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稳态 半金属

本专题涉及稳态 半金属的标准有499条。

国际标准分类中，稳态 半金属涉及到集成电路、微电子学、半导体分立器件、有色金属产品、航空航天制造用材料、半导体材料、紧固件、有色金属、金属材料试验、无屑加工设备、钢铁产品、粉末冶金、机床、化工设备、长度和角度测量、粗腰桶、桶、筒等、金属的腐蚀、电气设备元件、切削工具、环境保护、事故和灾害控制、陶瓷、表面处理和镀涂、有关航空航天制造用镀涂和有关工艺、建筑构件、电子元器件综合、绝缘材料、机器、装置、设备的特性和设计、输电网和配电网、家具、电阻器、检查、维修和试验设备、轮胎、词汇、焊接、钎焊和低温焊、职业安全、工业卫生、流体动力系统、音频、视频和视听工程、电学、磁学、电和磁的测量、机械安全、轴承、光纤通信、制造成型过程、医疗设备。

在中国标准分类中，稳态 半金属涉及到微电路综合、半导体集成电路、计算机应用、半导体三极管、绝热、吸声、轻质与防火材料、稀有分散金属及其合金、航空与航天用金属铸锻材料、、半导体分立器件综合、轻金属及其合金、金属力学性能试验方法、铸造设备、管件、卡箍、密封件、紧固件、金属物理性能试验方法、插、拉、刨、锯床、胶管、胶带、胶布、化工机械与设备零部件、包装材料与容器、电工合金零件、半导体分立器件、粉末冶金综合、手工工具、重金属及其合金、金属工艺性能试验方法、船舶用材料及其检验方法、特种陶瓷、金属化学性能试验方法、基础标准与通用方法、建筑构造与装饰工程、航空与航天用非金属材料、敏感元器件及传感器、电工绝缘材料及其制品、铸造、工艺用油、农药管理与使用方法、电站、电力系统运行检修、电阻器、金属材料试验机、锻压机械、半金属与半导体材料综合、钢板、钢带、录制设备、电子测量与仪器综合、电力半导体器件、部件、航空、航天材料基础标准、光通信设备、滚动轴承、航空仪表、滑动轴承、粉末冶金材料与制品、稀有轻金属及其合金、铁合金。

RO-ASRO，关于稳态 半金属的标准

• STAS 11576-1983 金属锡焊的不稳定状态．分类
• STAS 9229-1980 有色金属和合金．半圆头铆钉
• STAS 8082-1988 带安全缸的半插锁家具．金属五金尺寸
• STAS 9553-1974 有色金属和合金的半成品及产品．术语
• STAS 8640/4-1987 有色金属加工用的锉刀．半圆锉刀．尺寸
• STAS 6833-1979 金属测试．低温状态下V形缺口冲击测试

美国国防后勤局，关于稳态 半金属的标准

• DLA SMD-5962-95656 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96864-1996 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-89492-1991 硅单片二元可再触发单稳态触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96613 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96590 REV C-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96591 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97574 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97576 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96605 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96606 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体四角D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96622 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96629 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87694 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86814 REV B-2004 硅单块 八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86815 REV B-2004 硅单块 八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96578 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,八角D双稳态多谐振荡器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95784 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95782 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 互补金属氧化物半导体数字的三状态输入八进制D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95793 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出的阳性触发的稳态多谐振荡器 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95835-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95791 REV C-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体八角D可重新设置双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95802 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA KKK-L-370 D NOTICE 3-2001 摩擦衬片(离合器和制动器,金属制,金属陶瓷制,半金属制)
• DLA KKK-L-370 D-1988 摩擦衬片(离合器和制动器,金属制,金属陶瓷制,半金属制)
• DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 硅单块 稳压器,低功率双互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-87626 REV B-2005 硅单块 带主重设置六进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96540 REV E-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类阳性触发三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线接收器双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角阳性触发的D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88740 REV D-2007 硅单片2K X 8静态RAM 互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-89546-1989 硅单片可编程同步状态机互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95763 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 硅单块 七态波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95647 REV B-1998 先进互补金属氧化物半导体3.3 V,16-BIT电子数据采集设备D类双稳态多谐振荡器,三状态输出和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
• DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
• DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器和重新安排,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的双重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96614 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重单稳多频振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96635 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体低功率单稳多振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-04213-2004 硅单片三态输出D型双稳态触发电路16比特氧化物半导体的数字微型电路
• DLA SMD-5962-91603 REV A-1998 硅单块 4态同步双向计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92153 REV M-2006 硅单块 32K X8静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96617 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体18部静态寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA DSCC-DWG-85006 REV E-2008 1.0安,60伏的直流光隔密封固态继电器,采用互补金属氧化物半导体输入
• DLA A-A-52035 VALID NOTICE 2-2007 半圆形单臂量角器(耐蚀合金属盒)
• DLA A-A-52035 VALID NOTICE 1-2001 半圆形单臂量角器(耐蚀合金属盒)
• DLA A-A-52035-1991 半圆形单臂量角器(耐蚀合金属盒)
• DLA SMD-5962-87676 REV A-1988 硅单块 64K X4动态随机存取存储器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 硅单片256 X 4静态记忆体复位互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-96728-1995 抗辐射互补金属氧化物半导体静态16-BIT微处理器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96702 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重精密单稳多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 硅单片16千比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-86081 REV B-1996 硅单块 4096X4比特静态随机存取存储器,N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89524 REV B-2006 硅单片64K X 4静态存取存储器OE 互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-96623 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体8部静态转换寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96647 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体64部静态转换寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96818 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,八角母线三状态输出接收器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96862-1996 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96868-1996 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 互补金属氧化物半导体,128K X 8静态随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT母线接口和双稳态多谐振荡器转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 硅单片65536 X 1比特动态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92154 REV A-2001 硅单块 64K X 1静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 硅单片TTL兼容八进制透明锁存三态快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90847 REV F-2004 硅单块 互补金属氧化物半导体1MEGX4动态随机存取存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-96766 REV A-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体,256 X 8静态随机存储器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97543 REV C-2003 硅单片互补金属氧化物半导体,八角母线三状态接收器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制不可倒转的D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85124 REV E-2002 硅单块 三态数据选择器和多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85128 REV D-2003 硅单块 带三态输出八进制D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85152 REV F-2006 硅单块 256KX1动态随机存取存储器N沟道金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 硅单块 带三态输出的10比特D缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91612 REV B-2006 硅单块 256K X4静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-92078 REV H-2001 512KX8比特互补金属氧化物半导体,静态随机存取存储器,数字主储存器混合微型电路
• DLA SMD-5962-87758 REV G-2007 硅单片八进制双向收发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-92132 REV D-2006 硅单块 64K X4动态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-88544 REV C-2006 硅单片256K X 1低功耗静态存取存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-88545 REV C-2007 硅单片64K X 4低功耗静态存取存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-88610 REV F-2007 硅单片2K X 16双端口静态存取存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-88703 REV B-2000 硅单片四方2输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-86825 REV B-2003 硅单块 带三态输出的四方D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 硅单片TTL兼容三态输出八进制D调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96598 REV C-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体32步静态左右转换寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96850 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96857 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95820 REV A-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体静态时钟控制器或发生器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 硅单片16千(2048 X 8)比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 硅单块 带三态输入的八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91593-1993 硅单块 16K X4静态随机存取存储器,双互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91594-1994 硅单块 8K X8静态随机存取存储器,双互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-87692 REV B-1999 硅单块 带三态输出的8输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 硅单片8位通用移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86813 REV B-2003 硅单块 带三态输出的八进制D型止动销,高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-90858-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体64K X 16静态随机存取存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-86875 REV D-2006 硅单块 1KX8双口静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重64阶段静态移位寄存器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96704 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重J-K三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96711 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,三状态输出错误监测和改正,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96797 REV C-2004 互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线三状态输出接收器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-05212 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态保持16比特双稳态触发电路,低压氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87555 REV F-2007 硅单块 带三态输出八进制D型透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87693 REV A-2005 硅单块 带三态输出的双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88611 REV A-1991 硅单片K X 4静态存取存储器单独的输入/输出互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86705 REV F-2006 硅单块4X4比特静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主体存储器微型电路
• DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-88754 REV B-2000 硅单片8投入普遍转向/存储调节三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-96588 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角三状态输出透明闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96589 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角三状态输出透明闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96705 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96724 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体八角三状态输出透明闭锁装置硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96807-1996 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出八角缓冲器或驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96866-1996 互补金属氧化物半导体,八角透明的D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA MIL-DTL-26499 E-2006 呼吸用气氧态供应用柔性金属软管组件
• DLA SMD-5962-91508 REV C-2007 硅单块 16K X 8双门静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91604 REV A-2006 硅单块 带三态输出的四列2输入多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87592 REV B-2000 硅单块 1K X4高速静态随机存取存储器,N沟道金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
• DLA SMD-5962-87809 REV B-2006 硅单片八进制数反转总线收发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-95646 REV A-1996 先进互补金属氧化物半导体20-BIT母线接口D类闭锁,三状态输出硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95655 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制透明闭锁装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88706 REV D-2005 硅单片八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-90720 REV A-1992 硅单块 带三态输出8比特界面D型门闩线路,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86859 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体16比特X4静态随机存取存储器数字主体储存器微型电路
• DLA SMD-5962-87513 REV C-2006 硅单块4K X1和1K X4静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
• DLA SMD-5962-95845 REV C-2002 抗辐射互补金属氧化物半导体数字32K X 8静态噪声随机存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96819 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,八角母线三状态输出接收器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96890 REV A-2003 18-BIT低电压互补金属氧化物半导体通用母线三状态输出接收器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97542 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器

TR-TSE，关于稳态 半金属的标准

• TS 925-1971 离合摩擦衬片（金属、半金属和金属．陶瓷）

BR-ABNT，关于稳态 半金属的标准

• ABNT P-EB-307-1970 半金属瓦楞纸
• ABNT P-NB-159-1968 锅炉半金属螺旋接头的使用
• ABNT P-EB-234-1967 半金属螺旋接头，用于管道法兰
• ABNT P-NB-191-1970 有内衬得半金属波纹接头的使用
• ABNT P-NB-155-1967 管道法兰半金属螺旋接头的使用

国际电工委员会，关于稳态 半金属的标准

• IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• IEC 60749-36:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第36部分:稳态加速
• IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
• IEC 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验
• IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
• IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
• IEC 60749-4:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分:湿热,稳态,高加速应力试验
• IEC 60749-4:2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分:湿热,稳态,高加速应力试验
• IEC 60749-5:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验
• IEC 60749-5:2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验

HU-MSZT，关于稳态 半金属的标准

• MNOSZ 12400-1953 金属半成品颜色
• MNOSZ 19818-1954 贵金属半成品的检测
• MNOSZ 747-1951 半成品金属六边铜棒
• MNOSZ 2676-1956 轻金属铸造生的状态
• MSZ 7919/2-1988 坚硬焊料．金属结合稳定性检测
• MSZ 105/26-1982 金属，合金．拉伸强度试验冻结状态
• MSZ 8584-1966 半制成品和预有色金属及其合金术语
• MNOSZ 14415-1953 金属打磨机床的半径铣床移动概念
• MSZ 7920-1971 钢材，铁合金和其他金属硬接头粘合力稳定性检测
• MNOSZ 4471-1950 中下级高度点稳定设施．金属混凝土质地
• MNOSZ 12353-1952 黄铜金属半成品．拉伸成L形黄铜制品
• MI 12374-1979 非金属以及铸造产品原料和半成品概念的定义，表面错误 半成品及其合金
• MSZ 17785-1962 半硬金属抻拉的钢导线，冷轧螺母和铆钉
• MSZ 5704-1964 钢铁和金属技术检测．盘和柱半深度检测

行业标准-航天，关于稳态 半金属的标准

• QJ 967-1986 刚性非金属绝热材料中温稳态热传递特性测试方法
• QJ 966-1986 刚性非金属绝热材料低温稳态热传递特性测试方法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于稳态 半金属的标准

• GB/T 39859-2021 镓基液态金属
• GB/T 24522-2020 金属材料 低拘束试样测定稳态裂纹扩展阻力的试验方法
• GB/T 40809-2021 铸造铝合金 半固态流变压铸成形工艺规范

中国团体标准，关于稳态 半金属的标准

• T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
• T/GDC 5-2019 半固态铝合金压铸件通用技术条件
• T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
• T/TMAC 064-2023 金属及非金属矿山生态环境保护与修复技术规范
• T/GRM 037-2022 重金属尾矿库稳定层构建技术规范
• T/CNS 16-2020 金属和合金在液态铅合金中腐蚀减薄量测定
• T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
• T/BFTA 005-2023 生态产品认证技术规范 金属家具
• T/CASME 679-2023 边缘焊接动态金属波纹管技术要求
• T/CASAS 017-2021 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语
• T/GDGM 0007-2019 绿色设计产品评价技术规范 铝合金半固态压铸件
• T/ZMDS 60001-2022 CT球管高速滑动轴承用液态金属润滑剂
• T/ZSA 91-2021 桌面级液态金属印刷设备通用技术规范
• T/ACEF 065-2023 重金属污染土壤生态风险评估技术指南

法国标准化协会，关于稳态 半金属的标准

• NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
• NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
• NF A57-110*NF EN 577:1995 铝和铝合金.液态金属.规范
• NF EN 577:1995 铝和铝合金 液态金属 规格
• NF EN 62374-1:2011 半导体器件 - 第 1 部分：金属间化合物层的瞬态介电击穿 (TDDB) 测试
• NF C96-022-36*NF EN 60749-36:2003 半导体装置 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速
• NF A55-401:1982 有色金属冷轧铅制半成品.特性
• NF P24-351/A1:2003 金属细木工 窗、幕墙和金属框板 防腐及表面状态保护
• NF C80-204*NF EN 62418:2011 半导体器件 金属化应力空隙试验
• NF P24-351:1997 金属细木工.窗、幕墙和金属框板.防锈和表面状态的保护
• NF L10-005-2*NF EN 2032-2:1994 航空航天系列.金属材料.第2部分:交货状态中冶金状态代码
• NF EN 2032-2:1994 航空航天系列 - 金属材料 - 第 2 部分：交货状态冶金状态的编码。
• NF EN 2600:2018 航空航天系列金属半成品命名规则
• NF EN 4000:2002 航空航天系列金属材料金属半成品尺寸标准起草和表述规则
• NF L10-003*NF EN 2600:2018 航空航天系列金属半成品的命名规则
• NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
• NF C28-927*NF EN 10341:2006 以半成品状态交付的电冷轧非合金和合金钢板材和带材
• NF L10-015*NF EN 4000:2002 航空航天系列 金属材料 金属半成品用尺寸标准的绘图和表示规则
• NF A95-171:1993 金属粉末.除硬质合金外的金属粉末.在压坯和烧结状态下测定尺寸变化
• NF C96-022-4:2002 半导体装置.机械和气候试验方法.第4部分:湿热、稳态、高加速应力试验
• NF C96-022-5:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差寿命试验
• NF C96-022-5*NF EN 60749-5:2017 半导体器件 机械和气候试验方法 第5部分：稳态温度湿度偏置寿命试验
• NF C96-022-4*NF EN 60749-4:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 第4部分：湿热、稳态、高加速应力测试（HAST）
• NF EN 10341:2006 以半成品状态交货的非合金钢和合金钢冷轧磁性带材和板材
• NF EN 62418:2011 半导体器件 - 测试由金属化应力引起的腔体
• NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
• NF C28-926:1996 以半加工状态交付的冷轧合金电工钢片和电工钢带

德国标准化学会，关于稳态 半金属的标准

• DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• DIN 1725-5:1986 铝合金.铸造合金.金属块(锭).液态金属.成分
• DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
• DIN EN 577:1995-09 铝和铝合金 - 液态金属 - 规格
• DIN 1725-5 Bb.1:1986 铝合金.铸造合金.金属(锭).液态金属.成分.合金加工的说明
• DIN EN 60749-36:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第36部分:稳态加速
• DIN 9430-2:1984-12 航天;轻金属半成品抽样；变形铝合金
• DIN 9430-3:1984-12 航天;轻金属半成品抽样；钛及钛合金
• DIN EN 60749-36:2003-12 半导体器件 机械和气候测试方法 第36部分：加速度 稳态
• DIN 17470:1984 加热导体合金.圆金属丝和扁平金属丝的交付技术状态
• DIN 51367:1991-08 金属加工液测试；乳化金属加工液在硬水中稳定性的测定
• DIN EN 2032-2:1994-05 航天系列；金属材料；第2部分：交货状态冶金状态编码
• DIN EN 62418:2010-12 半导体器件-金属化应力空洞测试
• DIN 9430-3:1984 航空航天.轻金属半成品的取样.钛和钛合金
• DIN 9430-2:1984 航空航天.轻金属半成品的取样.锻造铝合金
• DIN EN 2032-2:1994 航空航天系列.金属材料.第2部分:供货状态下冶金状态标志
• DIN EN ISO 10070:2020-04 金属粉末 通过测量稳态流动条件下粉末床的空气渗透性来确定包络比表面积
• DIN EN 4000:2003-05 航空航天系列金属材料金属半成品尺寸标准起草和表述规则
• DIN 51367:1991 金属切削冷却剂的试验.硬水中乳化金属加工冷却剂稳定性的试验
• DIN EN 577:1995 铝和铝合金.液态金属.规范; 德文版本 EN 577:1995
• DIN EN 4000:2003 航空航天系列.金属材料.金属半成品尺寸标准的起草和说明规则
• DIN 9430-1:1984-12 航天;轻金属半成品抽样；变形铝合金、钛及钛合金；一般的
• DIN EN 2600:2019-03 航空航天系列金属半成品的命名规则
• DIN EN 2600:2019 航空航天系列金属半成品的命名规则
• DIN EN 2600:2018 航空航天系列金属半成品的命名规则
• DIN EN 10341:2006 以半成品状态交付的电冷轧非合金和合金钢板材和带材
• DIN EN 10341:2006-08 以半加工状态交货的冷轧非合金和合金电工钢板及钢带
• DIN EN 60749-4:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分:湿热、稳态、高加速应力试验
• DIN EN 60749-4:2017-11 半导体器件机械和气候试验方法第4部分：湿热、稳态、高加速应力试验
• DIN 9430-1:1984 航空航天.轻金属半成品的取样.锻造铝合金、钛和钛合金.概述
• DIN EN ISO 10070:2020 金属粉末 通过在稳态流动条件下测量粉末床的空气渗透性来确定包络比表面积（ISO 10070:2019）
• DIN EN 60749-5:2018-01 半导体器件机械和气候测试方法第5部分：稳态温度湿度偏置寿命测试
• DIN EN 60749-5:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差寿命试验
• DIN 31665:1993 滑动轴承.轴承金属的试验.静态应力下使用润滑剂时金属的耐腐蚀性
• DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试

英国标准学会，关于稳态 半金属的标准

• BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• BS EN 60749-36:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.稳态加速
• BS EN 60749-4:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.湿热、稳态态、高加速应力试验（HAST）
• BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
• BS EN 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验
• BS ISO 19819:2004 金属材料.液态氦中的抗拉试验
• BS EN 60749-5:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.稳态温度湿度偏差寿命试验
• BS EN 60749-4:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 湿热、稳态、高加速应力测试 (HAST)
• BS EN 60749-5:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 稳态温度湿度偏置寿命测试
• BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
• 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
• 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
• BS EN ISO 10070:2019 金属粉末 通过测量稳态流动条件下粉末床的空气渗透性来确定包络比表面积
• BS 6729:1987 金属材料动态断裂韧性测定方法
• BS EN 4000:2002 航空航天系列.金属材料.金属半成品的尺寸标准起草和说明规则
• BS EN 2600:2018 航空航天系列 金属半成品的名称 规则
• BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
• BS ISO 6282:2018 滑动轴承 金属薄壁半轴承 $Gs0，01*极限的确定
• 19/30369642 DC BS EN ISO 10070 金属粉末 通过测量稳态流动条件下粉末床的空气渗透性来确定包络比表面积
• 23/30469486 DC BS EN IEC 63378-2 半导体封装的热标准化 第 2 部分：用于稳态分析的分立半导体封装的 3D 热仿真模型
• BS EN 10341:2006 以半成品状态交付的冷轧电气非合金和合金钢薄板材和带材

台湾地方标准，关于稳态 半金属的标准

• CNS 7767-1981 带环（半圆金属线制）
• CNS 8556-1982 滑动轴承中耐摩擦金属摩擦状态之特性

丹麦标准化协会，关于稳态 半金属的标准

• DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
• DS/EN 577:1996 铝和铝合金 液态金属 规范
• DS/EN 60749-36:2003 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：加速度，稳态
• DS/EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
• DS/EN 4000:2002 航空航天系列 金属材料 金属半成品尺寸标准起草和表述规则
• DS/EN 10341:2006 以半加工状态交货的冷轧电工非合金和合金钢板和钢带
• DS 10601:1955 固态金属材料的热处理．术语和定义
• DS/EN 60749-5:2003 半导体器件机械和气候试验方法第5部分：稳态温度湿度偏置寿命试验
• DS/EN 60749-4/Corr.1:2004 半导体器件 机械和气候测试方法 第4部分：湿热、稳态、高加速应力测试（HAST）
• DS/EN 60749-4:2003 半导体器件 机械和气候测试方法 第4部分：湿热、稳态、高加速应力测试（HAST）
• DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试

ES-UNE，关于稳态 半金属的标准

• UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
• UNE-EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
• UNE-EN ISO 10070:2020 金属粉末 通过测量稳态流动条件下粉末床的空气渗透性来确定包络比表面积
• UNE-EN 4000:2001 航空航天系列金属材料金属半成品尺寸标准起草和表述规则
• UNE-EN 2600:2018 航空航天系列 金属半成品的命名 规则
• UNE-EN 60749-4:2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 4 部分：湿热、稳态、高加速应力测试 (HAST)
• UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试

行业标准-机械，关于稳态 半金属的标准

• JB/T 12555-2015 半固态镁合金注射成型机

行业标准-航空，关于稳态 半金属的标准

• HB 4-118-1996 金属导管半柔性连接
• HB 4-118-1983 金属导管半柔性连接
• HB 4-118-1976 金属导管半柔性连接
• HB/Z 352-2002 航空精密仪器仪表金属制件的尺寸稳定化处理

PL-PKN，关于稳态 半金属的标准

• PN H04310-1991 金属静态拉伸试验
• PN H04320-1957 金属静态压缩试验
• PN M82162-1960 金属端1d饰钉半精度长度
• PN M82164-1960 金属端2d饰钉半精度长度
• PN H04314-1991 金属．管的静态张力试验
• PN H01701-1973 有色金属半产品和产品标记
• PN H04311-1967 低温下金属静态延展测试
• PN M82163-1960 金属端1．25d双头螺旋半精确长度
• PN H04420-1988 金属．冶金半成品和产品，结构偏差的测量
• PN M55551-08-1986 金属切割机器．测量试件尺寸稳定性的方法
• PN M55551-10-1985 金属切割机器．测量试件直径稳定性的方法
• PN M55551-11-1987 金属切削机床．测量试件直径稳定性的方法
• PN M69717-1958 气体焊接．焊缝金属的静态可拉伸试验

韩国科技标准局，关于稳态 半金属的标准

• KS D 0068-2002(2022) 非晶态金属术语表
• KS D ISO 19819:2005 金属材料.液态氦中的抗拉试验
• KS D 0069-2002(2022) 非晶态金属结晶温度的测定方法
• KS D ISO 10070-2004(2019) 金属粉末－在稳态流动条件下通过测量粉末床对空气的渗透性测定包封比表面积
• KS D 0069-2002(2017) 确定非晶态金属的结晶温度的方法
• KS C IEC 60749-4:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分:湿热、稳态、高加速应力试验
• KS C IEC 60749-4:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法第4部分:潮湿热 稳态 高加速应力测试（HAST）

欧洲标准化委员会，关于稳态 半金属的标准

• EN 577:1995 铝和铝合金.液态金属.规范
• EN ISO 10070:2019 金属粉末 在稳态流动条件下粉末层的透气性试验外层表面区域的测定
• EN 2032-2:1994 航空航天系列.金属材料.第2部分:交货状态中冶金状态代码
• EN 4000:2001 航空航天系列.金属材料.金属半成品尺寸标准的起草和说明规则
• EN 10165:1995 以半加工状态交货的冷轧电工合金钢板和钢带
• EN 10126:1995 以半加工状态交货的冷轧电工非合金钢板和钢带

立陶宛标准局，关于稳态 半金属的标准

• LST EN 577-2000 铝和铝合金 液态金属 规范
• LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）
• LST EN 60749-36-2003 半导体器件 机械和气候测试方法 第36部分：加速度，稳态（IEC 60749-36:2003）
• LST EN 4000-2002 航空航天系列 金属材料 金属半成品尺寸标准起草和表述规则
• LST EN 2032-2-2001 航空航天系列金属材料第2部分：交货状态下的冶金状态编码
• LST EN 10341-2006 以半加工状态交货的冷轧电工非合金和合金钢板和钢带
• LST EN 62418-2010 半导体器件 金属化应力空洞测试（IEC 62418:2010）

AENOR，关于稳态 半金属的标准

• UNE-EN 577:1996 铝和铝合金 液态金属 规范
• UNE-EN 60749-36:2004 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：加速度，稳态
• UNE-EN 2032-2:1996 航天系列 金属材料 第2部分：交货状态下冶金状态的编码
• UNE-EN 10341:2008 以半加工状态交货的冷轧电工非合金和合金钢板和钢带
• UNE-EN 60749-5:2003 半导体器件 机械和气候测试方法 第5部分：稳态温度湿度偏置寿命测试
• UNE-EN 60749-4:2003 半导体器件 机械和气候测试方法 第4部分：湿热、稳态、高加速应力测试（HAST）

欧洲电工标准化委员会，关于稳态 半金属的标准

• EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
• EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
• EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
• EN 60749-36:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第36部分:稳态加速 IEC 60749-36-2003
• EN 60749-4:2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验
• EN 60749-5:2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验

国家质检总局，关于稳态 半金属的标准

• GB/T 43096-2023 金属粉末 稳态流动条件下粉末层透过性试验测定外比表面积
• GB 5482-1993 金属材料动态撕裂试验方法
• GB/T 5482-1993 金属材料动态撕裂试验方法
• GB/T 5482-2023 金属材料 动态撕裂试验方法
• GB/T 5482-2007 金属材料动态撕裂试验方法
• GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
• GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
• GB/T 4937.4-2012v 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST)
• GB/T 4937.4-2012 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）

美国保险商实验所，关于稳态 半金属的标准

• UL 2565-2013 手动和半自动金属锯床
• UL 2565 BULLETIN-2007 UL 安全手动和半自动金属锯床标准
• UL SUBJECT 2565-2007 手动和半自动金属锯床调查大纲（第 1 期）

TH-TISI，关于稳态 半金属的标准

• TIS 1035-1991 液态金属抛光剂标准

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• NAVY MIL-H-22343 A NOTICE 1-1997 液态氧金属软管组件
• NAVY MIL-H-22343 A (2)-1981 液态氧金属软管组件
• NAVY MIL-H-22343 A-1968 液态氧金属软管组件

未注明发布机构，关于稳态 半金属的标准

• BS EN 2032-2:1994(1999) 金属材料 第2部分：交货状态冶金状态编码
• BS EN 2600:2018(2019) 航空航天系列金属半成品命名规则

行业标准-化工，关于稳态 半金属的标准

• HG/T 3692-2001 金属膜片式稳压阀技术条件

CZ-CSN，关于稳态 半金属的标准

• CSN 25 1141-1962 半装入金属盒式便携钢尺
• CSN 25 1140-1962 半装入金属盒式便携钢尺
• CSN 42 1304-1989 有色金属和合金的半成品与成品．标记
• CSN 42 0480-1982 铝和铝合金．液态金属中氢含量的测定
• CSN 20 0465-1989 金属加工机械半自动铰孔机尺寸系列
• CSN 42 0340-1982 金属材料的动态撕裂能的标准测试方法

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• GOST 27861-1988 有色金属及其合金的毛坯和半成品.标志
• GOST 21132.0-1975 铝和铝合金.液态金属中氢含量测定法
• GOST 2171-1990 有色金属和合金件,产品,半成品和坯料.等级标识
• GOST 25501-1982 有色金属及其合金的坯料及半制品.术语及定义
• GOST R 52915-2008 自动和半自动金属制造机械.安全要求
• GOST 24047-1980 有色金属及其合金的半成品.拉伸试验样品的抽取
• GOST 31542-2012 自动和半自动金属成形机械.安全性要求
• GOST 9.901.4-1989 ЕСЗКС.金属和合金.单轴拉伸状态下样品的腐蚀破裂试验

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• SIS SS-ISO 8044:1989 金属与合金腐蚀状态．术语及释义
• MNC 545-1971 轻金属半成品瑞典标准概述（管除外）
• MNC 570-1970 各种金属半成品瑞典标准概述．带和线
• MNC 580-1992 金属材料．半成品．交货的技术要求．概述

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• 54.8-1988 LMR 工厂中的液态金属防火

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• SNV 81506-1948 铜塑性合金．铜，锡合金（锡青铜）半成品．机械属性
• SN ISO 3616:1979 铜塑性合金．铜；镍；锌合金（锌白铜）半成品，机械属性

PH-BPS，关于稳态 半金属的标准

• PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验

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• ISO 19819:2004 金属材料.液态氦中的抗拉试验
• ISO 10070:2019 金属粉末 - 在稳态流动条件下 通过测量粉末床的空气渗透性测定包络比表面积
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• FORD M5J3-A-1990 灰色金属办公设备用半光瓷漆
• FORD WSK-M11P54-A-2013 性能，半结构粘合剂，聚氨酯，金属对金属，两种成分 ***与福特 WSS-M99P1111-A 一起使用***

BE-NBN，关于稳态 半金属的标准

• NBN E 27-108 金属螺钉．半圆开裂铣切头螺钉
• NBN-EN 23134-2-1992 轻金属及其合金．术语和定义．第2部分：未加工形态

IT-UNI，关于稳态 半金属的标准

• UNI 5506-1964 软金属的特殊用途机械半圆锉
• UNI 6863-1971 可变形金属小管用半钢性塑料护套
• UNI 2877-1945 化学实验室用器具．半球形金属水浴器
• UNI 5148-1963 纺织品：颜色稳固性试验，颜色在染色浸泡中对金属（铬盐）的稳固性
• UNI 5149-1963 纺织品：颜色稳固性试验，颜色在染色浸泡中对金属（铁和铜）的稳固性

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于稳态 半金属的标准

• JEDEC JEP184-2021 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南

美国国家标准学会，关于稳态 半金属的标准

• ANSI/ASTM E604:1983 金属材料动态撕裂试验方法
• ANSI/ASTM D4388:2013 非金属半导体和电绝缘胶带用规范
• ANSI/UL 2565-2013 半自动金属锯切机械用安全性标准
• ANSI/ASTM D4325:2013 非金属半导体和电绝缘胶带用试验方法

国家军用标准-总装备部，关于稳态 半金属的标准

• GJB 8375-2015 金属材料动态扭转试验方法
• GJB 8374-2015 金属材料动态拉伸试验方法
• GJB 8799-2015 金属材料动态压缩试验方法

YU-JUS，关于稳态 半金属的标准

• JUS M.C3.366-1988 普通轴承．金属薄焊半轴承．R0.01尺寸
• JUS M.K3.010-1989 建筑硬件．金属表面材质和状态符号
• JUS N.R3.151-1981 金属膜电阻器．低功率，高稳定性，气候特性55/155/21
• JUS M.C3.356-1989 滑动轴承．加压双金属半推力垫圈．特征与公差

美国航空工业协会/国家航天工业标准，关于稳态 半金属的标准

• AIA/NAS NAS 384-1964 (Rev. 1)金属片半圆头插槽100度螺杆
• AIA/NAS NAS 385-1981 (Rev. 2)金属片半圆头插槽82度螺杆

行业标准-建材，关于稳态 半金属的标准

• JC/T 2024-2010 陶瓷金属卤灯用半透明氧化铝管

ES-AENOR，关于稳态 半金属的标准

• UNE 38-040-1986 轻金属及其合金的半加工产品．术语和定义

行业标准-铁道，关于稳态 半金属的标准

• TB/T 2985-2000 金属材料的动态撕裂试验方法

行业标准-电子，关于稳态 半金属的标准

• SJ 20287-1993 半导体集成电路JT54LS123型LS-TTL双可重触发单稳态触发器详细规范
• SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
• SJ 51929/2-1996 RJ24型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 51929.4-1995 RJ52型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 51929.5-1995 RJ53型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 51929.6-1995 RJ54型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 51929.7-1995 RJ55型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 51929.8-1995 RJ56型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 51929/10-2000 RJ57型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 51929/9-1997 RJ23型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 51929/11-2000 RJ58型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 51929/3-1996 RJ25型高稳定金属膜固定电阻器详细规范
• SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
• SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
• SJ 50597/39-1996 半导体集成电路 JC54HC221型HCMOS双单稳态触发器（斯密特触发输入）详细规范
• SJ/Z 9175-1995 录像机用0.25W高稳定金属膜电阻器认定规范
• SJ/T 10176-1991 半导体集成电路金属菱形外壳详细规范

KR-KS，关于稳态 半金属的标准

• KS B 0611-2022 机械零件的半径（金属板的冲压加工）
• KS C IEC 60749-4-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法第4部分:潮湿热 稳态 高加速应力测试（HAST）

美国机动车工程师协会，关于稳态 半金属的标准

• SAE AMS4017J-1991 变形硬化的、半硬度和稳定的铝合金薄板和板2.5Mg 0.25Cr
• SAE AMS4017J-1995 铝合金板材和板材 2.5Mg 0.25Cr（5052-H34）应变硬化、半硬和稳定
• SAE AMS4595-2018 铜镍锡合金板 77Cu 15Ni 8Sn 固溶退火和稳态硬化（TX 00）
• SAE J1106-2012 用于测量客车轮胎稳态力和力矩属性的实验室试验机
• SAE AMS4782E-1995 1975至2075°F(1080-1135℃)固态至液态范围的硬钎焊填充金属71Ni 10Si 19Cr镍合金
• SAE AMS4779F-1995 1800至1950°F(982-1066℃)固态至液态范围的硬钎焊填充金属94Ni 3.5Si 1.8B镍合金
• SAE AMS4017K-2017 铝合金板材和板材 2.5Mg 0.25Cr（5052-H34）应变硬化、半硬和稳定化
• SAE AMS4017K-2004 应变硬化的、半硬度和稳定的铝合金薄板和板2.5Mg 0.25Cr(5052-H34)
• SAE AMS4777F-1995 1780至1830°F(971-999℃)固态至液态范围的硬钎焊填充金属82Ni 4.5Si 7.0Cr 3.1B 3.0Fe镍合金
• SAE AMS4775G-1995 1790至1970°F(977-1077℃)固态至液态范围的硬钎焊填充金属73Ni 0.75C 4.5Si 14Cr 3.1B 4.5Fe镍合金
• SAE J1107-2012 客车轮胎的稳定态力和力矩属性测量用实验室测试机和规程
• SAE AMS4776F-1995 1790至1970°F(977-1077℃)固态至液态范围的硬钎焊填充金属73Ni 4.5Si 14Cr 3.1B 4.5Fe(低碳)镍合金
• SAE AMS4994-1992 热等静态压力的硬质粉末金属产品的6AL 4V的钛合金
• SAE AMS4994A-2006 热等静态压力的硬质粉末金属产品的6AL 4V的钛合金

农业农村部，关于稳态 半金属的标准

• NY/T 1860.38-2016 农药理化性质测定试验导则 第38部分：对金属和金属离子的稳定性

行业标准-电力，关于稳态 半金属的标准

• DL/T 1702-2017 金属氧化物避雷器状态检修导则
• DL/T 1703-2017 金属氧化物避雷器状态评价导则

CN-QIYE，关于稳态 半金属的标准

• Q/GDW 453-2010 金属氧化物避雷器状态检修导则

美国宇航局，关于稳态 半金属的标准

• NASA NACA-TN-1197-1947 硬化金属汽缸VIII一般稳定性的一些研究.承受纯扭矩的硬化金属汽缸

CEN - European Committee for Standardization，关于稳态 半金属的标准

• EN 2600:2018 航空航天系列金属半成品的命名规则

行业标准-有色金属，关于稳态 半金属的标准

• YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

国家军用标准-国防科工委，关于稳态 半金属的标准

• GJB 5372-2005 金属材料动态冲击仪器化试验方法

美国材料与试验协会，关于稳态 半金属的标准

• ASTM E604-83(2008) 金属材料动态撕裂的标准试验方法
• ASTM D4388-20 非金属半导体和电绝缘橡胶带的标准规范
• ASTM E604-83(1994) 金属材料动态撕裂试验的标准试验方法
• ASTM E604-83(2002) 金属材料动态撕裂试验的标准试验方法
• ASTM E604-83 金属材料动态撕裂试验的标准试验方法
• ASTM E604-18 金属材料动态撕裂试验的标准试验方法

(美国)军事条例和规范，关于稳态 半金属的标准

• ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-C-10578 D NOTICE 3-1998 除腐蚀及金属形态调整混合物(磷酸基)
• ARMY MIL-C-10578 D REINST NOTICE 2-1998 除腐蚀及金属形态调整混合物(磷酸基)
• ARMY MIL-C-10578 D (3)-1988 除腐蚀及金属形态调整混合物(磷酸基)
• ARMY MIL-C-10578 D-1982 除腐蚀及金属形态调整混合物(磷酸基)
• ARMY MIL-P-63423 B (4)-1986 XM833式105 mm尾翼稳定脱壳穿甲弹(APFSDS)用金属件组件

欧洲航空工业协会，关于稳态 半金属的标准

• AECMA PREN 2600-1987 航空航天系列金属半成品产品规则指定
• AECMA PREN 3848-1994 航空航天系列半成品金属产品背离测量
• AECMA PREN 3848-1996 航空航天系列半成品金属产品背离测量

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization，关于稳态 半金属的标准

• PREN 3848-1994 航天系列金属半成品偏差测量方法（P1版）
• PREN 3848-1996 航天系列金属半成品偏差测量方法（P2版）
• PREN 2600-1987 航空航天系列金属半成品命名规则（P1版）
• PREN 4000-1997 航空航天系列金属材料金属半成品尺寸标准的起草和表述规则（P 2 版）

SAE - SAE International，关于稳态 半金属的标准

• SAE AMS4017H-1989 铝合金板材和板材 2.5Mg 0.25Cr（5050-H34）应变硬化 半硬 和稳定化（UNS A95052）
• SAE AMS4017L-2018 铝合金薄板和板材 2.5Mg 0.25Cr（5052-H34）应变硬化 半硬 和稳定化（UNS A95052）

ZA-SANS，关于稳态 半金属的标准

• SANS 367:2005 滑动轴承．金属薄壁半轴承．σ-0．01 *-限值的测定

本站其他标准专题： 稳态 半金属，半金属半人类，贵金属/半金属，贵金属半金属，同心半金属，通道半金属，延长半金属，半金属 通，半金属生物，线 半金属，半金属等，石墨 半金属，半金属 石墨，节线半金属，石棉半金属，半金属扣，半金属 自旋，线性半金属，金属的半电位，半金属粉末。

 

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