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金属 氧化物 赝 电容
本专题涉及金属 氧化物 赝 电容的标准有500条。
国际标准分类中，金属 氧化物 赝 电容涉及到绝缘、电工器件、半导体分立器件、输电网和配电网、阀门、光纤通信、绝缘流体、开关装置和控制器、集成电路、微电子学、电站综合、电阻器、热力学和温度测量、粉末冶金、建筑物的防护、有色金属、分析化学、航空航天制造用材料、电工和电子试验、电学、磁学、电和磁的测量、物理学、化学、滤波器、铁路车辆、无线通信、绝缘材料。
在中国标准分类中，金属 氧化物 赝 电容涉及到避雷器、电工合金零件、半导体分立器件综合、电容器、低压配电电器、机械量仪表、自动秤重装置与其他检测仪表、光通信设备、电工绝缘材料及其制品、电源设备、、计算机应用、半导体集成电路、电力系统设备安装测试、电站、电力系统运行检修、电阻器、输变电设备综合、低压电器综合、温度与压力仪表、阀门、金属物理性能试验方法、稀有金属及其合金分析方法、基础标准与通用方法、微电路综合、航空与航天用金属铸锻材料、铁路通信设备、其他、通信网技术体制、继电保护及自动装置、电子测量与仪器综合、化学、其他电真空器件、敏感元器件及传感器、绝缘油、计算机设备、稀土金属及其合金、工业自动化仪表与控制装置、通信设备综合、广播、电视发送与接收设备、电缆及其附件、高电压设备成套装置。
行业标准-机械，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- JB/T 9670-2014 金属氧化物避雷器电阻片用氧化锌
- JB/T 8444-2015 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
- JB/T 8444-1996 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
- JB/T 6479-2014 交流电力系统阻波器用有串联间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 10497-2005 交流输电线路用复合外套有串联间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 6479-1992 交流电力系统线路阻波器用有串联间隙金属氧化物避雷器
国家质检总局，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- GB/T 13397-2008 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
- GB 13397-1992 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
- GB/T 27746-2011 低压电器用金属氧化物压敏电阻器(MOV)技术规范
- GB/T 12690.1-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法 电感耦合等离子发射光谱法测定氧化镧中氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化钇量
- GB/T 12690.28-2000 稀土金属及其氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定稀土氧化物中氧化钙量
- GB/T 18802.331-2007 低压电涌保护器元件 第331部分：金属氧化物压敏电阻（MOV）规范
- GB/T 41917-2022 纳米技术 电子自旋共振（ESR）法检测金属氧化物纳米材料产生的活性氧（ROS）
- GB/T 32520-2016 交流1 kV以上架空输电和配电线路用带外串联间隙金属氧化物避雷器(EGLA)
美国国防后勤局，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
- DLA A-A-55564/3 B-2004 金属氧化物,径向引线压敏电阻
- DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
- DLA A-A-55562 A-2001 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
- DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片
- DLA A-A-55564/2 B-2012 电阻器，电压敏感（变阻器），金属氧化物，高能量
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
- DLA MIL-PRF-83530 C-2008 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），一般规范
- DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），片式，0603 型
- DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，0805 型
- DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，1206 型
- DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，1210 型
- DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，0402 型
- DLA A-A-55564/3 C-2012 电阻器，电压敏感（变阻器），金属氧化物，径向引线
- DLA QPL-83530-7-2004 电压敏感(压敏电阻器,金属氧化物)电阻器 一般规格
- DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
- DLA A-A-55562/2 A-2001 类型为0805的片状压敏(压敏电阻,金属氧化物)电阻器
- DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 硅单片TTL兼容10位放大镜调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88624-1988 硅单片TTL兼容可编程N计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 硅单块 互补金属氧化物半导16X16乘数,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 硅单片TTL兼容输入8输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 硅单片TTL兼容八进制透明锁存三态快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 硅单片TTL兼容计数器同步二元预定快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT奇偶校验,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97528-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97571-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 硅单片TTL兼容输入14阶段二元计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 硅单片TTL兼容三态输出八进制D调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 硅单片TTL兼容输入四方双输入与通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块 真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
- DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三重三输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 带电可变编程逻辑装置互补金属氧化物硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 数字互补金属氧化物可编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体发生器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块 八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块 定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
- DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块 浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块 总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块 互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 互补金属氧化物半导体,超电压防护多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 互补金属氧化物半导体微功率定相锁环硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BIT数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,18-BIT母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块 八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
- DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
- DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块 多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块 地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 硅单片数字数据处理器沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 数字互补金属氧化物半导体可编程电池排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88674-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口调节输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 硅单片TTL兼容输入锁相环与压控振荡器高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 硅单片微处理器优化数字信号处理互补型金属氧化物半导体微电路
- DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制闭锁晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体4-BIT二元全加速晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,16-BIT接收器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 互补金属氧化物半导体,双重单刀单掷(开关)硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重与非门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 抗辐射互补金属氧化物半导体母线控制器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96786-1996 8-BIT双向互补金属氧化物半导体或转换器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95715-1996 数字的互补金属氧化物半导体时钟驱动器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
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- DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
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- DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
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- DLA SMD-5962-95717-1995 数字的互补金属氧化物半导体八角母线接收器硅单片电路线型微电路
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- DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制易识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双十进制波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线接收器双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,8-BIT连续平行转换寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT上下二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器或监测器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96697-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出母线交换开关,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT到9-BIT三状态输出母线收发器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 双极的互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角母线接收器和寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96775 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,16-BIT入射波开关母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT母线接收器和同等22欧姆输出,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96782 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96783 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体3.3伏特16-BIT三状态输出寄存转换器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95747 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角透明三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95767 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重2-BIT双稳透明闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95836-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角触发D类三转台输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
国家军用标准-总装备部，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
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- GJB 3794A-2018 电接触银基金属氧化物加工材规范
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韩国科技标准局，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
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- KS C IEC 60099-4:2021 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
- KS C IEC 61643-331-A:2014 低压电涌保护器元件第331部分:金属氧化物压敏电阻器（MOV）规范
- KS C IEC 60099-4:2012 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- KS C IEC 61643-331-A:2015 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范
- KS C IEC 61643-331:2006 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范
- KS C IEC 61643-331-2006(2019) 低压浪涌保护器元件第331部分:金属氧化物压敏电阻器（MOV）规范
- KS C ISO TS 18827:2021 纳米技术 - 电子自旋共振（ESR）作为测量由金属氧化物纳米材料产生的活性氧（ROS）的方法
美国材料与试验协会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
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美国电气电子工程师学会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- IEEE Std C62.11-2020 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
- IEEE Std C62.11-1999 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
- IEEE Std C62.11-1993 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
- IEEE Std C62.11-2005 交流电源电路金属氧化物电涌放电器（大于1 kV）
- IEEE Std C62.22-1991 交流系统中金属氧化物电涌放电器应用指南
- IEEE Std C62.22-1997 IEEE 交流电系统金属氧化物避雷器应用指南
- IEEE Std C62.22-2009 交流系统金属氧化物电涌放电器应用的IEEE指南
- IEEE Std C62.11-2012 交流电(AC)电源电路用金属氧化物放电管IEEE标准(
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- IEEE Std C62.11-1987 用于交流电源电路的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准
- IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Std C62.11-2012) 交流电源电路 (> 1 kV) 金属氧化物避雷器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D8.0, December 2019 交流电源电路 (> 1 kV) 金属氧化物避雷器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D12A, August 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D11, February 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE Std C62.33-2016 金属氧化物变阻器电涌保护元件测试方法和性能值的 IEEE 标准
行业标准-电子，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
工业和信息化部，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
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行业标准-能源，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- NB/T 10452-2020 绝缘液体 金属化薄膜电容器用环氧大豆油
- NB/T 42059-2015 交流电力系统金属氧化物避雷器用脱离器
- DL/T 815-2021 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
国家能源局，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- NB/T 10452-2026 绝缘液体 金属化薄膜电容器用环氧大豆油
- NB/T 42152-2018 非线性金属氧化物电阻片通用技术要求
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- IEEE C62.11-1993 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准
- IEEE C62.11-1987 交流电源电路用金属氧化物电涌放电器标准
- IEEE C62.11-1999 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准（> 1kV）
- IEEE C62.11-2012 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器
- IEEE C62.11-2005 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准
- IEEE PC62.11/D2.0-2019 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准草案
美国国家标准学会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- ANSI/IEEE C62.11:2005 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准
- ANSI/IEEE C62.22:2009 交流系统中金属氧化物电涌放电器应用指南
工业和信息化部/国家能源局，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
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- T/CECA 27-2017 有可靠性指标的金属氧化物压敏电阻器总规范
- T/CEC 221-2019 高梯度及低残压金属氧化物电阻片通用技术标准
- T/QGCML 911-2023 10kV交流输电线路用复合外套无间隙金属氧化物避雷器
- T/CASME 460-2023 10kV交流输电线路用复合外套带串联固定间隙金属氧化物避雷器
- T/CSEE 0001-2015 1000KV交流电线路用带串联间隙复合外套金属氧化物避雷器技术规范
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- ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
- ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
- ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
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- DL/T 804-2014 交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
- DL/T 815-2012 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
- DL/T 815-2002 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
- DL/T 1294-2013 交流电力系统金属氧化物避雷器用脱离器使用导则
- DL/T 1432.3-2016 变电设备在线监测装置检验规范 第3部分：电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
- DL/T 1498.3-2016 变电设备在线监测装置技术规范 第3部分:电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
- DL/T 2145.2-2020 变电设备在线监测装置现场测试导则 第2部分：电容型设备与金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
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- BS EN 60099-4:2004 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- BS EN 60099-4:2014 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- PD ISO/TS 25138:2019 表面化学分析 辉光放电发射光谱法分析金属氧化物薄膜
- PD IEC TS 62607-8-3:2023 纳米制造 主要控制特性 纳米金属氧化物界面器件 模拟电阻变化和电阻波动：电阻测量
- PD ISO/TS 18827:2017 纳米技术 电子自旋共振(ESR)作为测量金属氧化物纳米材料产生的活性氧(ROS)的方法
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- BS EN 60811-403:2012 电缆和光缆.非金属材料试验方法.各类试验.交联化合物耐氧性试验
- BS EN IEC 61643-331:2020 低压浪涌保护元件金属氧化物压敏电阻（MOV）的性能要求和测试方法
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- SD 177-1986 3～500 kV交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
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- UNE-EN 60099-4:2016 电涌放电器 第4部分：交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
国际标准化组织，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- ISO/TS 25138:2019 表面化学分析 - 通过辉光放电发射光谱法分析金属氧化物膜
- ISO/TS 25138:2010 表面化学分析.用辉光放电发射光谱测定法分析金属氧化物薄膜
- ISO/TS 18827:2017 纳米技术. 金属氧化物纳米材料产生活性氧(ROS)的电子自旋共振(ESR)测量方法
台湾地方标准，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
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- NRS 039-2-1999 配电系统用电涌放电器．第2部分：配电级无间隙金属氧化物电涌放电器
- NRS 039-1-1999 配电系统用电涌放电器．第1部分：无间隙金属氧化物电涌放电器应用指南
- NRS 039-1-2008 配电系统用防过载放电器.第1部分:无间隙金属氧化物防过载放电器应用指南
- NRS 039-2-2008 配电系统用防过载放电器.第2部分:分布类别、无间隙金属氧化物防过载放电器
国际电工委员会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
- IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
- IEC 60099-4:1998 避雷器 第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- IEC 60099-4:2009 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- IEC 60099-4:2004 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- IEC 60099-4:2014 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- IEC 61643-331:2003 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范
- IEC 60099-4:2004/AMD2:2009 修改件2.电涌放电器.第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
- IEC 62848-1:2016 铁路用直流电涌放电器和限压装置第1部分:无间隙金属氧化物电涌放电器
- IEC 60099-4/AMD2:2001 避雷器 第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器 修改2
- IEC 60099-4:2004/AMD1:2006 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器.修改件1
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- KS C IEC 60099-4-2021 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
- KS C IEC 61643-331-A-2014 低压电涌保护器元件第331部分:金属氧化物压敏电阻器（MOV）规范
国际电信联盟，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
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- ITU-T K.77 CORR 1-2011 通信设备保护用金属氧化物压敏电阻的特性.勘误表1.5号研究组
德国标准化学会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- DIN EN 60099-4:2010 电涌放电器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
- DIN EN 61643-331:2004 低压电涌保护装置元件.第311部分:金属氧化物变阻器规范
澳大利亚标准协会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- AS 1307.2:1996 电涌放电器.第2部分:交流系统用无火花隙金属氧化物电涌放电器
- AS 60099.4:2022 电涌放电器 第4部分：交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器（IEC 60099-4:2014（ED. 3.0）MOD）
法国标准化协会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- NF C65-101/A2:2009 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- NF C65-100-4*NF EN 60099-4:2015 避雷器 第4部分：交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- NF C65-101:2005 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 电涌放电器 第9部分：用于 HVDC 换流站的无间隙金属氧化物电涌放电器
- NF C65-101/A1:2006 电涌放电器.第4部分:交流电系统用无火花隙的金属氧化物电涌放电器
- NF C61-743-331:2003 低压电涌保护装置用元部件.第331部分:金属氧化物变阻器规范(MOV)
欧洲电工标准化委员会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
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CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- EN 60099-4:1993 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
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- UNE-EN 61643-331:2004 低压电涌保护器元件 第331部分：金属氧化物变阻器（MOV）规范
丹麦标准化协会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- DS/EN 61643-331:2007 低压电涌保护器元件 第331部分：金属氧化物变阻器（MOV）规范
- DS/EN 60099-4/A2:2009 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
- DS/EN 60099-4/A1:2007 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
- DS/EN 60099-4:2005 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
NL-NEN，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- NEN 10099-4-1993 IEC 99-4-1991 避雷器．第4部分：交流电系统用物间隙金属氧化物避雷器
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- JEDEC JEP184-2021 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南
江西省标准，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- DB36/T 688-2012 富钇氧化物及其金属化学分析方法 十五个稀土元素氧化物配分量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
PH-BPS，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- PNS ISO/TS 18827:2021 纳米技术.测量金属氧化物纳米材料产生的活性氧（ROS）的电子自旋共振（ESR）方法
IT-UNI，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- UNI 6404-1969 P 化学和电化表面处理．金属沉淀物和氧化层的局部厚度的测量，取代UNI 4237．微观法
日本工业标准调查会，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
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立陶宛标准局，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
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IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于金属 氧化物 赝 电容的标准
- QC 300401/ZA 0002 IS 1.1-1989 详细规范：电子设备用环氧树脂浸渍电容器固定金属化聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜介电直流电容器评估等级 E
