超级晶片

本专题涉及超级晶片的标准有103条。

国际标准分类中，超级晶片涉及到半导体材料、滤波器、频率控制和选择用压电器件与介质器件、金属材料试验、分析化学、绝缘流体、辐射测量、陶瓷、机床、半导体分立器件、建筑物中的设施、电子元器件综合、集成电路、微电子学、有色金属、电气设备元件、包装材料和辅助物、电阻器、阀门、造船和海上构筑物综合、挠性传动和传送、电学、磁学、电和磁的测量、光电子学、激光设备、电子电信设备用机电元件、电工器件。

在中国标准分类中，超级晶片涉及到半金属与半导体材料综合、石英晶体、压电元件、半金属及半导体材料分析方法、基础标准与通用方法、金属物理性能试验方法、加工专用设备、、、、、、半导体分立器件综合、化合物半导体材料、敏感元器件及传感器、塑料型材、大气、水、土壤环境质量标准、太阳能、其他纺织制品、电子元件综合、电源设备、船用管件、电阻器、化学、链传动、皮带传动与键联结、元素半导体材料、电容器、微电路综合、半导体发光器件、、其他电子元器件、开关、红外器件。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于超级晶片的标准

GB/T 16596-2019 确定晶片坐标系规范
GB/T 16595-2019 晶片通用网格规范

国家质检总局，关于超级晶片的标准

GB/T 32988-2016 人造石英光学低通滤波器晶片
GB/T 30118-2013 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范
GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范
GB/T 13840-1992 晶片承载器
GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法

中国团体标准，关于超级晶片的标准

T/CAB 0180-2022 GAGG晶体及晶片阵列性能测量方法
T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
T/CECA 48-2021 石英晶体微天平晶片
T/ZSA 38-2020 SiC晶片的残余应力检测方法
T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法
T/WLJC 57-2019 晶片精密研磨盘
T/WLJC 58-2019 晶片精密研磨盘用修正轮
T/WLJC 59-2019 石英晶片倒边波形筒
T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
T/ZZB 0497-2018 声表面波器件用单晶晶片

国际标准化组织，关于超级晶片的标准

ISO 22278:2020 精细陶瓷（高级陶瓷高级工业陶瓷）.用平行X射线束X射线衍射法测定单晶薄膜（晶片）结晶质量的试验方法
ISO 14706:2014 表面化学分析用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染
ISO 17331:2004/Amd 1:2010 表面化学分析.硅晶片加工标准物质表面元素收集用化学方法和及其光分析仪(TXRF)光谱学测定.修改件1
ISO 14706:2000 表面化学分析用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染

国际电工委员会，关于超级晶片的标准

IEC 62435-5-2017 电子元件 - 电子半导体器件的长期存储 - 第5部分:裸片和晶片器件
IEC 62047-16-2015 半导体器件 - 微机电器件 - 第16部分:确定MEMS膜残余应力的测试方法 - 晶片曲率和悬臂梁偏转方法
IEC 62047-9-2011 半导体器件 - 微机电器件 - 第9部分:晶圆晶片接合强度测量
IEC/PAS 62084:1998 叩焊晶片和晶片标度技术的执行

英国标准学会，关于超级晶片的标准

BS EN 62047-16-2015 半导体器件. 微型机电装置. 用于测定MEMS薄膜晶片曲率剩余应力的试验方法和悬臂梁挠度法
BS EN 50513-2009 太阳能晶片.太阳能电池制造晶体硅晶片的数据表和产品信息
BS 9612 N018-1979 振荡器用电阻焊密封石英晶体振子详细规范.DN、D2、DQ和DP外壳、17至75MHz频率范围.宽温范围(非温控)操作的第三谐波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N021-1979 振荡器用冷焊密封石英晶体振子详细规范.DN、D2、DQ和DP外壳、50至125MHz频率范围.窄温范围(温控)操作的第五谐波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N020-1979 振荡器用冷焊密封石英晶体振子详细规范.DN、D2、DQ和DP外壳、17至75MHz频率范围.宽温范围(非温控)操作的第五谐波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N016-1979 振荡器用电阻焊接密封石英晶体元件用详细规范.DN、DZ、DQ和DP外壳、0.8～20 MHz和3.0～30 MHz频率范围.宽温范围(非温控)操作的基波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评估等级
BS 9612 N017-1979 振荡器用电阻焊接密封石英晶体元件用详细规范.DN、DZ、DQ和DP外壳、0.8～20 MHz和3.0～30 MHz频率范围.窄温范围(非温控)操作的基波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评估等级
BS 9612 N010-1979 振荡器用冷焊密封石英晶体振子详细规范.DP外壳、6.0至25MHz频率范围.宽温范围(非温控)操作的基波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N019-1979 振荡器用冷焊密封石英晶体振子详细规范.DN、D2、DQ和DP外壳、17至75MHz频率范围.窄温范围(非温控)操作的第三谐波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N006-1977 振荡器用冷焊密封石英晶体振子详细规范.DN、47U/2、DQ和DP外壳、17至75MHz频率范围.宽温范围(非温控)操作的第三谐波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N004-1977 振荡器用冷焊密封石英晶体振子详细规范.DN、47 U/2、DQ和DP外壳、0.8至20MHz和3.0到30MHz频率范围.宽温范围(非温控)操作的基波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N009-1977 经质量评定的振荡器用冷焊封石英晶体振子详细规范.DN、DQ和DP外壳,50至125MHz频率规范.窄温范围(非温控)操作的第五谐波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N007-1977 振荡器用冷焊密封石英晶体振子详细规范.DN、DQ和DP外壳、17至75MHz频率范围.窄温范围(非温控)操作用第三谐波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N005-1977 振荡器用冷焊密封石英晶体振子详细规范.DN、DQ和DP外壳、0.8～20MHz和3.0～30MHz频率范围.窄温范围(非温控)操作的基波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级
BS 9612 N008-1977 振荡器用冷焊密封石英晶体振子详细规范.DN、DQ和DP外壳、50至125MHz频率规范.宽温范围(非温控)操作用第五谐波厚度剪切模式、晶片AT切割.全面评定级

行业标准-电子，关于超级晶片的标准

SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
SJ 20520-1995 碲镉汞薄膜用碲锌镉晶片规范
SJ 3118-1988 晶片承载器
SJ 20438-1994 红外探测器用碲锡铅晶片测试方法
SJ/T 31091-1994 晶片内圆切片机完好要求和检查评定方法
SJ/T 31092-1994 晶片数控切割（划片）机完好要求和检查评定方法
SJ 20437-1994 红外探测器用碲锡铅晶片规范
SJ/T 31065-1994 24型晶片数控抛光机完好要求和检查评定方法

行业标准-有色金属，关于超级晶片的标准

YS/T 986-2014 晶片正面系列字母数字标志规范

日本工业标准调查会，关于超级晶片的标准

JIS C6760-2014 表面声波 (SAW) 器件用单晶晶片. 规范和测量方法
JIS C62024-1-2011 高频感应部件.电气特性和测量方法.第1部分:毫微亨利范围的晶片电感器
JIS K0148-2005 表面化学分析.用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面主要污染物

德国标准化学会，关于超级晶片的标准

DIN 51456-2013 半导体技术用材料的试验. 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 通过水分析解决方案的多元素测定进行硅晶片的表面分析
DIN EN 60749-19-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第19部分:晶片抗切强度(IEC 60749-19-2003 + A1-2010);德文版本EN 60749-19-2003 + A1-2010
DIN 86266-2006 船舶和航海技术.法兰连接的超轻型晶片式和有法兰的碟形阀. DN 50至DN 125, PN 10
DIN 41619-1983 通信用旋转晶片开关分规范
DIN 41638-1983 12位置（12×31）mm旋转式晶片开关.与转动轴成直角的焊接端子.尺寸、额定值、要求、检验
DIN 41634-1-1976 径向焊接终端直径为 17 mm 的 12 部位旋转式晶片开关.第1部分:主要尺寸

法国标准化协会，关于超级晶片的标准

NF C93-616-2013 表面声波 (SAW) 器件用单晶晶片 - 规范和测量方法
NF C96-022-19/A1-2011 半导体装置抗机械及气候影响性能的测试方法.第19部分:晶片抗切强度.

，关于超级晶片的标准

SIS SEN 43 15-1962 电子设备旋转式晶片开关

(美国)军事条例和规范，关于超级晶片的标准

ARMY QPL-55681-QPD-2010 陶瓷介质固定多层晶片电容器

美国材料与试验协会，关于超级晶片的标准

ASTM D5814-10 用蚀斑试验测定再循环聚对苯二甲酸乙酯(PET)薄膜和晶片中杂质的标准操作规程
ASTM F1392-00 用带汞探针的容量-电压测量法测定硅晶片中净载流子密度分布的标准试验方法
ASTM F1390-97 自动非接触式扫描法测量硅晶片翅曲度的试验方法
ASTM D5814-95 用蚀斑试验测定再循环聚对苯二甲酸乙酯薄膜和晶片中杂质的标准试验实施规范
ASTM F1212-89(2002) 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
ASTM F1212-89(1996)e1 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
ASTM F672-88(1995)e1 用分布电阻探头测量硅晶片垂直于表面的纵断面电阻率的标准试验方法

国家军用标准-国防科工委，关于超级晶片的标准

GJB 6259-2008 碲镉汞探测器晶片用直粘型抛光布规范

美国国防后勤局，关于超级晶片的标准

DLA DSCC-DWG-07016-2007 低顺磁共振的,韦伯分级的钽晶片固定电容器
DLA DSCC-DWG-06010 REV A-2007 2010型低功率(0.5瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-06009-2006 1206型低功率(0.25瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-06011-2006 2512型低功率(1.0瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-06007-2006 0603型低功率(0.1瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-06012-2006 2816型低功率(2.0瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-04009 REV B-2006 0603型军事有防潮性能电影固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-04008 REV B-2006 0402型军事有防潮性能电影固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-04007 REV B-2006 0302型军事有防潮性能电影固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-06003 REV A-2006 4527型低功率(2瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-06006-2006 4527型低功率(3瓦特)外部贴装的有金属电源板固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-04032 REV A-2006 2512型1.5瓦,高功率低价值,影片固定晶片电阻器
DLA QPL-32192-1-2006 热(热敏电阻)晶片电阻器一般规格
DLA MIL-PRF-32192 (1)-2005 热敏(热敏电阻)晶片电阻器一般规格
DLA DSCC-DWG-05009-2005 0204型,1/4瓦电影晶片( MELF )固定电阻器
DLA DSCC-DWG-04025-2005 5瓦特(截至25瓦特与散热器),表面贴装,薄膜固定晶片电阻器
DLA DSCC-DWG-87075 REV E-2005 电阻器,固定性,胶片,晶片,凸缘架,双层制表符,大功率10瓦特

(美国)电子工业联合会，关于超级晶片的标准

EIA-763-2002 自动处理用8 mm至12 mm传送带中的裸露模具和晶片标度包

美国电子元器件、组件及材料协会，关于超级晶片的标准

ECA EIA-800-1999 集成无源器件晶片标度包装设计指南

美国航空工业协会/国家航天工业标准，关于超级晶片的标准

AIA/NAS NAS 4117-1996 晶片型绝缘体热接收器

中国有色金属工业总公司，关于超级晶片的标准

YS/T 27-1992 晶片表面微粒沾污测量和计数的方法