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赝电容 氧化物
本专题涉及赝电容 氧化物的标准有498条。
国际标准分类中,赝电容 氧化物涉及到电阻器、绝缘、电工器件、无机化学、有色金属、电容器、输电网和配电网、半导体分立器件、集成电路、微电子学、电池和蓄电池、阀门、绝缘材料、绝缘流体、电气设备元件、磁性材料、钢铁产品、开关装置和控制器、光纤通信、化工产品、石油和天然气工业设备、空气质量、玻璃、光学和光学测量、电站综合、食用油和脂肪、含油种子、纸和纸板、废物、燃料电池、有色金属产品、电线和电缆、分析化学、电学、磁学、电和磁的测量、建筑物的防护、塑料、航空航天制造用材料、土质、土壤学、陶瓷、无线通信。
在中国标准分类中,赝电容 氧化物涉及到电子元件综合、避雷器、电子技术专用材料、稀有金属及其合金分析方法、电容器、电工合金零件、无机盐、、低压配电电器、半导体分立器件综合、计算机应用、机械量仪表、自动秤重装置与其他检测仪表、半导体集成电路、电工绝缘材料及其制品、阀门、化学电源、磁性元器件、电化学、热化学、光学式分析仪器、钢铁产品综合、电源设备、重金属及其合金、电感器、变压器、光通信设备、无机化工原料综合、流量与物位仪表、电子光学与其他物理光学仪器、电阻器、电力试验技术、油脂加工与制品、纸、口腔科器械、设备与材料、输变电设备综合、废气排放污染物分析方法、低压电器综合、电力系统设备安装测试、电站、电力系统运行检修、电缆及其附件、基础标准与通用方法、电子测量与仪器综合、稀土金属及其合金、铁路通信设备、绝缘油、微电路综合、航空与航天用金属铸锻材料、冷加工工艺、土壤、水土保持、工业技术玻璃、继电保护及自动装置、新能源及其他、通信网技术体制、广播、电视发送与接收设备、化学。
GOSTR,关于赝电容 氧化物的标准
美国国防后勤局,关于赝电容 氧化物的标准
- DLA DSCC-DWG-01001-2001 氧化铝两极化电解的固定电容器
- DLA DESC-DWG-89021 REV E-2013 电容器,固定,电解极化,氧化铝,超低 ESR
- DLA DESC-DWG-88022 REV D-2009 电容器,固定,电解,极化,氧化铝,单端安装
- DLA DESC-DWG-88022 REV E-2010 电容器,固定,电解,极化,氧化铝,单端安装
- DLA DSCC-DWG-89021 REV D-2004 固定极化电解质氧化铝及超低ESR的电容器
- DLA DSCC-DWG-88022 REV C-2000 固定极化电解质氧化铝及单端安装的电容器
- DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及SNAP安装薄片电容器
- DLA DESC-DWG-89085 REV D-2009 电容器,固定式,电解极化,氧化铝,卡扣安装,薄型
- DLA DSCC-DWG-89012 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及低螺母插入的电容器
- DLA MIL-C-39018/10 B-2009 固定式电解(氧化铝)(极化)电容器,可靠性高,CUR92 型(绝缘)
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
- DLA MIL-PRF-39018/2 F-2009 电容器,固定,电解(氧化铝)(非极化),型号 CU14(未绝缘)和 CU15(绝缘)
- DLA MIL-PRF-39018/6 D-2009 固定式电解(氧化铝)(极化)电容器,成熟的可靠性 CUR91 型(绝缘)
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
- DLA A-A-55562 A-2001 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
- DLA SMD-5962-89630 REV A-2001 硅单片,双重氧化物半导体可兼容差动线路接收器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
- DLA A-A-55564/3 B-2004 金属氧化物,径向引线压敏电阻
- DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 硅单片,TTL可兼容输入,六位倒相器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-39018/7 C-2009 电容器,固定,电解(氧化铝)(极化),(四端子),成熟的可靠性类型 CUR19(绝缘)
- DLA SMD-5962-89734 REV E-2007 硅单片,TTL可兼容输入,六角倒相器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89746 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89844 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,8输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),芯片
- DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89709 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重三输入是门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89843 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重输入非与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA A-A-55564/2 B-2012 电阻器,电压敏感(变阻器),金属氧化物,高能量
- DLA SMD-5962-89703 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,三重三输入或非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89751 REV B-2005 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入非与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位可寻址锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92181 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,双重2输入非与门,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92182 REV B-2004 硅单片,TTL兼容输入,三重3输入非与门,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 硅单片TTL兼容10位放大镜调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88624-1988 硅单片TTL兼容可编程N计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90652 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-83530 C-2008 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),一般规范
- DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),片式,0603 型
- DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),芯片,0805 型
- DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),芯片,1206 型
- DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),芯片,1210 型
- DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 电阻器,电压敏感(变阻器,金属氧化物),芯片,0402 型
- DLA A-A-55564/3 C-2012 电阻器,电压敏感(变阻器),金属氧化物,径向引线
- DLA QPL-83530-7-2004 电压敏感(压敏电阻器,金属氧化物)电阻器 一般规格
- DLA SMD-5962-89731-1989 硅单片,TTL可兼容输入,8位同位锁存收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89890 REV A-1999 硅单片,TTL可兼容输入,双重4级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90669-1992 硅单片,TTL可兼容输入,二进升值/降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90687 REV C-2004 硅单片,TTL可兼容输入,四重2输入异或门,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 硅单片TTL兼容输入8输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT奇偶校验,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97528-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97571-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA A-A-59260 VALID NOTICE 2-2009 腐蚀去除化合物,氢氧化钠碱;用于电解或浸没应用
- DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-90505 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,双重4输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 硅单片TTL兼容八进制透明锁存三态快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 硅单片TTL兼容计数器同步二元预定快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三重三输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90611 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,电可擦可编程序只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA QPL-39018-72-2007 电解(氧化铝)固定电容器确定可靠性和非确定可靠性一般规格
- DLA A-A-55562/2 A-2001 类型为0805的片状压敏(压敏电阻,金属氧化物)电阻器
- DLA SMD-5962-89688 REV C-2004 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入多路复用器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89689 REV C-2003 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入多路复用器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,12级行波进位二进计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 硅单片TTL兼容输入14阶段二元计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 硅单片TTL兼容三态输出八进制D调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 硅单片TTL兼容输入四方双输入与通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
- DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,18-BIT母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90574-1990 硅单片,TTL可兼容输入,8位同步二-十进降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-90651 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的四重缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90654 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,模拟多路复用器/信息分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93097 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,可编程视频同步信号发生器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 硅单片六反相器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 硅单片四重虚拟开关,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 互补金属氧化物半导体,16-BIT的25欧姆串联电阻器母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制闭锁晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92206-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,双重双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体4-BIT二元全加速晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,16-BIT接收器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 硅单片,TTL兼容输入及输出,可编程低失真时钟驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-89745 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,3线至8线解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89771 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有振动器的14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90686-1999 硅单片,TTL可兼容输入,装有明沟输出的六位反向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 硅单片异或门高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 硅单片总线控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 硅单片量值比较器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 硅单片,二维卷积器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA QPL-39018-2012 固定式电解电容器(氧化铝),确定的可靠性和未确定的可靠性,通用规范
- DLA MIL-PRF-39018/4 E-2009 固定式电解(氧化铝)(极化)、未确定可靠性和已确定可靠性型号 CU71(绝缘)和 CUR71(绝缘)电容器
- DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,错误监测和改正三状态输出电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 硅单片,TTL兼容输入,装有施米特触发器的六位倒向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的10位透明锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88674-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口调节输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 硅单片TTL兼容输入锁相环与压控振荡器高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
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