用于测定光学性能的测试样品的制备

丹麦标准化协会，关于半导体光学性能的标准

DS/EN 62007-1:2009 光纤系统应用的半导体光电子器件第1部分：基本额定值和特性的规范模板
DS/EN 60747-5-2/A1:2002 分立半导体器件和集成电路第 5-2 部分：光电器件基本额定值和特性
DS/EN 60747-5-2:2002 分立半导体器件和集成电路第 5-2 部分：光电器件基本额定值和特性

美国电气电子工程师学会，关于半导体光学性能的标准

IEEE P1595/D7, December 2021 IEEE 批准的电力线用光相导体（OPPC）测试和性能标准草案
IEEE P1595/D6, June 2021 用于电力线路的光相导体 (OPPC) 测试和性能的 IEEE 标准草案

立陶宛标准局，关于半导体光学性能的标准

LST EN 61788-6-2011 超导性第6部分：力学性能测量 Cu/Nb-Ti复合超导体的室温拉伸试验（IEC 61788-6:2011）
LST EN 62007-1-2015 用于光纤系统的半导体光电子器件. 第1部分: 基本特性和额定值的规范模板(IEC 62007-1-2015)

日本工业标准调查会，关于半导体光学性能的标准

JIS R 1712:2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级技术陶瓷）半导体光催化材料抗藻活性试验方法
JIS R 1708:2016 精细陶瓷（Advanced ceramics、advanced technical ceramics）用溶解氧消耗量测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法

AENOR，关于半导体光学性能的标准

UNE 73350-2:2003 环境放射性测定程序测量设备第2部分：半导体传感器的阿尔法光谱法