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半导体+红外 探测
本专题涉及半导体+红外 探测的标准有61条。
国际标准分类中，半导体+红外 探测涉及到电子元器件综合、光电子学、激光设备、半导体分立器件、建筑材料、辐射测量、核能工程、分析化学、半导体材料、词汇、长度和角度测量。
在中国标准分类中，半导体+红外 探测涉及到半导体整流器件、基础标准与通用方法、半导体发光器件、电子技术专用材料、传感元件、粘结材料、、半导体二极管、核仪器与核探测器综合、核探测器、半金属与半导体材料综合、电子光学与其他物理光学仪器、电子测量与仪器综合、光电子器件综合。
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于半导体+红外 探测的标准
- JEDEC JEP78-1969 半导体红外线探测仪的相对频谱响应曲线
行业标准-电子，关于半导体+红外 探测的标准
- SJ/T 11067-1996 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
- SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法.总则
- SJ 2757-1987 重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法
- SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法
- SJ 50033/41-1994 GR9414型半导体红外发射二极管详细规范
- SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则
- SJ 2658.2-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向压降测试方法
- SJ 2658.3-1986 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法
- SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容
- SJ 2658.7-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射通量的测试方法
- SJ 2658.10-1986 半导体红外发光二极管测试方法.调制宽带的测试方法
- SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
- SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压
- SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻
- SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率
- SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量
- SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度
- SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽
- SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间
- SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率的测试方法
- SJ 2658.8-1986 半导体红外发光二极管测试方法.法向辐射率的测试方法
- SJ 2658.5-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向串联电阻的测试方法
- SJ 2658.11-1986 半导体红外发光二极管测试方法.脉冲响应特性的测试方法
- SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法
- SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率
- SJ 2658.9-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射强度空间分布和半强度角的测试方法
- SJ 51206/1-1995 Ｈ２０ＤＪＩ型节流制冷光导硫化铅红外探测器详细规范
- SJ 50033/110-1996 半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范
- SJ 53930/1-2002 半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范
国家军用标准-总装备部，关于半导体+红外 探测的标准
- GJB 33/15-2011 半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范
- GJB 1206/3-1994 室温光导硫化铅红外探测器详细规范
- GJB 1206/2-1994 制冷光导锑化铟红外探测器组件详细规范
RU-GOST R，关于半导体+红外 探测的标准
- GOST 19834.4-1979 红外辐射半导体二极管.辐射功率测量方法
- GOST 23448-1979 半导体红外线辐射二极管.基本尺寸
- GOST 19834.5-1980 红外辐射半导体二极管.辐射脉冲时间参数测量方法
- GOST 26222-1986 电离辐射半导体探测器.参数测量方法
- GOST 18177-1981 电离辐射半导体探测器.术语和定义
行业标准-航天，关于半导体+红外 探测的标准
- QJ 1925-1990 233K光导锑化铟红外探测器技术条件
行业标准-建材，关于半导体+红外 探测的标准
- JC/T 439-1991 红外探测器窗口用硫化锌晶体
工业和信息化部，关于半导体+红外 探测的标准
- JC/T 439-2021 红外探测器窗口用硫化锌晶体
- SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻
- SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温
国家质检总局，关于半导体+红外 探测的标准
- GB/T 5201-1994 带电粒子半导体探测器测试方法
- GB/T 5201-2012 带电粒子半导体探测器测量方法
- GB/T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法
- GB/T 20726-2006 半导体探测器X射线能谱仪通则
中国团体标准，关于半导体+红外 探测的标准
- T/CSTM 00316-2022 光电晶体 热释电红外探测用钽酸锂晶体
德国标准化学会，关于半导体+红外 探测的标准
- DIN 50449-2:1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
- DIN 50448:1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
RO-ASRO，关于半导体+红外 探测的标准
- STAS 10810-1976 半导体探测器的核辐射．分类及术语
- STAS 12258/6-1987 光电半导体器件．红外发射二极管术语和基本特性
CZ-CSN，关于半导体+红外 探测的标准
- CSN 35 8850 Cast.2-1984 半导体辐射探测器．测量方法的主要参数
- CSN 35 6576-1982 电离辐射的半导体探测器．类型和规格
- CSN 35 6577-1982 带有半导体电离辐射探测器的监测器．规范
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于半导体+红外 探测的标准
- IEEE 300-1988 半导体带电粒子探测器的标准测试程序
- IEEE 300-1982 半导体带电粒子探测器的标准测试程序
美国电气电子工程师学会，关于半导体+红外 探测的标准
- IEEE Std 300-1988 半导体带电粒子探测器的 IEEE 标准测试程序
- ANSI/IEEE Std 300-1982 半导体带电粒子探测器的 IEEE 标准测试程序
未注明发布机构，关于半导体+红外 探测的标准
- IEEE Std 300-1988(R2006) 半导体带电粒子探测器的 IEEE 标准测试程序
SE-SIS，关于半导体+红外 探测的标准
- SIS SS IEC 333:1986 核检测仪表．半导体带电微粒探测器测试程序
