GB/T 29506-2013
300mm 硅单晶抛光片

300 mm polished monocrystalline silicon wafers

GBT29506-2013, GB29506-2013

GB/T 29506-2013 发布历史

GB/T 29506-2013由国家质检总局 CN-GB 发布于 2013-05-09，并于 2014-02-01 实施。

GB/T 29506-2013 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片的最新版本是哪一版？

最新版本是 GB/T 29506-2013 。

GB/T 29506-2013 发布之时，引用了标准

• GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
• GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
• GB/T 14140 硅片直径测量方法
• GB/T 14264 半导体材料术语
• GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法*， 2018-12-28 更新
• GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
• GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法*， 2023-08-06 更新
• GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法*， 2018-09-17 更新
• GB/T 1558 硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
• GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法*， 2018-12-28 更新
• GB/T 19922 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
• GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法*， 2015-12-10 更新
• GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法
• GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
• GB/T 29504 300mm 硅单晶
• GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
• GB/T 29508 300mm 硅单晶切割片和磨削片
• GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
• GB/T 6616 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法*， 2023-08-06 更新
• GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
• YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法*， 2016-07-11 更新
• YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法*， 2018-10-22 更新

* 在 GB/T 29506-2013 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

GB/T 29506-2013的历代版本如下：

• 2013年 GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片

本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。

标准号

GB/T 29506-2013

别名

GBT29506-2013
GB29506-2013

发布

2013年

发布单位

国家质检总局

当前最新

GB/T 29506-2013

 

 

引用标准

GB/T 11073 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 1550 GB/T 1554 GB/T 1555 GB/T 1557 GB/T 1558 GB/T 19921 GB/T 19922 GB/T 24578 GB/T 26067 GB/T 2828.1 GB/T 29504 GB/T 29507 GB/T 29508 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6624 SEMI MF 1390 YS/T 26 YS/T 679

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