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金属氧化物电容

本专题涉及金属氧化物电容的标准有500条。

国际标准分类中，金属氧化物电容涉及到绝缘、电工器件、半导体分立器件、输电网和配电网、建筑物的防护、涂料配料、阀门、绝缘流体、光纤通信、开关装置和控制器、有色金属、集成电路、微电子学、绝缘材料、电容器、非金属矿、电站综合、电阻器、热力学和温度测量、石蜡、沥青材料和其他石油产品、粉末冶金、牙科、电气工程综合、电子元器件综合、分析化学、有色金属产品、航空航天制造用材料、物理学、化学、电池和蓄电池、钟表学、电工和电子试验、铁路车辆、表面处理和镀涂、电学、磁学、电和磁的测量、空气质量、道路工程、长度和角度测量、半导体材料、滤波器。

在中国标准分类中，金属氧化物电容涉及到避雷器、电工合金零件、半导体分立器件综合、电容器、低压配电电器、颜料、机械量仪表、自动秤重装置与其他检测仪表、纸、光通信设备、电工绝缘材料及其制品、电源设备、稀有金属及其合金分析方法、、计算机应用、半导体集成电路、电力系统设备安装测试、电站、电力系统运行检修、电阻器、输变电设备综合、低压电器综合、温度与压力仪表、电子技术专用材料、石油蜡、阀门、金属物理性能试验方法、口腔科器械、设备与材料、敏感元器件及传感器、高电压设备成套装置、基础标准和通用方法、基础标准与通用方法、电力电容器、贵金属矿、微电路综合、航空与航天用金属铸锻材料、铁路通信设备、钟表、其他、材料防护、通信网技术体制、继电保护及自动装置、电子测量与仪器综合、化学、化学电源、其他电真空器件、蓄电能装置、公路工程、稀土金属及其合金、金属化学性能试验方法、绝缘油、计算机设备。

行业标准-机械，关于金属氧化物电容的标准

JB/T 9670-2014 金属氧化物避雷器电阻片用氧化锌
JB/T 9670-1999 金属氧化物避雷器阀片用氧化锌
JB/T 8444-2015 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
JB/T 8444-1996 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
JB/T 10492-2011 金属氧化物避雷器用监测装置
JB/T 7617-1994 六氟化硫罐式无间隙金属氧化物避雷器
JB/T 9672.1-1999 直流有串联间隙金属氧化物避雷器
JB/T 10676-2006 金属化安全膜交流电动机电容器
JB/T 9672.2-2005 串联间隙金属氧化物避雷器.第2部分:35kV及以下交流系统用有串联间隙金属氧化物避雷器
JB/T 9672.1-2013 串联间隙金属氧化物避雷器第1部分:3 kV及以下直流系统用有串联间隙金属氧化物避雷器
JB/T 5894-1991 交流无间隙金属氧化物避雷器使用导则
JB/T 10492-2004 交流无间隙金属氧化物避雷器用监测器
JB/T 6479-2014 交流电力系统阻波器用有串联间隙金属氧化物避雷器
JB/T 10496-2005 交流三相组合式无间隙金属氧化物避雷器
JB/T 10497-2005 交流输电线路用复合外套有串联间隙金属氧化物避雷器
JB/T 6479-1992 交流电力系统线路阻波器用有串联间隙金属氧化物避雷器

US-CFR，关于金属氧化物电容的标准

CFR FED FCGS 07140-1979 金属氧化物防水

US-FCR，关于金属氧化物电容的标准

FCR UFGS-07 16 19-2007 金属氧化物防水
FCR FED GSA/PBS 07140-1980 金属氧化物防水
FCR FED FCGS 07140-1979 金属氧化物防水
FCR COE CEAGS 07140A-1992 金属氧化物防水，NOTICE 1-4（1995）INCORPORATED
FCR COE CWGS 16340-1993 户外站级金属氧化物型避雷器

国家质检总局，关于金属氧化物电容的标准

GB/T 13397-2008 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
GB 13397-1992 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
GB/T 12690.3-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法发射光谱法测定金属铈及氧化铈中氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钐和氧化钇量
GB/T 12690.8-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法发射光谱法测定金属钕及氧化钕中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钐和氧化钇量
GB/T 24123-2009 电容器用金属化薄膜
GB/T 12690.7-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法 X射线荧光光谱法测定金属钕和氧化钕中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钐和氧化钇量
GB 11032-2010 交流无间隙金属氧化物避雷器
GB/T 11032-2010 交流无间隙金属氧化物避雷器
GB 11032-2000 交流无间隙金属氧化物避雷器
GB/T 27746-2011 低压电器用金属氧化物压敏电阻器(MOV)技术规范
GB/T 25083-2010 ±800kV直流系统用金属氧化物避雷器
GB/T 12690.1-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法电感耦合等离子发射光谱法测定氧化镧中氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化钇量
GB/T 12690.29-2000 稀土金属及其氧化物化学分析方法荧光光度法测定稀土氧化物中氧化铈量
GB/T 12690.4-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法化学光谱法测定氧化铈中氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钐和氧化钇量
GB/T 12690.9-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法化学光谱法测定氧化钕中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钐和氧化钇量
GB/T 12690.28-2000 稀土金属及其氧化物化学分析方法电感耦合等离子体发射光谱法测定稀土氧化物中氧化钙量
GB/T 12690.2-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法发射光谱法测定氧化镧中氧化钕、氧化铈、氧化镨、氧化钐和氧化钇量
GB/T 12690.6-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法发射光谱法测定氧化镨中氧化镧、氧化铈、氧化钕、氧化钐和氧化钇量
GB/T 12690.10-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法发射光谱法测定氧化钆中氧化钐、氧化铕、氧化铽、氧化镝和氧化钇量
GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
GB/T 12690.14-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法发射光谱法测定氧化镧、氧化铈、氧化钕、氧化钆中钴、铁、锰、铅、铬、镍、铜、锌的氧化物量
GB/T 12690.13-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法高频-红外吸收法测定金属钕、金属钐中碳量
GB/Z 43032-2023 纳米技术水样中金属与金属氧化物纳米物体表征样品制备方法
GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
GB/T 12690.5-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法 X射线荧光光谱法测定氧化镨中氧化镧、氧化铈、氧化钕、氧化钐和氧化钇量
GB/T 12690.11-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法发射光谱法测定氧化铽中氧化镧,氧化铈,氧化镨,氧化钕,氧化钐,氧化铕,氧化钆,氧化镝,氧化钬,氧化铒和氧化钇量
GB/T 28547-2012 交流金属氧化物避雷器选择和使用导则
GB/T 6462-2005 金属和氧化物覆盖层厚度测量显微镜法
GB/T 18802.331-2007 低压电涌保护器元件第331部分：金属氧化物压敏电阻（MOV）规范
GB/T 4874-1985 直流固定金属化纸介电容器总规范
GB 4874-1985 直流固定金属化纸介电容器总规范
GB/T 41917-2022 纳米技术电子自旋共振（ESR）法检测金属氧化物纳米材料产生的活性氧（ROS）
GB/T 12690.3-2002 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法重量法测定稀土氧化物中水分量
GB/T 12690.2-2002 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法重量法测定稀土氧化物中灼减量
GB/T 12690.27-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法重量法测定灼减量

美国国防后勤局，关于金属氧化物电容的标准

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
DLA A-A-55564/3 B-2004 金属氧化物,径向引线压敏电阻
DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
DLA A-A-55562 A-2001 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片
DLA A-A-55564/2 B-2012 电阻器，电压敏感（变阻器），金属氧化物，高能量
DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
DLA MIL-PRF-83530 C-2008 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），一般规范
DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），片式，0603 型
DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，0805 型
DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，1206 型
DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，1210 型
DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，0402 型
DLA A-A-55564/3 C-2012 电阻器，电压敏感（变阻器），金属氧化物，径向引线
DLA QPL-83530-7-2004 电压敏感(压敏电阻器,金属氧化物)电阻器一般规格
DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
DLA A-A-55562/2 A-2001 类型为0805的片状压敏(压敏电阻,金属氧化物)电阻器
DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 硅单片TTL兼容10位放大镜调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88624-1988 硅单片TTL兼容可编程N计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路数字的互补金属氧化物半导体
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 硅单块互补金属氧化物半导16X16乘数,数字微型电路
DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 硅单片TTL兼容输入8输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 硅单片TTL兼容八进制透明锁存三态快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 硅单片TTL兼容计数器同步二元预定快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT奇偶校验,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97528-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97571-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 硅单片TTL兼容输入14阶段二元计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 硅单片TTL兼容三态输出八进制D调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 硅单片TTL兼容输入四方双输入与通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三重三输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 带电可变编程逻辑装置互补金属氧化物硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 数字互补金属氧化物可编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体发生器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 互补金属氧化物半导体,超电压防护多路器硅单片电路线型微电路
DLA DESC-DWG-88012 REV E-2013 电容器，固定，金属化 PTFE（特氟龙）绝缘，密封
DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 互补金属氧化物半导体微功率定相锁环硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BIT数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,18-BIT母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 硅单片数字数据处理器沟道金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 数字互补金属氧化物半导体可编程电池排列硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88674-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口调节输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 硅单片TTL兼容输入锁相环与压控振荡器高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 硅单片微处理器优化数字信号处理互补型金属氧化物半导体微电路
DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制闭锁晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体4-BIT二元全加速晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,16-BIT接收器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 互补金属氧化物半导体,双重单刀单掷(开关)硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重与非门硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 抗辐射互补金属氧化物半导体母线控制器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96786-1996 8-BIT双向互补金属氧化物半导体或转换器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95715-1996 数字的互补金属氧化物半导体时钟驱动器硅单片电路线型微电路

国家军用标准-总装备部，关于金属氧化物电容的标准

GJB 3794-1999 电接触银基金属氧化物合金规范
GJB 3794A-2018 电接触银基金属氧化物加工材规范

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于金属氧化物电容的标准

GB/T 34869-2017 串联补偿装置电容器组保护用金属氧化物限压器
GB/T 32996-2016 表面化学分析辉光放电发射光谱法分析金属氧化物膜

韩国科技标准局，关于金属氧化物电容的标准

KS C 4808-2011(2016) 聚合物 - 容纳金属氧化物避雷器而不对配电线路上的间隙
KS C 2332-1985(2000) 电解电容器用金属化纸
KS C 2332-1985 电解电容器用金属化纸
KS C 2370-1993(1999) 电容器金属化聚酯膜
KS C 2370-1987 电容器金属化聚酯膜
KS C 2212-2002(2017) 电容器金属化聚酯薄膜
KS C 2212-1987 电容器金属化聚酯薄膜
KS C 4808-2011(2021) 配电线路用无间隙聚合物外壳金属氧化物避雷器
KS C 2212-2002(2022) 电容器用金属化聚酯薄膜
KS C 6425-1985(2000) 交流电源的金属化塑料膜电容器
KS C 6425-1985 交流电源的金属化塑料膜电容器
KS C 4616-2011(2021) 交流系统用无间隙金属氧化物避雷器
KS C 4616-2011(2016) 交流系统用无间隙金属氧化物避雷器
KS C 8543-2015(2020) 镍金属氢化物二次电池
KS C 6371-1995(2000) 电子设备的氧化金属膜固定电阻使用
KS C 6371-1990 电子设备的氧化金属膜固定电阻使用
KS C 6371-1995 电子设备的氧化金属膜固定电阻使用
KS C 4616-2011 用于交流系统的无隙金属氧化物避雷器
KS C 4808-2011 配电线路无隙氧化聚合金属避雷器
KS C IEC 60099-4:2021 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
KS C 6428-1992(1997) 固定金属化聚酯薄膜电容器的电子设备
KS C 6428-1992 固定金属化聚酯薄膜电容器的电子设备
KS C 6428-1979 固定金属化聚酯薄膜电容器的电子设备
KS C IEC 61643-331-A:2014 低压电涌保护器元件第331部分:金属氧化物压敏电阻器（MOV）规范
KS C 8544-2011 密封镍金属氢化物(镍/MH)电池
KS C 8544-2016(2021) 密封镍金属氢化物二次电池
KS C IEC 60099-4:2012 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
KS D 8519-2009 金属和氧化物镀层.镀层厚度的测定.显微镜法
KS D 8519-2009(2015) 金属和氧化物涂层涂层厚度的测量显微镜法
KS C IEC 61643-331-A:2015 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范
KS C IEC 61643-331:2006 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范
KS C 8543-2009 排气型镍.金属氢化物(镍/MH)电池
KS C IEC 61951-2:2003 便携式密封镍金属氢化物电池
KS C 8543-2015 排气型镍.金属氢化物(镍/MH)电池

美国材料与试验协会，关于金属氧化物电容的标准

ASTM F1153-92(1997) 用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
ASTM E1652-00 金属屏蔽的铂电阻温度表、基金属热电耦和贵金属热电偶制造中使用的氧化镁,铝氧化粉和压扁绝缘物的标准规范
ASTM E1652-03 制造金属护套铂电阻温度计用氧化镁和氧化铝粉末及可压碎绝缘体的标准规范贱金属热电偶和贵金属热电偶
ASTM E1652-21 用于制造贱金属热电偶、金属护套铂电阻温度计和贵金属热电偶的氧化镁和氧化铝粉末及可压碎绝缘子的标准规范
ASTM E1652-10 金属包覆铂阻温度计、贱金属热电偶和贵金属热电偶制造用氧化镁和氧化铝粉末以及可压扁绝缘体标准规范
ASTM E1652-15 基金属热电耦, 金属外壳的铂电阻温度计和贵金属热电偶制造中使用的氧化镁和氧化铝粉末及压扁绝缘子的标准规格
ASTM E1652-14 基金属热电耦, 金属外壳的铂电阻温度计和贵金属热电偶制造中使用的氧化镁和氧化铝粉末及压扁绝缘子的标准规范
ASTM E1652-14a 基金属热电耦, 金属外壳的铂电阻温度计和贵金属热电偶制造中使用的氧化镁和氧化铝粉末及压扁绝缘子的标准规范

美国电气电子工程师学会，关于金属氧化物电容的标准

IEEE Std C62.11-2020 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
IEEE Std C62.11-1999 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
IEEE Std C62.11-1993 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
IEEE Std C62.11-2005 交流电源电路金属氧化物电涌放电器（大于1 kV）
IEEE Std C62.22-1991 交流系统中金属氧化物电涌放电器应用指南
IEEE Std C62.22-1997 IEEE 交流电系统金属氧化物避雷器应用指南
IEEE Std C62.22-2009 交流系统金属氧化物电涌放电器应用的IEEE指南
IEEE Std C62.11-2012 交流电(AC)电源电路用金属氧化物放电管IEEE标准(1 kV)
ANSI/IEEE Std C62.11-1987 用于交流电源电路的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准
IEEE Std C62.11-1987 用于交流电源电路的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准
IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Std C62.11-2012) 交流电源电路 (> 1 kV) 金属氧化物避雷器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D8.0, December 2019 交流电源电路 (> 1 kV) 金属氧化物避雷器的 IEEE 标准草案
ANSI/IEEE Std 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的 IEEE 标准定义和表征
IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D12A, August 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D11, February 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE Std 581-1978 金属-氮化物-氧化物场效应晶体管的 IEEE 标准定义、符号和表征

行业标准-化工，关于金属氧化物电容的标准

HG/T 4749-2014 金属氧化物混相颜料

国际标准化组织，关于金属氧化物电容的标准

ISO/TS 5094:2023 纳米技术.金属和金属氧化物纳米颗粒过氧化物酶样活性的评估
ISO/TS 25138:2019 表面化学分析 - 通过辉光放电发射光谱法分析金属氧化物膜
ISO/TR 20489:2018 纳米技术.水样中金属和金属氧化物纳米材料表征的样品制备
ISO 1463:2021 金属和氧化物涂层 - 涂层厚度测量 - 显微镜法
ISO/TS 25138:2010 表面化学分析.用辉光放电发射光谱测定法分析金属氧化物薄膜
ISO 1463:1973 金属和氧化物镀层.镀层厚度的测定.显微镜法
ISO 1463:1982 金属和氧化物镀层.镀层厚度的测定.显微镜法
ISO/TS 18827:2017 纳米技术. 金属氧化物纳米材料产生活性氧(ROS)的电子自旋共振(ESR)测量方法

英国标准学会，关于金属氧化物电容的标准

PD ISO/TS 5094:2023 纳米技术金属和金属氧化物纳米粒子的过氧化物酶样活性评估
BS EN 61643-331:2003 低压电涌保护装置.金属氧化物变阻器(MOV)规范
BS EN 60099-4:2004+A2:2009 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
BS EN 60099-4:2004 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
BS EN 60099-4:2014 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
PD ISO/TS 25138:2019 表面化学分析辉光放电发射光谱法分析金属氧化物薄膜
PD ISO/TR 20489:2018 纳米技术用于表征水样中金属和金属氧化物纳米物体的样品制备
BS EN ISO 1463:2005 金属和氧化物覆层.覆层厚度的测定.显微镜法
BS EN ISO 1463:2021 金属和氧化物覆层覆层厚度的测定显微镜法

行业标准-电子，关于金属氧化物电容的标准

SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
SJ/T 10465-2015 电容器用金属化聚酯薄膜
SJ/T 10465-1993 电容器用金属化聚酯薄膜
SJ/T 10464-2015 电容器用金属化聚丙烯薄膜
SJ/T 10464-1993 电容器用金属化聚丙烯薄膜
SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
SJ 20149-1992 电容器用铝金属化聚酯薄膜规范
SJ 20150-1992 电容器用铝金属化聚丙烯薄膜规范

SE-SIS，关于金属氧化物电容的标准

SIS SEN 43 12-1963 金属化云母电容器
MNC 60-1981 铁合金、金属和氧化物．合金材料．概述
MNC 60 E-1981 铁合金、金属和氧化物．铝合金材料．概述
SIS SS IEC 166:1981 直流电固定金属化纸介电容器

日本工业标准调查会，关于金属氧化物电容的标准

JIS C 2316:1984 电容器用金属化纸
JIS C 6409:1994 电子设备用氧化金属膜固定电阻器
JIS C 6441:1982 直流金属化纸介质固定电容器
JIS C 5151:1980 交流电源用金属化塑料薄膜电容器
JIS C 5115:1991 电子设备用固定金属化聚酯薄膜电容器
JIS C 8708:1997 密封的镍金属氢化物可充电单电池
JIS C 8708:2004 密封的镍金属氢化物可充电单电池

工业和信息化部，关于金属氧化物电容的标准

YD/T 2972-2015 通信保护用金属氧化物压敏电阻器
YS/T 3033-2018 黄金选冶金属平衡技术规范生物氧化工艺

行业标准-能源，关于金属氧化物电容的标准

NB/T 10452-2020 绝缘液体金属化薄膜电容器用环氧大豆油
NB/T 42059-2015 交流电力系统金属氧化物避雷器用脱离器
NB/SH/T 0866-2013 自愈式金属化电容器用蜡
DL/T 815-2021 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
NB/T10282-2019 交流无间隙金属氧化物避雷器试验导则

国家能源局，关于金属氧化物电容的标准

NB/T 10452-2026 绝缘液体金属化薄膜电容器用环氧大豆油
NB/T 42152-2018 非线性金属氧化物电阻片通用技术要求
NB/T 42153-2018 交流插拔式无间隙金属氧化物避雷器
NB/T 10282-2019 交流无间隙金属氧化物避雷器试验导则
NB/T 10089-2018 25kV铁道交流系统用无间隙金属氧化物避雷器

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于金属氧化物电容的标准

IEEE C62.11-1993 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准
IEEE C62.11-1987 交流电源电路用金属氧化物电涌放电器标准
IEEE C62.11-1999 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准（> 1kV）
IEEE C62.11-2012 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器
IEEE C62.11-2005 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准
IEEE 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的标准定义和表征
IEEE PC62.11/D2.0-2019 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准草案
IEEE C62.22-1991 交流系统用金属氧化物避雷器应用导则
IEEE C62.22-1997 交流系统用金属氧化物避雷器应用导则

美国国家标准学会，关于金属氧化物电容的标准

ANSI/IEEE C62.11:2005 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准
ANSI/IEEE C62.22:2009 交流系统中金属氧化物电涌放电器应用指南
ANSI/NEMA ANSLG C78.44-2016 电灯双端金属卤化物灯

工业和信息化部/国家能源局，关于金属氧化物电容的标准

JB/T 8444-2014 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件

美国电子元器件、组件及材料协会，关于金属氧化物电容的标准

ECA 377-1970 金属和非金属壳直流金属化介质电容器
ECA 495-A-1989 交流电用金属化纸电极薄膜介电电容器

中国团体标准，关于金属氧化物电容的标准

T/CAB 0156-2022 智能家电用金属氧化物MEMS气体传感器
T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
T/CECA 27-2017 有可靠性指标的金属氧化物压敏电阻器总规范
T/CEC 221-2019 高梯度及低残压金属氧化物电阻片通用技术标准
T/ZZB 0790-2018 动车组用交流无间隙金属氧化物避雷器
T/QGCML 911-2023 10kV交流输电线路用复合外套无间隙金属氧化物避雷器
T/GDC 143-2022 无组织排放废气挥发性有机物的测定金属氧化物法
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

(美国)军事条例和规范，关于金属氧化物电容的标准

ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
ARMY MIL-PRF-55514/11 C VALID NOTICE 2-2013 电容器，固定，金属化塑料电介质，DC，非金属外壳，可靠性高，CFR26 和 CFR27 型

台湾地方标准，关于金属氧化物电容的标准

CNS 5522-1983 电容器用金属化聚酯膜
CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法
CNS 4707-1979 电子机器用金属化塑料膜电容器（特性Ｎ）

RU-GOST R，关于金属氧化物电容的标准

GOST 26318.6-1984 非金属矿物材料.氧化钙和氧化镁含量测定法
GOST 26318.7-1984 非金属矿物材料.氧化钾和氧化钠含量测定法
GOST 23862.19-1979 稀土金属及其氧化物.钛测定法
GOST 23862.20-1979 稀土金属及其氧化物.钒测定法
GOST 23862.23-1979 稀土金属及其氧化物.锰测定法
GOST 23862.24-1979 稀土金属及其氧化物.铁测定法
GOST 23862.25-1979 稀土金属及其氧化物.钴测定法
GOST 23862.26-1979 稀土金属及其氧化物.镍测定法
GOST 23862.27-1979 稀土金属及其氧化物.铌测定法
GOST 23862.29-1979 稀土金属及其氧化物.钼测定法
GOST 23862.30-1979 稀土金属及其氧化物.钽测定法
GOST 23862.31-1979 稀土金属及其氧化物.钍测定法
GOST 23862.32-1979 稀土金属及其氧化物.氟测定法
GOST 23862.33-1979 稀土金属及其氧化物.硅测定法
GOST 23862.34-1979 稀土金属及其氧化物.磷测定法
GOST 23862.35-1979 稀土金属及其氧化物.硫测定法
GOST 23862.36-1979 稀土金属及其氧化物.氯测定法
GOST 23862.7-1979 稀土金属及其氧化物.测定稀土元素氧化物杂质的化学光谱法
GOST 23862.1-1979 稀土金属及其氧化物.稀土元素氧化物杂质的光谱测定法
GOST 23862.2-1979 稀土金属及其氧化物.稀土元素氧化物杂质的光谱测定法
GOST 26318.3-1984 非金属矿物材料.氧化铁含量测定法
GOST 23862.28-1979 稀土金属及其氧化物.钼和钨测定法
GOST 26318.2-1984 非金属矿物材料.二氧化硅含量测定法
GOST 26318.5-1984 非金属矿物材料.二氧化钛含量测定法
GOST 26318.9-1984 非金属矿物材料.三氧化硫含量测定法
GOST 26318.4-1984 非金属矿物材料.三氧化二锰含量测定法
GOST 26318.10-1984 非金属矿物材料.五氧化二磷含量测定法
GOST 23862.0-1979 稀土金属及其氧化物.分析方的一般要求
GOST 26318.8-1984 非金属矿物材料.氧化钾含量的放射分析法
GOST 23862.6-1979 稀土金属及其氧化物.测定钠、钾和钙的方法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于金属氧化物电容的标准

GB/T 11032-2020 交流无间隙金属氧化物避雷器

行业标准-电力，关于金属氧化物电容的标准

DL/T 804-2002 交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
DL/T 804-2014 交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
DL/T 1702-2017 金属氧化物避雷器状态检修导则
DL/T 1703-2017 金属氧化物避雷器状态评价导则
DL/T 815-2012 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
DL/T 815-2002 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
DL/T 1156-2012 串联补偿装置用金属氧化物限压器
DL/T 1294-2013 交流电力系统金属氧化物避雷器用脱离器使用导则
DL/T 613-1997 进口交流无间隙金属氧化物避雷器技术规范
DL/T 1162-2012 火电厂金属材料高温蒸汽氧化试验方法
DL/T 1432.3-2016 变电设备在线监测装置检验规范第3部分：电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
DL/T 1498.3-2016 变电设备在线监测装置技术规范第3部分:电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置

行业标准-有色金属，关于金属氧化物电容的标准

YS/T 484-2005 金属氢化物镍电池负极用储氢合金比容量的测定

美国国防部标准化文件（含MIL标准），关于金属氧化物电容的标准

DOD A-A-51838-1987 牙科研磨的带分类(金属铝氧化物)

RO-ASRO，关于金属氧化物电容的标准

STAS 4605/7-1972 非金属碳酸盐矿物产品．二氧化钛
STAS 4605/10-1980 非金属碳酸盐矿物产品．氧化镁测定
STAS 4605/6-1988 非金属碳酸盐矿物产品．氧化钙含量测定．三氧化二铝测定
STAS 4605/5-1972 非金属碳酸盐矿物产品．三氧化二铁测定
STAS 4605/8-1972 非金属碳酸盐矿物产品．三氧化二锰测定
STAS 4605/9-1988 非金属碳酸盐矿物产品．氧化钙含量测定
STAS 4605/16-1980 非金属碳酸盐矿物产品．二氧化碳含量测定
STAS 4605/4-1972 非金属碳酸盐矿物产品．二氧化硅含量测定
STAS 4605/11-1972 非金属碳酸盐矿物产品．钠和氧化钾含量测定

CN-QIYE，关于金属氧化物电容的标准

Q/GDW 453-2010 金属氧化物避雷器状态检修导则
Q/GDW 276-2009 ±800kV换流站用金属氧化物避雷器技术规范

ES-UNE，关于金属氧化物电容的标准

UNE-EN 24501:1993 硬金属钛的测定光度过氧化物法
UNE-EN 60099-9:2014 电涌放电器第9部分：HVDC 换流站无间隙金属氧化物电涌放电器
UNE-EN 60099-4:2016 电涌放电器第4部分：交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
UNE-EN ISO 1463:2021 金属和氧化物涂层涂层厚度的测量显微镜法

ECIA - Electronic Components Industry Association，关于金属氧化物电容的标准

456-A-1989 交流电用金属化薄膜介电电容器
377-1970 用于直流应用的金属和非金属外壳中的金属化介电电容器（ANSI C83.62-71）
377-1-1972 RS-377 “用于直流应用的金属和非金属外壳中的金属化介电电容器”的零件清单补充

国际电工委员会，关于金属氧化物电容的标准

IEC 60166:1965 金属化纸介直流固定电容器
IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
IEC 60099-4:1998 避雷器第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
IEC 60099-4:2009 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
IEC 60099-4:2004 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
IEC 60099-4:2014 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
IEC 61643-331:2003 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范

CZ-CSN，关于金属氧化物电容的标准

CSN 65 1410-1961 碱金属氢氧化物，技术．技术提供代码

行业标准-水电，关于金属氧化物电容的标准

SD 179-1986 低压交流无间隙金属氧化物避雷器
SD 176-1986 3～500 kV交流电力系统金属氧化物避雷器技术条件
SD 177-1986 3～500 kV交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则

法国标准化协会，关于金属氧化物电容的标准

NF EN 24501:1994 硬质金属钛的测定过氧化物光度法。
NF C65-101/A2:2009 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
NF C65-100-4*NF EN 60099-4:2015 避雷器第4部分：交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
NF C65-101:2005 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 电涌放电器第9部分：用于 HVDC 换流站的无间隙金属氧化物电涌放电器
NF C65-101/A1:2006 电涌放电器.第4部分:交流电系统用无火花隙的金属氧化物电涌放电器
NF A91-110:2004 金属和氧化物镀层.镀层厚度的测量.显微镜法
NF A91-110*NF EN ISO 1463:2021 金属和氧化物镀层. 镀层厚度的测量. 显微镜法
NF A91-110:1995 金属和氧化物镀层.镀层厚度的测定.显微镜法

行业标准-铁道，关于金属氧化物电容的标准

TB/T 1844-1987 25kV交流电气化铁道用无间隙金属氧化物避雷器技术条件

NEMA - National Electrical Manufacturers Association，关于金属氧化物电容的标准

NEMA ANSLG C78.44-2016 电灯双端金属卤化物灯
NEMA C78.43-2017 电灯单端金属卤化物灯
NEMA C78.43-2005 电灯单端金属卤化物灯
NEMA C78.1381-1989 电灯 70 瓦 M85 金属卤化物灯
NEMA C78.1376-1984 电灯 1000 瓦 M47 金属卤化物灯
NEMA C78.1378-1990 电灯 250 瓦 M58 单端金属卤化物灯
NEMA C78.1375-1990 电灯 400 瓦 M59 单端金属卤化物灯

(美国)全国电气制造商协会，关于金属氧化物电容的标准

NEMA ANSLG C78.43-2013 电灯：单端金属卤化物灯
NEMA C78.1372-1996 电灯 70 瓦，M98 单端金属卤化物灯
NEMA C78.1374-1996 电灯 50 瓦，M110 单端金属卤化物灯
NEMA C78.1382-1996 电灯 100 瓦，M90 单端金属卤化物灯
NEMA C78.1387-2001 电灯：250 瓦，M80 双端金属卤化物灯

行业标准-轻工，关于金属氧化物电容的标准

QB/T 4055.1-2010 手表用金属陶瓷外观件第1部分:氧化物金属陶瓷外观件

BE-NBN，关于金属氧化物电容的标准

NBN-EN 24501-1994 硬金属．钛的测定．过氧化物光测法（ISO 4501：1978）

ZA-SANS，关于金属氧化物电容的标准

SANS 60099-4:2007 电涌放电器．第4部分：交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
SANS 144:1982 金属和氧化物涂层．涂层厚度测量．显微镜法
NRS 039-2-1999 配电系统用电涌放电器．第2部分：配电级无间隙金属氧化物电涌放电器
NRS 039-1-1999 配电系统用电涌放电器．第1部分：无间隙金属氧化物电涌放电器应用指南

KR-KS，关于金属氧化物电容的标准

KS C IEC 60099-4-2021 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
KS C IEC 61643-331-A-2014 低压电涌保护器元件第331部分:金属氧化物压敏电阻器（MOV）规范

国际电信联盟，关于金属氧化物电容的标准

ITU-T K.77-2009 用于电信装置保护的金属氧化物电阻片的特性.5号研究组

GOSTR，关于金属氧化物电容的标准

GOST 28309-1989 氧化物电解铝固定电容器防爆试验方法

德国标准化学会，关于金属氧化物电容的标准

DIN EN 60099-4:2010 电涌放电器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
DIN EN ISO 1463:2021-08 金属和氧化物涂层涂层厚度测量显微方法
DIN EN 61643-331:2004 低压电涌保护装置元件.第311部分:金属氧化物变阻器规范
DIN EN ISO 1463:2004 金属和氧化物镀层.镀层厚度的测定.显微镜法

澳大利亚标准协会，关于金属氧化物电容的标准

AS 1307.2:1996 电涌放电器.第2部分:交流系统用无火花隙金属氧化物电涌放电器

丹麦标准化协会，关于金属氧化物电容的标准

DS/EN ISO 1463:2004 金属和氧化物涂层涂层厚度的测量显微法
DS/ISO 1463:2021 金属和氧化物涂层涂层厚度的测量显微法
DS/EN 61643-331:2007 低压电涌保护器元件第331部分：金属氧化物变阻器（MOV）规范
DS/EN 60099-4/A2:2009 电涌放电器第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
DS/EN 60099-4/A1:2007 电涌放电器第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
DS/EN 60099-4:2005 电涌放电器第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
DS/ISO 1463:1983 金属和氧化物镀层. 镀层厚度的测定. 显微镜法

欧洲电工标准化委员会，关于金属氧化物电容的标准

EN 60099-4:2014 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于金属氧化物电容的标准

EN 60099-4:1993 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器

AENOR，关于金属氧化物电容的标准

UNE-EN 61643-331:2004 低压电涌保护器元件第331部分：金属氧化物变阻器（MOV）规范

行业标准-汽车，关于金属氧化物电容的标准

QC/T 744-2006 电动汽车用金属氢化物镍蓄电池

行业标准-交通，关于金属氧化物电容的标准

JT/T 1149-2017 道路沥青用层状复合金属氢氧化物耐紫外光老化剂

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于金属氧化物电容的标准

QC 300401/ HU 0001-1982 金属化聚对苯二甲酸乙二醇酯电容器

NL-NEN，关于金属氧化物电容的标准

NEN 10099-4-1993 IEC 99-4-1991 避雷器．第4部分：交流电系统用物间隙金属氧化物避雷器

YU-JUS，关于金属氧化物电容的标准

JUS C.A6.031-1990 金属和氧化物镀层．镀层厚度的测定．显微镜法

欧洲标准化委员会，关于金属氧化物电容的标准

EN ISO 1463:1994 金属和氧化物镀层.镀层厚度的测定.显微镜法
EN ISO 1463:2021 金属和氧化物镀层.镀层厚度的测定.显微镜法
EN 4491:2013 航空航天系列.非金属材料-厌氧- Threadlocking polymerisable化合物16