29.045 半导体材料 标准查询与下载

GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试 0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶

本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒的分类、技术要求、检验方法和规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。

Gallium arsenide single crystal for solar cell

GB/T 25074-2010 太阳能级多晶硅

本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产。

Solar-grade polycrystalline silicon

GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶

本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。

Monocrystalline silicon of solar cell

GB/T 24582-2009 酸浸取.电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。 本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/mL。 酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效益。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品的重量的1%。 本标准适用于重量为25 g～5000 g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的重量为约300 g。

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 14139-2009 硅外延片

本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N)和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P)的同质硅外延层，产品主要用于制作硅半层体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

Silicon epitaxial wafers

GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法。 本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。 本方法适用于测量面密度在(10～10)atoms/cm的范围的元素。 本方法是非破坏性的。

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy

GB/T 24579-2009 酸浸取.原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物

1. 1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。 1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。 1.3本标准适用于各种棒、块、粒、片形多晶或单晶硅表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，根据样品重量计算结果。使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/g。 1.4酸的强度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个试验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。 1.5该试验方法提出了一种特定的样品尺寸、酸组成、腐蚀周期、试验环境和仪器方案，这些参数可以调整，但可能影响金属的回收效率及滞留量。该方法适用于重量为25 g～5 000 g的样品的测定，为达到仲裁的目的，该试验方法规定样品重量为300 g。该试验方法在干扰和结果的偏差方面做了详细说明。 1.6该试验方法详细说明了用于分析酸提取痕量金属含量的石墨炉原子吸收光谱法的使用。也可使用灵敏度相当的其他仪器如电感耦合等离子体/质谱仪。 1.7方法的检测限和偏差取决于酸提取过程的效率、样品尺寸、方法干扰、每个元素的吸收谱及仪器灵敏度、背景和空白值。 1.8该方法是用热酸来腐蚀掉硅表面，腐蚀剂是有害的，操作必须在通风橱中进行，整个过程中必须非常小心。氢氟酸溶液非常危险，不熟悉专门防护措施的人不能使用。

Test methods for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy

GB/T 12963-2009 硅多晶

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

Specification for polycrystalline silicon

GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为、或、电阻率为10Ω•m～10Ω•m、位错密度在0cm～10cm之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。 本方法也适用于硅单晶片。

Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。 1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度

Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω～5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×lO at•cm ～5×10 at•cm 的各种电活性杂质元素。

Test methods for photolumininescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

1.1本标准规定了硅和外延片表面Na，Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na，Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量，因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。 1.2本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的硅片。 1.3本标准特别适用于位于晶片表面约5 nm深度内的表面金属沾污的测试。 1.4本标准适用于面密度范围在(l0 ～10 atoms/cm 的Na、Al、K和Fe的测试。本方法的检测限取决于空白值或计数率极限，因仪器的不同而不同。 1.5本测试方法是对以下测试方法的补充: 1.5.1全反射X射线荧光光谱仪(TXRF)，其能够检测表面的原子序数Z较高的金属，如Fe，但对Na，Al、K没有足够低的检测限（

Test method for measuring surface sodium, aluminum, potassium, and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry

GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法

本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。

Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection

GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时， AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。

Test method for measuring the Al fraction in on AlGaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

本标准涵盖了对晶片边缘平直部分长度的确认方法。 本标准适用于标称圆形晶片边缘平直部分长度小于等于65mm的电学材料。本标准仅对硅片精度进行确认，预期精度不因材料而改变。 本标准适用于仲裁测量，当规定的限度要求高于用尺子和肉眼检测能够获得的精度时，本标准也可用于常规验收测量。 本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。建立合适的安全和保障措施及确定规章制度的应用范围是标准使用者的责任。

Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials

GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。 本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。 硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers