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非赝电容氧化物
本专题涉及非赝电容氧化物的标准有453条。
国际标准分类中，非赝电容氧化物涉及到集成电路、微电子学、有色金属、电容器、电阻器、电工器件、半导体分立器件、绝缘、绝缘材料、阀门、航空航天制造用材料、电线和电缆、电学、磁学、电和磁的测量、与食品接触的物品与材料、钢铁产品、输电网和配电网、绝缘流体、印制电路和印制电路板、无线通信、包装材料和辅助物、光纤通信、消防。
在中国标准分类中，非赝电容氧化物涉及到避雷器、半导体集成电路、、电容器、电子元件综合、半导体分立器件综合、计算机应用、微电路综合、电缆及其附件、阀门、航空与航天用金属铸锻材料、电工绝缘材料及其制品、稀有金属及其合金分析方法、标准化、质量管理、电阻器、电子测量与仪器综合、钢板、钢带、绝缘油、标志、包装、运输、贮存、广播、电视发送与接收设备、光通信设备、印制电路、电子技术专用材料。
美国国防后勤局，关于非赝电容氧化物的标准
- DLA MIL-PRF-39018/2 F-2009 电容器，固定，电解（氧化铝）（非极化），型号 CU14（未绝缘）和 CU15（绝缘）
- DLA SMD-5962-89746 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89843 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重输入非与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89703 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,三重三输入或非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89751 REV B-2005 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入非与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92181 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,双重2输入非与门,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92182 REV B-2004 硅单片,TTL兼容输入,三重3输入非与门,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA QPL-39018-72-2007 电解(氧化铝)固定电容器确定可靠性和非确定可靠性一般规格
- DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三重三输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-PRF-39018 F-2006 有可靠性和非既定的可靠性固定(氧化铝)指标电容器一般规格
- DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 硅单片,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 硅单片,两重4输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 硅单片,四重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 硅单片,两重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重与非门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入方形2输入非与门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96782 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96783 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-87723-1987 硅单块 13输入是非门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89630 REV A-2001 硅单片,双重氧化物半导体可兼容差动线路接收器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
- DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96829 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或线型非倒相三状态兼容输入驱动器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-95724 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95777 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95778 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 硅单片,TTL可兼容输入,六位倒相器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-81020 REV F-2006 硅单片单稳多谐振荡器/非稳多谐振荡器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 硅单块 四列二输入是非门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87610 REV C-2004 硅单块 三倍三输入是非门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 硅单块 四列二输入非与门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特非倒相八角缓冲器或三状态输出驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96726 REV D-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八线缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95650 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95651 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95652 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体三倍输出量与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89734 REV E-2007 硅单片,TTL可兼容输入,六角倒相器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89844 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,8输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96530 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体六角非倒相缓冲器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96639 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体双重2宽度2输入与非门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96640 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体扩展4宽度2输入与非门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-89709 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重三输入是门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77046 REV F-2005 硅单片装有施米特触发器与非门四重2输入氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89845 REV C-2002 硅单片,双重2输入非与门施米特触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95744 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95751 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95759 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线收发器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95775 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96637 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96644 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体双重2与非缓冲器或驱动器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96797 REV C-2004 互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线三状态输出接收器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位可寻址锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 硅单片TTL兼容10位放大镜调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88624-1988 硅单片TTL兼容可编程N计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90652 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96641 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96705 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转八进制透明闩锁,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89731-1989 硅单片,TTL可兼容输入,8位同位锁存收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89890 REV A-1999 硅单片,TTL可兼容输入,双重4级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90669-1992 硅单片,TTL可兼容输入,二进升值/降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90687 REV C-2004 硅单片,TTL可兼容输入,四重2输入异或门,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 硅单片TTL兼容输入8输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89951-1990 硅单片,256 X 4位非易失随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT奇偶校验,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97528-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97571-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95761 REV A-2007 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出缓冲器或时钟驱动器,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-90505 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,双重4输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 硅单片TTL兼容八进制透明锁存三态快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 硅单片TTL兼容计数器同步二元预定快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90611 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,电可擦可编程序只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95726 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95803 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相四重三状态输入缓冲器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89688 REV C-2004 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入多路复用器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89689 REV C-2003 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入多路复用器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,12级行波进位二进计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 硅单片TTL兼容输入14阶段二元计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 硅单片TTL兼容三态输出八进制D调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 硅单片TTL兼容输入四方双输入与通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87647 REV B-2006 硅单块 四列2输入是非门,开路漏极输出,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96542 REV F-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,18-BIT母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90574-1990 硅单片,TTL可兼容输入,8位同步二-十进降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-90651 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的四重缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90654 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,模拟多路复用器/信息分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93097 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,可编程视频同步信号发生器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-96707 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角双向的三状态输出母线收发器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 互补金属氧化物半导体,16-BIT的25欧姆串联电阻器母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制闭锁晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92206-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,双重双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体4-BIT二元全加速晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,16-BIT接收器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 硅单片,TTL兼容输入及输出,可编程低失真时钟驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-89745 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,3线至8线解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89771 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有振动器的14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90686-1999 硅单片,TTL可兼容输入,装有明沟输出的六位反向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-96594 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96595 REV C-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95810 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,错误监测和改正三状态输出电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 硅单片,TTL兼容输入,装有施米特触发器的六位倒向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的10位透明锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88674-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口调节输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 硅单片TTL兼容输入锁相环与压控振荡器高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-87629 REV D-2003 硅单块 带三态输出的非倒转八进制总线接收器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94750-1995 互补金属氧化物半导体串联存取受控网络,和并串联转换器晶体管兼容输出硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 硅单块 方形2输入和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96725 REV D-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体八角三状态输出透明闭锁装置晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角透明的D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出16-BIT缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT母线三状态输出改变和转换,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位串联输入/并联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89741-1990 硅单片,TTL可兼容输入,装有I/P锁存器的八位移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87761 REV A-2005 硅单片TTL输入兼容双4输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入4位二进制向上/向下计数器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入4位二进制向上/向下计数器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88675-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口锁存器输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 硅单片TTL兼容8位普遍移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线三状态输出无线电收发机,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97529-1998 低电压互补金属氧化物半导体,八角母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特缓冲/线驱动,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-06244 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特双向收发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89599 REV A-2003 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的8输入多路复用器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89693 REV B-1999 硅单片,TTL可兼容输入,四重D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的反向八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87757 REV B-2005 硅单片TTL输入兼容十六进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-88651 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入八进制透明锁存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88704 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89556 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型锁存器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89557 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92233 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有使能的八分之一解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92236 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的3到8阵列译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制易识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双十进制波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线接收器双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,8-BIT连续平行转换寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT上下二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器或监测器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96697-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出母线交换开关,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT到9-BIT三状态输出母线收发器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 双极的互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角母线接收器和寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96775 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,16-BIT入射波开关母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT母线接收器和同等22欧姆输出,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体3.3伏特16-BIT三状态输出寄存转换器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95747 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角透明三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95767 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重2-BIT双稳透明闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95836-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角触发D类三转台输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-06233 REV A-2007 硅单片LVTTL兼容输入输出,最小偏斜1-8时钟脉冲驱动器,低压氧化物半导体耐辐射数字微型电路
- DLA SMD-5962-89700 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的可再触发单稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89705 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的六位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的正向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的反向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89847 REV C-2002 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92188 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92196 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位双向收发器/锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器及线路驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93115 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向可连续控制存取网络,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93116 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向可连续控制存取网络,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88759 REV A-2001 硅单片TTL兼容输入四方D型触发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT母线接口和双稳态多谐振荡器转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94698-1996 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发和寄存器自主式自动导航系统,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92147 REV B-1998 硅单块 带非倒转三态输出的八进制缓冲器或驱动器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双8选1译码器或多路分解器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 互补金属氧化物半导体数字的三状态输入八进制D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 抗辐射高速互补金属氧化物半导体数字的8-BIT连续或平行改变寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92234-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有单片使能的8位恒等比较器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅单块 八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,可预先设置同步4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96747-1997 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT双向的数据总线扫描路径选择器晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 双极的互补金属氧化物半导体,10-BIT母线接口D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体三状态输出9-BIT母线接口D类闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95740 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相3到8行码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95746 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT三状态输出整体改变计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95753 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重2到4行码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95763 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95772 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95835-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发自主式自动导航系统,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,已注册整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的10位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-89708 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态反向输出的双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89769 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有数据启动的八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87759 REV D-2005 硅单片TTL输入兼容八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-87760 REV H-2007 硅单片TTL输入兼容八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-92184 REV B-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92185 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92186 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92189 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92190 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92194 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位双向收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有8位奇偶发生器/校验器的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92199 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的十位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位锁存的收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4选1译码器或多路分解器,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91732-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的缓冲器或钟驱动器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92240 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向明沟输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92242 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92243-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位反向双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92246 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92259 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92263 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位锁存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92264 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92268 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的20位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,双重2行到4行解码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96717 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路激励器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器和重新安排,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可预先调整的同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的双重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95776 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输入行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95606 REV A-2007 先进双极互补金属氧化物半导体,八进制无线电收发器或线路激励器三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92273 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92280 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的18位总线接口,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93020-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89701 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的四重D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89733 REV B-1992 硅单片,TTL可兼容输入,微波计时器及装有预设置的升值/降值二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 硅单片,TTL兼容输入,装有双重使动及三态输出的八位锁存的收发器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93118 REV B-1994 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的可连续控制存取网络及透明锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93127 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向线路驱动器及可连续控制存取网络,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位收发器及锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94587 REV B-1999 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入及串联继电器的16位正向缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-91725-1994 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或驱动放大器三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92204 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向八位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有异步复位的4位可预设置二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92228-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的十位总线接口锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92229 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的九位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92230 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的八位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92237 REV C-2006 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双2比特双稳定易被识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96886 REV B-2002 互补金属氧化物半导体,12-BIT类似体对数字转换器连续控制和11类似体输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型数字微电路
- DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95614-1995 先进双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线无线电收发机扫描测试装置,三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92270 REV D-1997 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92272 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及正向三态输出的16位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92276 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92278 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92282-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的20位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92283 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93025-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的八位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-06245 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特D型双稳态多谐振荡器触发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-89658 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93217 REV B-1995 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93220 REV C-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91724-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92211 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92232-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96698-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出收发机和寄存器扫描系统装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类阳性触发三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95647 REV B-1998 先进互补金属氧化物半导体3.3 V,16-BIT电子数据采集设备D类双稳态多谐振荡器,三状态输出和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92281-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的20位正向缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93019-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-06240 REV A-2007 硅单片装有TTL可兼容输入输出,有正相三态输出的奇偶发生器及奇偶校验器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94615 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的寄存的总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94616 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93141 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出及奇偶发生器/校验器的9位可锁存收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 硅单片,TTL兼容输入,装有时钟使能的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
GOSTR，关于非赝电容氧化物的标准
- GOST 28309-1989 氧化物电解铝固定电容器 防爆试验方法
国家能源局，关于非赝电容氧化物的标准
- NB/T 42152-2018 非线性金属氧化物电阻片通用技术要求
内蒙古自治区标准，关于非赝电容氧化物的标准
- DB15/T 925-2015 单一稀土氧化物中非稀土杂质化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定氧化铝、氧化铬、氧化锰、氧化钴、氧化镍、氧化铜、氧化锌、氧化铅、氧化镉和氧化砷含量
英国标准学会，关于非赝电容氧化物的标准
- BS EN 60384-4:2007 电子设备用固定电容器.分规范.采用固体二氧化锰(MnO2)和非固体电解质的铝电解电容器
- BS EN 60811-403:2012 电缆和光缆.非金属材料试验方法.各类试验.交联化合物耐氧性试验
- BS CECC 40101 019:1977 固定小功率非绕线绝缘电阻器详细规范.螺旋形切割金属氧化物薄膜.全面评定级
- BS EN 10335:2005 包装用钢.与人和动物消费用食品、产品或饮料接触的扁平钢制品.非合金电解铬/氧化铬镀钢
韩国科技标准局，关于非赝电容氧化物的标准
- KS C 4808-2011(2016) 聚合物 - 容纳金属氧化物避雷器而不对配电线路上的间隙
- KS C IEC 60811-403-2014(2019) 电缆和光缆 - 非金属材料的试验方法 - 第403部分:杂项试验 - 交联化合物的耐臭氧试验
- KS C IEC 61249-2-21:2006 印刷电路板和其他互联结构用材料.第2-21部分:包覆和非包覆增强基材.阻燃型铜包被的编织的E玻璃增强非卤化环氧化物层状薄板(垂直燃烧试验).
- KS C IEC 61249-2-12:2003 印刷电路板和其他互联结构用材料.第2-12部分:包覆和非包覆增强基底材料分规范装置、限定可燃性的铜包被的非编织的芳香聚酰胺层状环氧化物
德国标准化学会，关于非赝电容氧化物的标准
- DIN EN 60384-4:2007 电子设备用固定电容器.第4部分:分规范:采用固体(二氧化锰)和非固体电解质的铝电解电容器
- DIN EN 60384-18:2007 电子设备用固定电容器.第18部分:分规范:采用固体二氧化锰和非固体电解质的固定铝电解的表面安装电容器
- DIN EN 60384-4:2017 电子设备用固定电容器.第4部分:分规范:采用固体(二氧化锰)和非固体电解质的铝电解电容器(IEC 60384-4-2016);德文版本EN 60384-4-2016
- DIN EN 60384-18:2017 电子设备用固定电容器.第18部分:分规范:采用固体二氧化锰和非固体电解质的固定铝电解的表面安装电容器(IEC 60384-18-2016);德文版本EN 60384-18-2016
- DIN EN 10335:2005 包装用钢.与人和动物用食品、产品和饮料接触的扁平钢制品.非合金电解铬/氧化铬镀钢
- DIN EN 10335:2023-08 包装用钢 - 用于与人类和动物消费的食品、产品或饮料接触的扁钢产品 - 非合金电解铬/氧化铬涂层钢
- DIN EN 10335:2005-07 包装用钢 用于与人类和动物消费的食品、产品或饮料接触的扁钢产品 非合金电解铬/氧化铬涂层钢
- DIN EN 60811-403:2012 电缆和光缆. 非金属材料的试验方法. 第403部分: 杂项试验. 交联化合物的耐臭氧试验(IEC 60811-403-2012); 德文版本EN 60811-403-2012
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于非赝电容氧化物的标准
- GB/T 34869-2017 串联补偿装置电容器组保护用金属氧化物限压器
欧洲电工标准化委员会，关于非赝电容氧化物的标准
- EN 60384-4:2016 电子设备用固定电容器.第4部分:分规范.采用固体二氧化锰(MnO2)和非固体电解质的铝电解电容器
- EN 60384-4:2007 电子设备用固定电容器.第4部分:分规范.采用固体二氧化锰(MnO2)和非固体电解质的铝电解电容器［替代:CENELEC EN 130300］
- EN 60811-403:2012 电缆和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第403部分：杂项试验 交联化合物的耐臭氧试验
日本工业标准调查会，关于非赝电容氧化物的标准
- JIS C 5101-4:2010 电子设备用固定电容器.第4部分:分规范.带固体(二氧化锰MnO2)和非固体电解质的铝电解质电容器
- JIS C 5101-4:2019 电子设备用固定电容器. 第4部分: 分规范. 带固体(二氧化锰MnO2)和非固体电解质的固定式铝电解质电容器
- JIS C 5101-18:2010 电子设备用固定电容器.第18部分:分规范.带固体(二氧化锰MnO2)电解质和非固体电解质的固定式铝电解质表面安装电容器
- JIS C 5101-18:2019 电子设备用固定电容器. 第18部分: 分规范. 带固体(二氧化锰MnO2)电解质和非固体电解质的固定式铝电解质表面安装电容器
美国材料与试验协会，关于非赝电容氧化物的标准
- ASTM F1153-92(1997) 用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
行业标准-电子，关于非赝电容氧化物的标准
- SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
法国标准化协会，关于非赝电容氧化物的标准
- NF EN 61249-4-11:2006 印刷电路和其他互连结构用材料 第4-11部分：半固化片、非电镀材料的中间规格系列 非卤化非卤化 E 型环氧预浸料玻璃纤维织物
- NF C32-011-403*NF EN 60811-403:2012 电缆和光缆 非金属材料的试验方法 第403部分：杂项试验 耐臭氧试验交联化合物
- NF A36-703*NF EN 10335:2005 包装用钢 与人和动物消费用食品、产品或饮料接触的扁平钢制品 非合金电解铬/氧化铬镀钢
- NF EN 61249-2-37:2009 印刷电路和其他互连结构的材料 第2-37部分：增强基材 包层和非包层 层压环氧树脂非卤化、铜包层、阻燃 E 玻璃织物片材
- NF EN 61249-2-38:2009 印刷电路和其他互连结构的材料 第2-38部分：增强基材 包层和非包层 层压环氧树脂非卤化、铜包层、阻燃无碱玻璃织物片材
国际电工委员会，关于非赝电容氧化物的标准
- IEC 60811-403:2012 电缆和光缆.非金属材料试验方法.第403部分:各类试验.交联化合物耐氧性试验
- IEC 61249-2-44:2016 印刷电路板和其他互连结构的材料 - 第2-44部分:强化基材包层和非包层非定型易燃性（垂直燃烧试验）铜包层非卤化环氧化物无纺布/织造E玻璃增强层压板 - 免费装配
- IEC 60249-2-10:1987 印制电路用基材 第2部分:规范 第10号规范:阻燃型环氧化物非编织/编织玻璃布覆铜层压板(垂直燃烧试验)
- IEC 60249-2-10/AMD5:2000 印制电路用基材 第2部分:规范 第10号规范:阻燃型环氧化物非编织/编织玻璃布覆铜层压板(垂直燃烧试验) 修改5
丹麦标准化协会，关于非赝电容氧化物的标准
- DS/EN 60811-403:2012 电缆和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第403部分：杂项试验 交联化合物的耐臭氧试验
- DS/EN 10335:2005 包装用钢 用于与人类和动物消费的食品、产品或饮料接触的扁钢产品 非合金电解铬/氧化铬涂层钢
AENOR，关于非赝电容氧化物的标准
- UNE-EN 60811-403:2012 电缆和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第403部分：杂项试验 交联化合物的耐臭氧试验
- UNE-EN 10335:2007 包装用钢 用于与人类和动物消费的食品、产品或饮料接触的扁钢产品 非合金电解铬/氧化铬涂层钢
国家质检总局，关于非赝电容氧化物的标准
- GB/T 12690.16-2010 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 第16部分：氟量的测定 离子选择性电极法
- GB/T 12690.12-2003 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 钍量的测定 偶氮胂III分光光度法和电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 12690.13-2003 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 钼、钨量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法和电感耦合等离子体质谱法
RU-GOST R，关于非赝电容氧化物的标准
- GOST IEC 60811-403-2015 电缆和光缆. 非金属材料的试验方法. 第403部分. 杂项试验. 交联化合物的耐臭氧试验
立陶宛标准局，关于非赝电容氧化物的标准
- LST EN 60811-403-2012 电缆和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第403部分：杂项试验 交联化合物的耐臭氧试验（IEC 60811-403:2012）
- LST EN 10335-2005 包装用钢 用于与人类和动物消费的食品、产品或饮料接触的扁钢产品 非合金电解铬/氧化铬涂层钢
行业标准-电力，关于非赝电容氧化物的标准
- DL/T 1432.3-2016 变电设备在线监测装置检验规范 第3部分：电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
- DL/T 1498.3-2016 变电设备在线监测装置技术规范 第3部分:电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
- DL/T 2145.2-2020 变电设备在线监测装置现场测试导则 第2部分：电容型设备与金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
欧洲标准化委员会，关于非赝电容氧化物的标准
- EN 10335:2005 包装用钢.与人和动物消费用食品,产品或饮料接触的扁平钢制品.非合金电解铬氧化铬镀钢
YU-JUS，关于非赝电容氧化物的标准
- JUS N.R7.032/1-1989 印制电路．规定了可燃性的环氧化合物非编织或编织玻璃纤维增强覆铜层压板（垂直燃烧试验）．规范．修正
欧洲电工电子元器件标准，关于非赝电容氧化物的标准
- CECC 90 109- 798 ISSUE 1-1987 数字集成电路,单片硅互补金属氧化物半导体,腔体封装或非腔体封装,54/74 HC 4046A型,带压控振荡器的锁相环路(英,法)
