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半高 单位

本专题涉及半高 单位的标准有500条。

国际标准分类中，半高 单位涉及到集成电路、微电子学、建筑材料、机床、钢铁产品、饮料、消防、建筑物的防护、服务、导体材料、纺织产品、职业安全、工业卫生、能源和热传导工程综合、机上设备和仪器、切削工具、管道部件和管道、报警和警告系统、半导体材料、犯罪行为防范、水质、建筑物、阀门、半导体分立器件、增强塑料、环境保护、金属材料试验、建筑工业、电学、磁学、电和磁的测量、航空航天制造用材料、焊接、钎焊和低温焊、橡胶和塑料制品、环境试验、电工和电子试验、电工器件、耐火材料、陶瓷、光纤通信。

在中国标准分类中，半高 单位涉及到半导体集成电路、计算机应用、混凝土制品、刀具、蒸馏酒、、建筑物理、砌体结构工程、消防综合、卫生、安全、劳动保护、能源综合、航空仪表、标准化、质量管理、石油钻采设备与仪器、供水、排水器材设备、技术管理、社会公共安全综合、半导体分立器件综合、塑料型材、居住与公共建筑工程、阀门、纤维增强复合材料、微电路综合、金属物理性能试验方法、化合物半导体材料、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料、电子束管、焊接与切割、连接器、特种陶瓷、半导体三极管、光通信设备、屋面、铺面防水与防潮材料。

美国国防后勤局，关于半高 单位的标准

• DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 硅单片装有置位复位键的J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 硅单片16位和8/16位微处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
• DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 硅单片,32位高集成微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 硅单片装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89731-1989 硅单片,TTL可兼容输入,8位同位锁存收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89707-1989 硅单片,同步复位二-十进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 硅单片装有复位键的六位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90501 REV A-2006 硅单片,8位串联/并联输入,串联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89772-1992 硅单片,装有8位或16位外总线16位微型控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构微型电路
• DLA SMD-5962-86816 REV D-2008 微电路数字高速CMOS8位单片移位寄存器
• DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 硅单片8位通用移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 硅单片六位反相施密特触发电路,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 硅单片,TTL可兼容输入,六位倒相器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 硅单片,8位同步二进降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 硅单片,双重4级移位寄存器,改进型高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86817 REV D-2011 微电路，数字，高速 CMOS，8 位移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89946 REV A-2006 硅单片,4位同步十进升值/降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 硅单块 无缓冲六位变换电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位串联输入/并联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89741-1990 硅单片,TTL可兼容输入,装有I/P锁存器的八位移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87808 REV A-2005 硅单片4位同步向上/向下十年计数器异步复位高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 硅单片TTL兼容8位普遍移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 硅单片装有三态输出的八位反相缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 硅单片装有复位键D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位可寻址锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86827 REV D-2013 微电路，数字，高速 CMOS，4 位并行移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的六位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84089 REV D-2002 硅单片装有复位键的D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90979 REV B-2008 微电路，线性，高速相位/鉴频器，单片硅
• DLA SMD-5962-88568-1988 硅单片8位微机单一组装沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89700 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的可再触发单稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 硅单片装有三态输出的八位D型透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84162 REV D-2002 硅单片8比特串联输入并联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89732-1989 硅单片,装有三态输出的八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 硅单块 4比特双向万能移位寄存器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-84075 REV E-2002 硅单片装有同步复位的4比特同步二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 硅单片,8比特并联输入串联输出的移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,12级行波进位二进计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90705-1991 硅单块 异步复位二-十进制译码计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA MIL-M-38510/665 VALID NOTICE 4-2012 微电路、数字、高速、CMOS、移位寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 硅单片数位类比转换器双12位互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90574-1990 硅单片,TTL可兼容输入,8位同步二-十进降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89900 REV A-2009 微电路，线性，高速 6 位 A/D 转换器，单片硅
• DLA SMD-5962-89446-1991 硅单片8位可变长度移位寄存器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88516 REV E-2010 微电路，数字，高性能 CMOS 9 位和 10 位总线接口寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 硅单片误差检测与校正的单位互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 硅单片异或门高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-99536 REV F-2011 微电路，数字线性，抗辐射，高频半桥驱动器，单片硅
• DLA SMD-5962-99536 REV G-2011 微电路，数字线性，抗辐射，高频半桥驱动器，单片硅
• DLA SMD-5962-84150 REV F-2009 微电路，数字，高速 CMOS，带置位和复位功能的双 JK 触发器，单片硅
• DLA SMD-5962-84094 REV C-2012 微电路，数字，高速 CMOS，带同步复位的 4 位同步 BCD 计数器，单片硅
• DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 硅单片三态输出8比特移位寄存器/存储记录器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
• DLA SMD-5962-86013 REV E-2009 微电路，数字，高速 CMOS，4 位幅度比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-86818 REV E-2011 微电路，数字，高速 CMOS，8 位幅度比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 微电路，数字，双极高性能 10 位缓冲器，单片硅
• DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 硅单片12位缓冲成倍增加数位类比转换器互补型金属氧化物半导体微电路
• DLA SMD-5962-92234-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有单片使能的8位恒等比较器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 硅单片,96位浮点双口处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-84095 REV D-2009 微电路，数字，高速 CMOS，8 位并行输入/串行输出移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-84162 REV E-2009 微电路，数字，高速 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-89765 REV E-2013 微电路、数字、高速 CMOS、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅
• DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 硅单片,128K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-90557 REV B-2003 硅单片,双重准确单稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 硅单片双极高性能10位缓冲双极数字微电路
• DLA MIL-M-38510/765 A VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、高级 CMOS、移位寄存器、单片硅、正逻辑
• DLA SMD-5962-85519 REV D-2011 微电路，数字，高速 CMOS，8 位可寻址锁存器，单片硅
• DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 微电路、数字、双极、高速前瞻进位发生器、单片硅
• DLA SMD-5962-84070 REV E-2011 微电路，数字，高速 CMOS，双 2 位透明锁存器，单片硅
• DLA SMD-5962-94670 REV A-2009 微电路，线性，高速，视频，8 位，D/A 转换器，单片硅
• DLA SMD-5962-86716 REV D-2003 硅单块 高速四角形单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体直线型微型电路
• DLA SMD-5962-87806 REV D-2011 微电路、数字、高速 CMOS、具有三态输出的 8 位通用移位寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的反向八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 硅单块 移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87754 REV B-2011 微电路、数字、高速 CMOS、模拟复用器/解复用器、三重单极、双位、单片硅
• DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94542-1994 硅单片,32位局域网络协处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 硅单片,8-16位并行接口/限时器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89654 REV D-2001 硅单片,8位高速交流/直流转变器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-89808 REV B-2002 硅单片,高速12位数字模拟转变器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-89900-1994 硅单片,高速6位交流/直流转变器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-90508 REV D-2004 硅单片,高速8位交流/直流转变器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-84100 REV F-2011 微电路，数字，高速 CMOS，双 4 位二进制计数器，单片硅
• DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有异步复位的4位可预设置二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的正向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的反向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90501 REV B-2013 微电路，数字，高速 CMOS，8 位串行/并行输入，串行输出移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 微电路，数字，双极性，高级肖特基，TTL，8 位双向通用移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 硅单片六位D型双稳多谐振荡器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 硅单片,16 X 16位并行多路复用器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94564-1994 硅单片,24位通用数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 硅单片,8位视频直流/交流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-94608-1994 硅单片,12位可级联乘法器加法器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 硅单片,八位并行互连总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
• DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 硅单片3-8线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 硅单片,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 硅单片,锁相环路文件,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 硅单片,高性能微型控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-99536 REV E-2003 微型电路,数字型,辐射加固,高频率半桥式驱动器,单块硅
• DLA SMD-5962-96556 REV E-2009 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-96584 REV B-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅
• DLA SMD-5962-96556 REV F-2011 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-96584 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅
• DLA SMD-5962-96556 REV G-2012 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-96556 REV H-2013 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-88652-1989 硅单片高速向前进行发电机高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89974 REV D-2007 硅单片,高速输出有钳位运算放大器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-88764 REV C-2006 硅单片8位A/D模数转换器高速数字线性微电路
• DLA SMD-5962-96536 REV E-2009 微电路，数字，高级 CMOS，抗辐射，4 位幅度比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-86076 REV E-2009 微电路，数字，高速 CMOS，4 位同步二进制计数器，单片硅
• DLA SMD-5962-86824 REV B-2012 微电路，数字，高速 CMOS，4 位同步十进制计数器，单片硅
• DLA SMD-5962-89932 REV G-2012 微电路，数字线性，8 位，高速，乘法 D/A 转换器，单片硅
• DLA SMD-5962-90555 REV B-2006 硅单片,异步可单次编程式逻辑设置,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 硅单片,8位TTL/BTL寄存的收发器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 硅单片16位片状微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-89769 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有数据启动的八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86870 REV A-2010 微电路、数字、高级低功耗肖特基、TTL、8 位、并行输出串行移位寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-89702 REV B-2011 微电路、数字、高速 CMOS、带置位和复位功能的双 JK 触发器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-90701 REV B-2012 微电路、数字、高速 CMOS、带置位和复位功能的双 JK 触发器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA DSCC-DWG-89100 REV B-2002 固定薄膜片状法兰安装单路TAB高功率10瓦特半导体器件
• DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 硅单片,两重4输入无门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 硅单片,两重2输入或门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 硅单片,三重3输入与门,高速氧化物半导体数字微型电路
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• DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有8位奇偶发生器/校验器的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95746 REV C-2009 微电路、数字、高速 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入的 8 位通用移位寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-84056 REV E-2002 硅单片D型双重双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
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• DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 硅单块 四列二输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
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• DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 硅单片,2K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
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• DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
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• DLA SMD-5962-92242 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
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• DLA SMD-5962-92259 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92263 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位锁存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92264 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92268 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的20位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
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• DLA SMD-5962-89932 REV E-2006 硅单片,8位高速耐辐射的增值直流/交流转变器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-84075 REV F-2010 微电路，数字，高速 CMOS，4 位同步二进制计数器，带异步清零单片硅
• DLA SMD-5962-96566 REV G-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、同步 4 位加/减双时钟计数器、单片硅
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• DLA SMD-5962-96566 REV H-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、同步 4 位加/减双时钟计数器、单片硅
• DLA SMD-5962-88578 REV C-2008 微电路，数字，双极，高级低功耗肖特基 TTL，8 位身份比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-95768 REV C-2009 微电路、数字、高速 CMOS、抗辐射、4 位幅度比较器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96564 REV C-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同步 4 位加/减二进制计数器、单片硅
• DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、同步 8 位、加/减计数器、单片硅
• DLA SMD-5962-96582 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、9 位奇/偶校验发生器/校验器、单片硅
• DLA SMD-5962-96559 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行/并行输入、串行输出移位寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-04210-2004 硅单片三态输出16比特缓冲/驱动高级氧化物半导体的数字微型电路
• DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 硅单块 四列二输入是非门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89609 REV A-2006 硅单片,装有电控振荡器的锁相环路,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87610 REV C-2004 硅单块 三倍三输入是非门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 硅单块 四列二输入非与门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89666 REV C-2007 硅单片,256 X 9并联先进先出式,氧化物半导体高速数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-87680 REV C-2006 硅单块 14步二进制计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87691 REV A-2005 硅单块 8输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89746 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89844 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,8输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89863 REV A-2006 硅单片,512 X 9先进先出式串联,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 硅单块 4比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88655-1989 硅单片八进制D型触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 硅单块 八比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89445 REV A-2006 硅单片可编程N分计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 硅单块 8比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 硅单块 8比特量值比较器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
• DLA MIL-PRF-19500/446 E VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，硅，高功率，单相，全波桥式整流器，类型 SPA25、SPB25、SPC25 和 SPD25 JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 硅单片耐辐射可编程序脉冲相位差节拍缓冲器的氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 硅单片,512 X 8位串联式电可擦除只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 硅单片,双重12位双缓冲多路复用氧化物半导体数字模拟转变器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 硅单片,装有三态输出的八位收发器/寄存器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 硅单片八进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-89951-1990 硅单片,256 X 4位非易失随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 硅单片,寄存的8K X 8位可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92345 REV B-2001 硅单片,12位串联输入多路复用的数字模拟转变器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92333 REV C-2006 硅单片,装有10位交流/直流比较时钟器的八位可擦可编程序只读存储器控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位总线收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-90758 REV B-2012 微电路，数字，，高速 CMOS，双 2 位双稳态透明锁存器，TTL 兼容输入，单片硅
• DLA SMD-5962-89742 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92204 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向八位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92228-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的十位总线接口锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92229 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的九位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92230 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的八位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92237 REV C-2006 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85133-1986 硅单块 80比特扩展数字处理器,高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
• DLA SMD-5962-91603 REV A-1998 硅单块 4态同步双向计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87625 REV B-2006 硅单块 双4输入多路复用器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89709 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重三输入是门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89843 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重输入非与门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-85519 REV C-2005 硅单块 8比特可寻址锁存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86011 REV C-2005 硅单块 译码计数器或分离器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86854-1987 硅单块 4比特二进制计数器 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 硅单片浮点运算的协处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95780 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95811 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 硅单片,32K X 8位功率转换可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89519 REV F-1998 硅单片MIL-STD-1750型指令集架构16位微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-90564 REV D-2006 硅单片,装有16千字节可消除式可程序化只读存储器的8位微型控制器,单片氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89758-1992 硅单片,装有三态输出的的9位缓冲同向锁存器,高速数字微型电路
• DLA SMD-5962-96566 REV F-2008 微电路，数字，高级 CMOS，抗辐射，同步 4 位向上/向下双时钟计数器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、TTL 兼容、单片硅
• DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位收发器
• DLA SMD-5962-89947 REV B-2011 微电路、数字、高速 CMOS、12 级纹波进位二进制计数器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-90985 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有使能功能的 8 位幅度比较器、单片硅
• DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-89703 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,三重三输入或非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,32比特微处理器数字微型电路
• DLA SMD-5962-89751 REV B-2005 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入非与门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89845 REV C-2002 硅单片,双重2输入非与门施米特触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88624-1988 硅单片TTL兼容可编程N计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90652 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86061 REV D-2006 硅单块 4列2输入多路复用器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 硅单片双 J-K正极边缘触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-95728 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入多路器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93244-1993 硅单片,512K X 8位5伏特可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重64阶段静态移位寄存器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-92232-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92280 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的18位总线接口,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93020-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 32 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 16 位透明 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-87725 REV C-2012 微电路、数字、高速 CMOS、带主复位的八进制 D 型触发器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-87622 REV E-2007 硅单块 八选一译码器或去复用器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87732 REV B-1991 硅单片J-K触发器与预设和明确高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87733 REV B-2005 硅单片J-K触发器与预设和明确高速互补型金属氧化物半导体数字微电路

英国标准学会，关于半高 单位的标准

• BS EN 771-4:2003 圬工单位规范.高压蒸氧加气混凝土圬工单位
• BS EN 771-4:2011 圬工单位规范.高压蒸氧加气混凝土圬工单位
• BS ISO 17161:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 陶瓷复合材料. 单轴机械试验中错位度的测定

SE-SIS，关于半高 单位的标准

• SIS SS 83 41 55-1979 住房家具和配件．存储单元．高位单元
• SIS SS 83 41 42-1979 住房家具和配件．存储单元．高位单元
• SIS SS 83 41 57-1979 住房家具和配件．存储单元．高位单元
• SIS SS 83 41 41-1979 住房家具和配件．存储单元．高位单元
• SIS SS 83 41 56-1979 住房家具和配件．存储单元．高位单元
• SIS SS 83 41 54-1979 住房家具和配件．存储单元．高位单元
• SIS SS 83 41 43-1979 住房家具和配件．存储单元．高位单元
• SIS SS 83 41 40-1979 住房家具和配件．存储单元．高位单元

AT-ON，关于半高 单位的标准

• ONORM A 5432-1989 单位载荷最大高度的测定

ZA-SANS，关于半高 单位的标准

• CKS 251-1970 高速钢刀头规范（米制单位）
• CKS 441-1975 高空呼吸用氧（公制单位）规范
• SANS 804,805,806+807:1970 电解韧高导电性铜（公制单位）标准规范
• CKS 106-1967 高纯度氮气（液态和压缩气体）的规范（公制单位）
• SANS 1033:2003 低碳钢和中高强度钢潜弧焊用实心填充焊丝（公制单位）

福建省地方标准，关于半高 单位的标准

• DB35/ 1132-2011 半固态法白酒原酒单位产品能耗限额
• DB35/T 1522-2015 先张法预应力高强混凝土管桩单位产品能源消耗限额

ESDU - Engineering Sciences Data Unit，关于半高 单位的标准

• ESDU 72018-1972 用于性能计算的大气数据 附录：以英尺为单位的高度 以 SI 单位为单位的数据

辽宁省标准，关于半高 单位的标准

• DB21/T 2186-2013 火灾高危单位消防安全评估
• DB21/T 2837-2017 高分子防水材料复合片（FS2）单位面积质量现场测试方法

德国标准化学会，关于半高 单位的标准

• DIN 4108-1:1981 高层建筑的隔热.参数及单位
• DIN 50454-2:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
• DIN 50454-3:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
• DIN 50454-1:2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓

法国标准化协会，关于半高 单位的标准

• NF P12-024-1/A1:2005 圬工单位的规范.第4部分:高压蒸氧加气混凝土圬工单位
• NF H90-215-3*NF EN 13044-3:2011 联运集装单位 标识 第3部分：‎涉及铁路营运半挂车的标识
• NF T57-511:2011 纤维增强塑料.成型化合物和半固化片.单位面积质量的测定.
• NF P12-121-4:2011 圬工单位规范.第4部分:高压蒸气养护的加气混凝土砌块.
• NF P12-121-4/IN1*NF EN 771-4/IN1:2015 圬工单位规范 第4部分：高压蒸气养护的加气混凝土砌块
• NF A92-803:2014 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 陶瓷复合材料. 单轴机械试验中错位度的测定
• NF A92-803*NF EN ISO 17161:2016 精细陶瓷（高级陶瓷、高级技术陶瓷）-陶瓷复合材料-单轴机械试验中错位度的测定

中国团体标准，关于半高 单位的标准

• T/YCPX 001-2023 餐饮服务单位提供“半份菜、小份菜” 行为规范
• T/ZZB 2283-2021 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉
• T/IAWBS 017-2022 金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
• T/IAWBS 015-2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
• T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
• T/AQB 5-2020 安徽省高速公路服务区放心消费示范单位 评定规范
• T/CBMF 148-2021*T/CCPA 25-2021 免蒸压预应力高强混凝土预制桩 单位产品能耗限额
• T/CCPA 25-2021 免蒸压预应力高强混凝土预制桩单位产品能耗限额
• T/CIET 332-2023 焦炉煤气转化制高纯氢单位产品能耗限额及计算方法
• T/CHNRISC 0001-2022 氧化锆高温陶瓷制品及石英水口单位产品能源消耗限额

安徽省标准，关于半高 单位的标准

• DB34/T 3221-2018 火灾高危单位消防安全评估规程

天津市地方标准，关于半高 单位的标准

• DB12/T 916-2019 火灾高危单位消防安全评估导则
• DB12/ 046.93-2008 超高温无菌奶单位产量综合能耗 计算方法及限额
• DB12/ 046.93-2011 产品单位产量综合能耗计算方法及限额 第93部分：超高温无菌奶
• DB12/ 046.97-2011 产品单位产量综合能耗计算方法及限额 第97部分：高频直缝焊管

重庆市地方标准，关于半高 单位的标准

• DB50/T 632-2015 火灾高危单位消防安全评估规程

四川省标准，关于半高 单位的标准

• DB51/T 2050-2015 火灾高危单位消防安全评估规程

宁夏回族自治区标准，关于半高 单位的标准

• DB64/T 1021-2014 火灾高危单位消防安全评估规程

山东省地方标准，关于半高 单位的标准

• DB37/T 2409-2013 火灾高危单位消防安全评估规程
• DB37/ 750-2015 高炉炼铁工序单位产品能源消耗限额

广西壮族自治区标准，关于半高 单位的标准

• DB45/T 1164-2015 火灾高危单位消防安全评估规程

青海省标准，关于半高 单位的标准

• DB63/T 1380-2015 火灾高危单位消防安全评估导则

甘肃省地方标准，关于半高 单位的标准

• DB62/T 2475-2014 火灾高危单位消防安全评估标准

陕西省标准，关于半高 单位的标准

• DB6101/T 3109-2021 火灾高危单位消防安全评价规范
• DB61/T 926-2014 火灾高危单位消防安全管理与评估规范

RU-GOST R，关于半高 单位的标准

• GOST 27541-1987 机关单位用纯毛和半纯毛精梳毛织物.技术条件
• GOST 27542-1987 机关单位用纯毛和半纯毛粗梳毛织物.技术条件

行业标准-安全生产，关于半高 单位的标准

• AQ 3025-2008 化学品生产单位高处作业安全规范

北京市地方标准，关于半高 单位的标准

• DB11/T 980-2013 高压聚乙烯单位产品能源消耗限额
• DB11/T 1283-2015 高分子防水卷材单位产品能源消耗限额
• DB11/T 1018-2013 高级轿车及高级运动型乘用车单位产品能源消耗限额

(美国)海军，关于半高 单位的标准

• NAVY MIL-P-85723 NOTICE 1-1997 PGU-28/B型20毫安半精确位置高爆炸指示器射弹
• NAVY MIL-P-85723 (1)-1991 PGU-28/B型20毫安半精确位置高爆炸指示器射弹
• NAVY MIL-P-85723-1986 PGU-28/B型20毫安半精确位置高爆炸指示器射弹

美国船级社，关于半高 单位的标准

• ABS 124-2004 自升高钻探单位动态分析程序指南说明

美国国家标准学会，关于半高 单位的标准

• ANSI/ASTM F2737:2011 起皱的高密度聚乙烯(HDPE)水质单位用规范

山西省标准，关于半高 单位的标准

• DB14/ 1007-2014 煅烧煤系高岭土单位产品综合能耗限额
• DB14/ 1062-2015 用于水泥和混凝土中的粒化高炉矿渣粉单位产品综合能耗限额

上海市标准，关于半高 单位的标准

• DB31/T 329.24-2019 重点单位重要部位安全技术防范系统要求 第24部分：高校

美国材料与试验协会，关于半高 单位的标准

• ASTM F980M-96 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
• ASTM F980M-96(2003) 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
• ASTM D7937-15(2023) 地表水中浊度高于 1 浊度单位 (TU) 的原位测定的标准测试方法
• ASTM F2737-10 起皱的高密度聚乙烯(HDPE)水质单位用标准规范
• ASTM F2737-10a 起皱的高密度聚乙烯(HDPE)水质单位用标准规范
• ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
• ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

贵州省地方标准，关于半高 单位的标准

• DB52/T 931-2014 火灾高危单位消防安全等级评估技术规范
• DB52/T 931-2021 火灾高危单位消防安全检查评估技术规范

广东省标准，关于半高 单位的标准

• DB4401/T 105.2-2021 单位内部安全防范要求 第2部分：高等院校

行业标准-电子，关于半高 单位的标准

• SJ/T 31489-1995 半导体分立器件制造业产品可比单位产量能源消耗定额
• SJ/T 31469-1995 黑白显像管、高分辨单色显示管制造业产品可比单位产量能源消耗定额

江苏省标准，关于半高 单位的标准

• DB32/T 3144-2016 普通高校单位综合能耗、电耗限额及计算方法

河北省标准，关于半高 单位的标准

• DB13/T 5652.2-2023 节水型单位评价导则 第2部分：高速公路服务区
• DB13/T 5324-2020 用于水泥、砂浆和混凝土中的粒化高炉矿渣粉单位产品能源消耗限额

浙江省标准，关于半高 单位的标准

• DB33/T 737-2015 普通高等院校单位综合能耗、电耗定额及计算方法

国家质检总局，关于半高 单位的标准

• GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
• GB/T 328.5-2007 建筑防水卷材试验方法 第5部分：高分子防水卷材 厚度、单位面积质量

印度尼西亚标准，关于半高 单位的标准

• SNI 7395-2008 高楼与住宅建筑墙壁与地板施工单位价格计算过程
• SNI 7393-2008 高楼与住宅建筑墙壁与地板铁铝施工单位价格计算过程
• SNI 7394-2008 高楼与住宅建筑墙壁与地板混凝土施工单位价格计算过程

IT-UNI，关于半高 单位的标准

• UNI 3918-1976 含铁材料机械试验．高温条件下的屈服点单位载荷和钢的比例性偏移的单位载荷的测定和检验

台湾地方标准，关于半高 单位的标准

• CNS 5547-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–高温保存试验
• CNS 6126-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–闸流体之高温通电试验
• CNS 5545-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–晶体管高温逆向偏压试验

ES-UNE，关于半高 单位的标准

• UNE 192014-2:2023 非输配电单位高压电气装置监管检查程序 第2部分：高压线路及其技术附件

国际标准化组织，关于半高 单位的标准

• ISO 2533:1975/Cor 1:1977 扩展到-5000米 标准大气作为高度的函数 单位为英尺 技术勘误表

FI-SFS，关于半高 单位的标准

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