EN
RU
ES
半高 结晶
本专题涉及半高 结晶的标准有253条。
国际标准分类中，半高 结晶涉及到耐火材料、半导体分立器件、半导体材料、导体材料、金属材料试验、电子电信设备用机电元件、塑料、废物、紧固件、焊接、钎焊和低温焊、医疗设备、整流器、转换器、稳压电源、陶瓷、管道部件和管道、电子设备用机械构件、综合业务数字网(ISDN)、环境试验、电工和电子试验、光纤通信、集成电路、微电子学、有色金属、肉、肉制品和其他动物类食品、物理学、化学、阀门、热力学和温度测量。
在中国标准分类中，半高 结晶涉及到、其他石油产品、半导体分立器件综合、金属物理性能试验方法、半导体三极管、矫形外科、骨科器械、电子元器件、电力半导体器件、部件、体外循环、人工脏器、假体装置、元素半导体材料、场效应器件、半导体二极管、特种陶瓷、光通信设备、轻金属及其合金分析方法、半导体集成电路、重金属及其合金分析方法、水产、渔业综合、阀门、化学、热学计量。
PL-PKN，关于半高 结晶的标准
- PN C89425-1992 塑料．半结晶高分子融化温度的测定
- PN T01207-01-1992 半导体器件．分离器件，双极晶体管低频和高频放大箱环境额定双极晶体管空白细节规格
法国标准化协会，关于半高 结晶的标准
- NF P18-302:1991 骨料 结晶高炉矿渣
- NF C96-611/A1:1972 半导体结型晶体管特殊标准表
- NF B41-204-1*NF EN ISO 13383-1:2016 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).显微结构特征.第1部分:晶粒尺寸和粒度分布的测定
- NF T51-621*NF EN ISO 3146:2022 塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）
- NF EN ISO 3146:2022 塑料.用毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融温度范围）
中国团体标准，关于半高 结晶的标准
- T/CSTM 01106-2023 烧结高纯铝镁尖晶石
- T/IAWBS 017-2022 金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
- T/IAWBS 015-2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
- T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
- T/ZZB 2283-2021 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉
- T/SEESA 003-2021 高盐水（浓缩）多效蒸发结晶技术规范
- T/QGCML 311-2022 用于高盐有机废水处理的蒸发结晶制盐设备
- T/CSCM 02-2020 无机晶须增强高密度聚乙烯(HDPE-IW)六棱结构壁管材
- T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
美国国防后勤局，关于半高 结晶的标准
- DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 3-2011 半导体器件、晶体管、PN、硅、单结 JAN2N5431 和 JANTX2N5431
- DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927高功率型,硅NPN晶体管半导体器件
- DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926高功率型,硅NPN晶体管半导体器件
- DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 2N384型高频率锗PNP晶体管半导体装置
- DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，晶体管，PNP，锗，高频，25 毫瓦，JAN-2N128 型
- DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 高功率半导体装置,PNP硅晶体管,型号2N3442,JAN,JANTX和JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率型 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA MIL-S-19500/208 B VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，晶体管，NPN，硅，高功率，类型 2N1487、22N1488、2N1489 和 2N1490
- DLA MIL-S-19500/217 B VALID NOTICE 4-2011 半导体器件、晶体管、PNP、锗、高功率类型 2N456B、2N457B、2N458B、2N1021A、2N1022A
- DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率型 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频类型 2N6603 和 2N6604 JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/384 F VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅高功率、类型 2N3584、2N3585、JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/384 G-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅高功率、类型 2N3584、2N3585、JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/262 G-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率类型 2N1722 和 2N1724，JAN 和 JANTX
- DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频类型 2N6603 和 2N6604 JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/413 F-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N3771 和 2N3772、JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/415 A VALID NOTICE 1-2008 半导体、器件、晶体管、NPN、硅、高功率类型 2N2812 和 2N2814 JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/488 E VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、2N5671 和 2N5672 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA MIL-S-19500/388 B VALID NOTICE 3-2011 半导体器件、晶体管、PN、硅、单结类型 2N4947、2N4948 和 2N4949 JAN、JANTX、JANTX 和 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/408 J-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N3715 和 2N3716、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/488 E-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N5671 和 2N5672、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA MIL-S-19500/341 B VALID NOTICE 3-2011 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频、功率类型 2N3375、2N3553 和 2N4440 JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-S-19500/341B-1968 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频、功率类型 2N3375、2N3553 和 2N4440 JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/398 J-2010 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频、类型 2N3866、2N3866A、2N3866UB、2N3866AUB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
- DLA MIL-PRF-19500/439 G-2012 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N5038 和 2N5039、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
- DLA MIL-PRF-19500/461 F-2008 半导体器件、晶体管、PNP、硅、高功率、类型 2N6211、2N6212、2N6213、2N6213A、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
- DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的18比特总线收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入
- DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 半导体器件.N-通道高压场效应硅晶体管.型号2N7387和2N7387U1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS
- DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 硅单块 移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 硅单块 自动记录器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 半导体器件、晶体管、高电压、场效应、N 沟道、硅、类型 2N7387 和 2N7387U1、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 硅单块 二进制计数器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 硅单片,结型场效应晶体管高速运算放大器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 硅单块 方形2输入和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/453 F-2011 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频型 2N5109 和 2N5109UB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC JANSM、JANSD、JANSP、JANSL、JANSR、JANSF、JANSG 和 JANSH
- DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的3到8阵列译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入方形2输入非与门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 硅单块 方形双输入或带晶体管-晶体管逻辑电路数字输入门的高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制易识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双十进制波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 硅单片,结型场效应晶体管高速准确运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 硅单块 高速结型场效应晶体管,双操作增强器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带配备有串联电阻器的16比特三态输出收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入及限定电压摆幅输出
- DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 硅单块 高速操作放大器,双精密结型场效应晶体管,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 硅单片,结型场效应晶体管四重高速准确运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4选1译码器或多路分解器,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91732-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-04228-2004 硅单片互补晶体管-晶体管逻辑电路,装有预先装置及脉冲计时器,双向二进制计算器的高级氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双2比特双稳定易被识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 数字单硅片微电路,由双极互补金属氧化物半导体结构组成,带八进制总线收发器及三台输出寄存器,与晶体管-晶体管逻辑兼容
- DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,可预设置的同步4比特二进制升值或降值计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的双1选4数据收集器和多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 硅单块 操作放大器,低功率高输出驱动器,结型场效应晶体管输入,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,32比特微处理器数字微型电路
- DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
- DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
- DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 硅单块 带三态输出和终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的八进制D型止动销 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-86009 REV D-2008 数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带二元二进制计数器
行业标准-石油化工，关于半高 结晶的标准
- SH/T 1491-1992 高纯度烃类结晶点测定法
国家质检总局，关于半高 结晶的标准
- GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
- GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
- GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
- GB/T 13293.5-1991 高纯阴极铜化学分析方法 砷钼杂多酸-结晶紫分光光度法测定砷量
- GB/T 20361-2006 水产品中孔雀石绿和结晶紫残留量的测定.高效液相色谱荧光检测法
- GB/T 13293.6-1991 高纯阴极铜化学分析方法 磷钒钼杂多酸-结晶紫分光光度法测定磷量
英国标准学会，关于半高 结晶的标准
- BS EN 62047-9:2011 半导体装置.微电子机械装置.MEMS的晶圆与晶圆结合强度测量
- BS EN 62047-9:2013 半导体装置 微电子机械装置 MEMS的晶圆与晶圆结合强度测量
- 20/30360821 DC BS ISO 22278 精细陶瓷（高级陶瓷、先进技术陶瓷） 采用平行X射线束X射线衍射法测定单晶薄膜（晶片）结晶质量的测试方法
- BS EN ISO 3146:2022 塑料 通过毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）
- 21/30427377 DC BS EN ISO 3146 塑料 通过毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）
美国通用公司（北美），关于半高 结晶的标准
- GM GMP.PP.096-1998 聚丙烯 高热、高结晶、紫外线稳定的共聚物
- GM GM9094P-1988 差示扫描量热法测定半结晶聚合物熔点的方法
- GM GMP.PP.033-1991 聚丙烯 耐热、高结晶、紫外线稳定、共聚物
- GMP.PP.096-2011 聚丙烯高耐热、高结晶、紫外线稳定共聚物第 2 期；请勿在新程序上使用；被 GMW16208 取代
- GMP.PP.033-2011 聚丙烯耐热、高结晶、紫外线稳定、共聚物第 2 期；请勿在新程序上使用；被 GMW16208 取代
国际标准化组织，关于半高 结晶的标准
- ISO 3146:1974 塑料 半结晶聚合物熔融温度的测定 光学法
- ISO 22278:2020 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.用平行X射线束X射线衍射法测定单晶薄膜（晶片）结晶质量的试验方法
- ISO 13383-1:2012 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).显微结构特征.第1部分:晶粒尺寸和粒度分布的测定
- ISO 3146:2022 塑料.用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）
TR-TSE，关于半高 结晶的标准
- TS 2249-1976 塑料．半结晶聚合物融化温度的测定．光学方法
RO-ASRO，关于半高 结晶的标准
- STAS 7128/9-1980 半导体设备和集成电路．单结晶体管参数符号
- STAS 10207/3-1984 玻璃体及结晶釉．通过高电压检查釉质层的厚度
IN-BIS，关于半高 结晶的标准
- IS 5469 Pt.3-1973 半导体结器件使用操作规范第 III 部分晶闸管
- IS 13360 Pt.6/Sec.10-1992 塑料——测试方法 第6部分热性能 第10节：半结晶聚合物熔化行为（熔化温度或熔化范围）的测定
国家军用标准-总装备部，关于半高 结晶的标准
- GJB 33/11-1989 半导体分立器件 BT37型PN硅单结晶体管详细规范
- GJB 33/10-1989 半导体分立器件 BT33型PN硅单结晶体管详细规范
- GJB 33/9-1989 半导体分立器件 BT32型PN硅单结晶体管详细规范
- GJB 33/001-1989 半导体分立器件 高频小功率晶体管空白详细规范
- GJB 33/14A-2021 半导体分立器件3DG44 型硅超高频低噪声晶体管详细规范
- GJB 33A/14-2003 半导体分立器件 3DG44 型硅超高频低噪声晶体管详细规范
RU-GOST R，关于半高 结晶的标准
- GOST 14797-1985 半圆头铆钉(高精度).结构及尺寸
行业标准-电子，关于半高 结晶的标准
- SJ 50033/1-1994 半导体分立器件.3DA150型高频功率晶体管详细规范
- SJ 50033/103-1996 半导体分立器件.3DA89型高频功率晶体管详细规范
- SJ 50033/61-1995 半导体分立器件.3DK6547型高压功率开关晶体管详细规范
- SJ 50033/62-1995 半导体分立器件.3DK406型高压功率开关晶体管详细规范
- SJ 50033/159-2002 半导体分立器件.3DG142型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
- SJ 20059-1992 半导体分立器件.3DG111型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
- SJ 20060-1992 半导体分立器件.3DG120型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
- SJ 50033/160-2002 半导体分立器件.3DG122型硅超高频小功率晶体管.详细规范
- SJ 50033/158-2002 半导体分立器件.3DG44型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
- SJ 50033/154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
- SJ 50033/75-1995 半导体分立器件.3DG135型硅超高频小功率晶体管详细规范
- SJ 50033/67-1995 半导体分立器件.3DD103型高压低频大功率晶体管详细规范
- SJ/T 11848-2022 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
- SJ 20175-1992 半导体分立器件3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范
- SJ/T 11849-2022 半导体分立器件 3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
- SJ 50033/121-1997 半导体分立器件.CS3458～CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/122-1997 半导体分立器件.CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/95-1995 半导体分立器件.3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
- SJ 50033/94-1995 半导体分立器件.3DG143型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
- SJ 50033/93-1995 半导体分立器件.3DG142型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
- SJ 20062-1992 半导体分立器件.3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管.详细规范
- SJ 20176-1992 半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
- SJ 20015-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
- SJ 20063-1992 半导体分立器件.3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管.详细规范
- SJ 20016-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范
工业和信息化部，关于半高 结晶的标准
- SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范
- SJ/T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
- SJ/T 1480-2016 半导体分立器件 3CG130型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
- SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
- SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
德国机械工程师协会，关于半高 结晶的标准
- DVS 1702-1999 高强度可焊细晶粒结构钢焊接接头钢结构工艺试验
- DVS 1702-1998 高强度可焊细晶粒结构钢焊接接头钢结构焊接工艺试验
- DVS 1702-1981 高强度可焊细晶粒结构钢焊接接头钢结构焊接工艺试验； StE460 和 StE690
国家食品药品监督管理局，关于半高 结晶的标准
- YY/T 0661-2017 外科植入物 半结晶型聚丙交酯聚合物和共聚物树脂
行业标准-航天，关于半高 结晶的标准
- QJ 10007/11-2008 宇航用半导体分立器件 3DG182型硅高频小功率高反压晶体管详细规范
- QJ 10007/10-2008 宇航用半导体分立器件 3DG122、3DG130型硅高频小功率晶体管详细规范
- QJ 10007/5-2008 宇航用半导体分立器件 3CG110、3CG130型硅高频小功率晶体管详细规范
- QJ 10007/9-2008 宇航用半导体分立器件 3DG100、3DG101、3DG111、3DG112型硅高频小功率晶体管详细规范
SE-SIS，关于半高 结晶的标准
- SIS SS-ISO 3146:1987 塑料．半结晶聚合物熔融行为的测定（熔融温度或熔融范围）
美国材料与试验协会，关于半高 结晶的标准
- ASTM F1925-09 外科植入物用半结晶(交酯)聚合物和共聚物树脂的标准规范
- ASTM F1925-22 外科植入物用半结晶聚丙交酯聚合物和共聚物树脂的标准规范
- ASTM F1925-17 用于外科植入物的半结晶聚（丙交酯）聚合物和共聚物树脂的标准规范
- ASTM F2625-10(2016) 采用差示扫描量热法测量超高分子量聚乙烯的熔融焓, 结晶度和熔点的标准试验方法
- ASTM F2625-07 用差示扫描量热法测量超高分子量聚乙烯的焓点、百分比结晶度和熔点的标准试验方法
欧洲标准化委员会，关于半高 结晶的标准
- DD ENV 14273-2002 高级工业陶瓷.陶瓷粉末.二氧化锆结晶相的测定
- prEN ISO 3146:2021 塑料 通过毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO/DIS 3146:2021）
德国标准化学会，关于半高 结晶的标准
- DIN 50434:1986 半导体工艺材料的检验.对(111)和(100)表面采用蚀刻技术的单晶硅的晶体结构缺陷的测定
- DIN 50442-1:1981 半导体无机材料的检验.圆形单晶体半导体薄片表面结构的测定.第1部分:切割和研磨的薄片
- DIN V ENV 14273:2002 高技术陶瓷.陶瓷粉末.氧化锆结晶相的测定; 德文版本 ENV 14273:2002
- DIN EN ISO 3146:2022-06 塑料 通过毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）
- DIN EN ISO 3146:2021 塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO/DIS 3146:2021）
韩国科技标准局，关于半高 结晶的标准
- KS C IEC 60747-7-4:2006 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第4节:高频放大双极晶体管的空白详细规范
- KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第四节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
- KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第4节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
- KS C IEC 60747-7-1:2006 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第1节:低频和高频放大用的额定环境晶体管的空白详细规范
- KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范
- KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范
- KS M ISO 3146-2012(2017) 塑料－用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）
- KS M ISO 3146-2012(2022) 塑料－用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）
丹麦标准化协会，关于半高 结晶的标准
- DS/IEC 747-7-4:1993 半导体装置．分立器件．第7部分：双极晶体管．第4节：高频放大管壳额定双极晶体管空白详细规范
- DS/IEC 747-7-1:1990 半导体器件.分立器件.第7部分:双极性晶体管.第1节:低频和高频放大用的额定环境晶体管的空白详细规范
- DS/EN ISO 3146/AC:2003 塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）
- DS/EN ISO 3146:2000 塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）
(美国)军事条例和规范，关于半高 结晶的标准
- ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.0兆赫-85兆赫的高速互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.544赫兹-125兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为0.75赫兹-200兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
国际电工委员会，关于半高 结晶的标准
- IEC 60747-7-4:1991 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第4节:高频放大外壳额定双极晶体管空白详细规范
- IEC 60747-7-1:1989 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第1节:低频和高频放大环境额定双极晶体管空白详细规范
CZ-CSN，关于半高 结晶的标准
- CSN 35 8745-1973 半导体设备．晶体管．高频率时开路反向电压传输比和时间系数的测量
台湾地方标准，关于半高 结晶的标准
- CNS 5545-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–晶体管高温逆向偏压试验
- CNS 5546-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–场效晶体管高温逆向偏压试验
TH-TISI，关于半高 结晶的标准
- TIS 1868-1999 半导体器件-分立器件第7部分：双极晶体管第 4 节：用于高频放大的外壳额定双极晶体管的空白详细规范
- TIS 1974-2000 半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第 2 节：双向三极晶闸管（triacs）的空白详细规范，环境或外壳额定，高达 100 a
- TIS 1865-1999 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第 1 节：用于低频和高频放大的环境额定双极晶体管的空白详细规范
- TIS 1973-2000 半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第 1 节：反向阻断三极管晶闸管的空白详细规范，环境和外壳额定，最高 100 a
行业标准-有色金属，关于半高 结晶的标准
- YS/T 244.8-2008 高纯铝化学分析方法 第8部分:结晶紫萃取光度法测定铟含量
行业标准-医药，关于半高 结晶的标准
- YY/T 0815-2010 差示扫描量热法测定超高分子量聚乙烯熔化焓、结晶度和熔点
CEN - European Committee for Standardization，关于半高 结晶的标准
- DD ENV 623-3-1993 高级技术陶瓷 整体陶瓷 一般和结构特性 第3部分：晶粒尺寸的测定
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于半高 结晶的标准
- QC 750107-1991 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第 4 节 用于高频放大的外壳额定晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-4 ED 1）
- QC 750112-1987 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第一部分 单栅极场效应晶体管的空白详细规范 高达 5W 和 1 GHz（IEC 747-8-1 ED 1）
- QC 750111-1991 半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第二部分 双向三极管晶闸管（Triacs）空白详细规范 环境或外壳额定 高达 100A（IEC 747-6-2 ED 1）
- QC 750110-1989 半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第一部分 反向阻断三极管晶闸管空白详细规范 环境和外壳额定 高达 100A（IEC 747-6-1 ED 1）
- QC 750102-1989 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第一部分 用于低频和高频放大的环境额定双极晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-1 ED 1）
ES-UNE，关于半高 结晶的标准
- UNE-EN ISO 3146:2022 塑料 通过毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）
(美国)福特汽车标准，关于半高 结晶的标准
- FORD ESB-M2G239-A-2014 胶粘剂，基于乙烯基 低温和高温固化，半结构 ***与福特 WSS-M99P1111-A 一起使用***
- FORD ESB-M2G239-A-2002 半结构用乙烯树脂基低温和高温固化型胶粘剂***与标准FORD WSS-M99P1111-A一起使用***
AENOR，关于半高 结晶的标准
- UNE-EN ISO 3146:2001 塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO 3146:2000）
立陶宛标准局，关于半高 结晶的标准
- LST EN ISO 3146:2002 塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO 3146:2000）
- LST EN ISO 3146:2002/AC:2004 塑料 通过毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO 3146:2000/Cor.1:2002）
