稳态
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国际标准分类中,稳态涉及到流体动力系统、玻璃、整流器、转换器、稳压电源、输电网和配电网、金属材料试验、环境试验、纺织产品、鞋类、建筑物的防护、家用自动控制装置、半导体分立器件、轴承、内燃机、空气质量、管道部件和管道、电子元器件综合、道路车辆综合、粘合剂和胶粘产品、建筑材料、乘用车、篷车和轻型挂车、涂料和清漆、建筑构件、术语学(原则和协调配合)、防护设备、词汇、光纤通信、塑料、橡胶和塑料制品、半导体材料、商用车辆、粉末冶金、铁路车辆、热力学和温度测量、(没有标题)、光电子学、激光设备、道路车辆内燃机、消防、电工器件、铁路建筑、电气工程综合、运输、农业机械、工具和设备、建筑物中的设施、检查、维修和试验设备、轮胎、开关装置和控制器、核能工程、制冷技术、储藏设备、机器、装置、设备的特性和设计、有关航空航天制造用镀涂和有关工艺、电信设备用部件和附件、航空器和航天器综合、声学和声学测量、集成电路、微电子学、热回收、绝热、航空航天制造用材料、电子电信设备用机电元件、煤、航空航天用电气设备和系统、阀门、光学设备、事故和灾害控制、机上设备和仪器、道路车辆装置、地质学、气象学、水文学、土方机械、质量、电工和电子试验、电池和蓄电池、服装、机床装置。
在中国标准分类中,稳态涉及到液压与气动装置、陶瓷、玻璃综合、电力半导体器件、部件、金属力学性能试验方法、电力系统、基础标准和通用方法、基础标准与通用方法、高压开关设备、鞋、靴、绝热、吸声、轻质与防火材料、控制电器、半导体分立器件综合、滑动轴承、活塞式内燃机与其它动力设备综合、建筑玻璃、塑料型材、可靠性和可维护性、汽车综合、林业基础标准与通用方法、建材产品综合、、、室外给水、排水工程、光通信设备、、、、、流动污染源排放标准、石油开发、内燃机与附属装置、进排气与燃油供给系统、建筑物理、金属设备与工艺管道安装工程、轿车、防火技术、滚动轴承、通用零部件综合、线路构件、环境条件与通用试验方法、电缆及其附件、纺织制品综合、基础标准与通用方法、基础标准与通用方法、营林机械与机具、、金属材料试验机、客车、、核电厂核岛、建筑构配件与设备综合、制冷设备、涂料、光学计量、核反应堆综合、交直流电源装置、电工参数检验及电源装置、热学计量、汽车发动机综合、车用仪表及测试设备、印染制品综合、连接器、集装箱、托盘、货架、建筑构造与装饰工程、表面活性剂、公用与市政建设器材设备综合、供水、排水器材设备、半金属与半导体材料综合、劳动防护用品、低压电器综合、废气排放污染物分析方法、环境条件、声学计量、半导体集成电路、物理学与力学、建筑给水、排水工程、温度与压力仪表、通风、空调工程、微电路综合、供热器材设备、航空与航天用金属铸锻材料、基础标准与通用方法、火工产品、煤炭分析方法、紧固件、压缩机、风机、阀门、电工绝缘材料及其制品、电子元器件、电子设备机械结构件、基础标准与通用方法、表面活性剂基础标准与通用方法、基础标准与通用方法、工业电热设备、噪声、振动测试方法、石油勘探、开发与集输工程综合、继电器、斩波器、通用零部件、半导体发光器件、电子计算机应用、太阳能、蓄电能装置、转向与操纵系统、光学仪器综合、航天器总体、、基础标准与通用方法、基础标准与通用方法、粉末冶金综合、基础标准与通用方法、化学电源、计算机应用、航天器动力系统、公路车辆维修设备、环境监测仪器及其成套装置、技术管理、电气系统与设备。
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- DB21/T 2170.2-2013 采暖塑料管管道工程技术规程 第2部分:无规共聚聚丙烯(PP-R)塑铝稳态复合管管道、纳米复合四型 聚丙烯(NFβPP-R)管管道、无规共聚聚丙烯(PP-R)管管道、聚丁烯(PB)管管道
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- DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管
- DLA MIL-M-38510/314 C VALID NOTICE 1-2008 单硅片数字微电路,为低功率肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带多个单稳态振动器
- DLA MIL-M-38510/306 E VALID NOTICE 1-2008 单稳态单硅双极微电路,为低功率肖肯特晶体管逻辑,带层叠移位储存器
- DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅可串接式双稳态多谐振荡器型小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
- DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线接收器双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT母线接口和双稳态多谐振荡器转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-92189 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92190 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87505 REV C-2007 硅单块 双稳态多谐振荡器触发器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
- DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-06245 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特D型双稳态多谐振荡器触发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-05212 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态保持16比特双稳态触发电路,低压氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制不可倒转的D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89769 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有数据启动的八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89658 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的六位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87512 REV D-2006 硅单块 D型六进制双稳态多谐振荡器触发器发射极耦合逻辑 数字微型电路
- DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-97562 REV A-2006 八角D类触发双稳态多谐振荡器晶体管硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-96590 REV C-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96591 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97580 REV A-2006 可调整二重J-K阳性触发三状态输出双稳态多谐振荡器硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-89742 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89701 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的四重D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96578 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,八角D双稳态多谐振荡器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95791 REV C-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体八角D可重新设置双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95782 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95763 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87626 REV B-2005 硅单块 带主重设置六进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96622 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-87694 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89601 REV E-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96540 REV E-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-76013 REV J-2005 硅单片双稳态多谐振荡器触发器肖脱基小功率TTL数字微型电路
- DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90675 REV B-2004 硅单片,装有三态反向及正向输入,9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-90616 REV A-2004 硅单片,装有三态输出的10位总线接口双稳态多谐振荡器触发器,改进型低功率肖脱基TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-89925 REV A-2004 硅单片,六位D型双稳态多谐振荡器,低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-86814 REV B-2004 硅单块 八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86815 REV B-2004 硅单块 八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-04213-2004 硅单片三态输出D型双稳态触发电路16比特氧化物半导体的数字微型电路
- DLA SMD-5962-95784 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94579 REV A-2004 硅单片,低功率六位D型双稳态多谐振荡器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95793 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出的阳性触发的稳态多谐振荡器 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-97574 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97576 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-86853 REV A-2003 硅单块 带预设置D型双稳态多谐振荡器触发器和带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路闭回路鉴定与报告兼容输入的,高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-96751 REV A-2003 双极低功率晶体管,双J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-78011 REV G-2003 硅单片八位双稳态多谐振荡器触发器,肖脱基小功率TTL数字微型电路
- DLA SMD-5962-96629 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-78010 REV E-2003 硅单片八位D型双稳态多谐振荡器触发器,肖脱基小功率TTL数字微型电路
- DLA SMD-5962-96605 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 双极的先进晶体管,四倍的D类双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器和重新安排,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95656 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角阳性触发的D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-93220 REV C-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的双重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类阳性触发三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89693 REV B-1999 硅单片,TTL可兼容输入,四重D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95802 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95647 REV B-1998 先进互补金属氧化物半导体3.3 V,16-BIT电子数据采集设备D类双稳态多谐振荡器,三状态输出和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 互补金属氧化物半导体数字的三状态输入八进制D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96606 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体四角D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96613 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97549-1997 八角D类触发三状态输出双稳态多谐振荡器晶体管硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-96864-1996 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-92274 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92260 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 硅单片,TTL兼容输入,装有时钟使能的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-95835-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-93217 REV B-1995 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93026-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93207 REV B-1994 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的D型双稳态多谐振荡器及可连续控制的网络接入,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79011 REV E-1994 硅单片双重D型双稳态多谐振荡器触发器
- DLA SMD-5962-93102-1993 硅单片,4位D型双稳态多谐振荡器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-89492-1991 硅单片二元可再触发单稳态触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90695-1991 硅单块 带三态输出8比特总线界面双稳态多谐振荡器触发器,晶体管-晶体管逻辑电路,高级低功率肖脱基,双极数字微型电路
行业标准-有色金属,关于稳态的标准
台湾地方标准,关于稳态的标准
行业标准-城建,关于稳态的标准
行业标准-环保,关于稳态的标准
行业标准-工程建设推荐性标准,关于稳态的标准
行业标准-核工业,关于稳态的标准
行业标准-兵工民品,关于稳态的标准
澳大利亚标准协会,关于稳态的标准
美国电信工业协会,关于稳态的标准
- TIA-455-160-A-2003 FOTP-160 IEC-60793-1-50.光纤.第1-50部分:测量方法和试验程序.湿热试验(稳态)[代替:TIA TIA/EIA-455-161, TIA TIA/EIA-455-161]
(美国)海军,关于稳态的标准
行业标准-石油,关于稳态的标准
欧洲电工电子元器件标准,关于稳态的标准
行业标准-铁道,关于稳态的标准
(美国)固态技术协会,隶属EIA,关于稳态的标准
美国质量控制协会,关于稳态的标准
美国电气电子工程师学会,关于稳态的标准
丹麦标准化协会,关于稳态的标准
行业标准-航天,关于稳态的标准
中国石油天然气总公司,关于稳态的标准
行业标准-纺织,关于稳态的标准
欧洲航空航天和国防工业标准化协会,关于稳态的标准
行业标准-电子,关于稳态的标准
行业标准-航空,关于稳态的标准
美国宇航局,关于稳态的标准