场效应型晶体管
本专题涉及场效应型晶体管的标准有202条。
国际标准分类中，场效应型晶体管涉及到半导体分立器件、半导体材料、分析化学、涂料和清漆、集成电路、微电子学、阀门、电子设备用机械构件、电学、磁学、电和磁的测量、电子元器件综合。
在中国标准分类中，场效应型晶体管涉及到半导体二极管、半导体三极管、场效应器件、、半导体分立器件、、涂料基础标准与通用方法、半导体分立器件综合、半导体集成电路、电力半导体器件、部件、阀门、微波、毫米波二、三极管、计量综合、电子元器件、基础标准与通用方法、技术管理、技术管理。
国家质检总局，关于场效应型晶体管的标准
- GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
- GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
- GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
- GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范
- GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
中国团体标准，关于场效应型晶体管的标准
- T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
- T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
- T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
- T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
- T/CASAS 007-2020 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范
国际电工委员会，关于场效应型晶体管的标准
- IEC TS 62607-6-16-2022 纳米制造.关键控制特性.第6-16部分:二维材料.载流子浓度:场效应晶体管法
- IEC TS 62607-6-16:2022 纳米制造.关键控制特性.第6-16部分:二维材料.载流子浓度:场效应晶体管法
- IEC 63275-2-2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
- IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
- IEC 63275-1-2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
- IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
- IEC 60747-8-2010+AMD1-2021 CSV 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
- IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 修改件1.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
- IEC 60747-8-2010/AMD1-2021 修改件1.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
- IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
- IEC 60747-8:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
- IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
- IEC 62373-1-2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
- IEC 60747-8-2010 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管
- IEC 60747-8:2010 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
- IEC 62417-2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfets）的移动离子测试
- IEC 62373-2006 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）的偏温稳定性试验
- IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
- IEC 60747-8:2000 半导体装置.第8部分:场效应晶体管
- IEC 60747-4-1:2000 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管 空白详细规范
- IEC 60747-8-3:1995 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第3节:外壳额定开关场效应晶体管空白详细规范
- IEC 60747-8-2:1993 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第2节:外壳额定功率放大场效应晶体管空白详细规范
- IEC 60747-8-1:1987 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第1节:5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
- IEC 60747-8:1984 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
，关于场效应型晶体管的标准
- JUS N.R1.451-1982 场效应晶体管．测量方法的一般原则
- JUS N.R1.373-1980 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．小功率信号晶体管
- JUS N.R1.390-1979 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．小功率信号晶体管
- JUS N.R1.353-1979 半导体装置的字母符号．双极场效应和场效应晶体管
- JUS N.R1.330-1979 双极场效应晶体管．散射参数的定义
- JUS N.R1.391-1979 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．功率管
- JUS N.R1.323-1979 半导体装置的术语及定义．双极场效应及场效应晶体管
工业和信息化部，关于场效应型晶体管的标准
- SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
德国标准化学会，关于场效应型晶体管的标准
- DIN 55659-2-2012 色漆和清漆.pH值的测定.第2部分:带有离子敏场效应晶体管(ISFET)的pH电极
- DIN EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
- DIN EN 62373-2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
英国标准学会，关于场效应型晶体管的标准
- BS IEC 60747-8:2010 半导体装置.分立器件.场效应晶体管
- BS EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
- BS EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
- BS IEC 60747-8:2001 分立半导体器件和集成电路.场效应晶体管.电源转换场效应晶体管测量方法中附加功率、特性和amds
- BS QC 750114-1996 电子元器件质量评定协调体系.半导体器件.分立器件.场效应晶体管.转换电路用场效应晶体管空白详细规范
- BS QC 750106-1993 电子元器件质量评估协调体系规范.半导体分立器件.空白详细规范.用于外壳额定功率放大器应用的场效应晶体管
欧洲电工标准化委员会，关于场效应型晶体管的标准
- EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
美国材料与试验协会，关于场效应型晶体管的标准
- ASTM F996-10 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
- ASTM F996-98(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F996-98 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
- ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
美国国防后勤局，关于场效应型晶体管的标准
- DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 半导体器件.N-通道高压场效应硅晶体管.型号2N7387和2N7387U1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS
- DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 半导体器件.N-通道场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)硅晶体管.型号:2N7485U3,2N7486U3和2N7487U3,JANTXVR和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半导体装置,场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N通道,硅,型号2N7504T2,JANTXVR,JANTXVF,JANTXVG,JANTXVH,JANSF,JANSG,JANSR和JANSH
- DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 单片硅互补开关场效应晶体管驱动,耐辐射数字线性微电路
- DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管
- DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 2N7292,2N7294,2N7296,和2N7298,JANTXVM,D,R,H 和JANSM,D和R型硅N通道耐辐射(仅总计量效应)场效应晶体管半导体装置
- DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2,JANTXVR,F,G和H 和JANSR,F,G和H型耐辐射N通道场效应晶体管(总剂量和单粒子效应)半导体装置
- DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 定制场效应晶体管500伏带门级保护混合微电路
- DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 硅单块 高速结型场效应晶体管,双操作增强器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 硅单块 高速操作放大器,双精密结型场效应晶体管,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 硅单片双极场效应晶体管运算扬声器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 硅单片,四重双极结型场效应晶体管,运算放大器,线性微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/739-2006 场效应抗辐射半导体装置(总剂量和单粒子效应),N型通道和P型通道硅四晶体管,类型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F
- DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 硅单片,结型场效应晶体管高速准确运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 硅单块 操作增强器,四列微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
- DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-91574 REV C-2005 输入场效应晶体管,差异操作放大器,直线式混合微型电路
- DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 600V或500V同门保护自定义混合微电路场效应晶体管
- DLA MIL-PRF-19500/606 B-2004 2N7291,2N7293,2N7295和2N7297,JANTXVM(D和R)以及JANSM(D和R)型硅N型通道场效应抗辐射加固(仅总剂量)晶体管半导体装置
- DLA MIL-S-19500/378 B VALID NOTICE 2-2004 类型2N2497到2N2500,2N3329到2N3332,JANTX的P型通道硅场效应晶体管半导体装置
- DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 硅单块 操作放大器,低功率高输出驱动器,结型场效应晶体管输入,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 高速场效应晶体管输入运算放大器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-90902 REV A-2002 闭合环路缓冲放大器,输入场效应晶体管,直线式混合微型电路
- DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 硅单块 操作增强器,双微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,16沟道直线型微型电路
- DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 硅单块 操作增强器,微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
- DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 硅单片,结型场效应晶体管四重高速准确运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 硅单片,四重单刀单掷结型场效应晶体管模拟开关,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 硅单块 操作扩大器,精密结型场效应晶体管输入,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,8沟道直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,4沟道差异直线型微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/378 B NOTICE 1-1999 类型2N2497到2N2500,2N3329到2N3332,JANTX的P型通道硅场效应晶体管半导体装置
- DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999 JANTX,JANTXV和JANS 2N6966,2N696,2N6968和2N6969型硅制N型通道场效应晶体管半导体装置
- DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 硅单块 单一或双或四列操作增强器,结型场效应晶体管低功率,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 硅单片,结型场效应晶体管高速运算放大器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89659-1990 场效应晶体管缓冲器线性混合微型电路
法国标准化协会，关于场效应型晶体管的标准
- NF C96-051-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- NF C96-008-1985 半导体器件.分立器件和集成电路.第8部分:场效应晶体管
- NF C86-712-1981 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.单栅极场效应晶体管
韩国科技标准局，关于场效应型晶体管的标准
- KS C IEC 60747-8:2002 半导体器件.第8部分:场效应晶体管
行业标准-电子，关于场效应型晶体管的标准
- SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法
- SJ 50033/122-1997 半导体分立器件.CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/121-1997 半导体分立器件.CS3458～CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/106-1996 半导体分立器件.CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/87-1995 半导体分立器件.CS4091～CS4093型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/86-1995 半导体分立器件.CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/85-1995 半导体分立器件.CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/83-1995 半导体分立器件.CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/80-1995 半导体分立器件.CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/84-1995 半导体分立器件.CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管.详细规范
- SJ 50033/78-1995 半导体分立器件.CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/81-1995 半导体分立器件.CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/89-1995 半导体分立器件.CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/88-1995 半导体分立器件.CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.53-1994 半导体分立器件.CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.52-1994 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/42-1994 半导体分立器件.CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/38-1994 半导体分立器件.CS4856～CS4861型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.51-1994 半导体分立器件.CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
- SJ 20061-1992 半导体分立器件.CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
- SJ 20012-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
- SJ 20013-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
- SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
- SJ/T 11056-1996 电子元器件详细规范 4CS1191型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
- SJ 20232-1993 国洋双栅场效应晶体管GP参数测试仪检定规程
- SJ/T 10957-1996 电子元器件详细规范 4CS103型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
- SJ/T 10834-1996 电子元器件详细规范 CS111、CS112、CS113、CS114、CS115、CS116型单栅结型场效应晶体管（可供认证用）
- SJ 2748-1987 微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范
- SJ/T 11058-1996 电子元器件详细规范 4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
- SJ/T 11057-1996 电子元器件详细规范 4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
- SJ 50033/119-1997 半导体分立器件 CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 20231-1993 国洋双栅场效应晶体管Yfs测试仪检定规程
- SJ/T 10956-1996 电子元器件详细规范 4CS122型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
- SJ 50033/120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ/T 11059-1996 电子元器件详细规范 CS4220A型单栅N沟结型场效应晶体管（可供认证用）
- SJ 20184-1992 半导体分立器件CS3821、3822、3823型场效应晶体管详细规范
- SJ/T 11055-1996 电子元器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
国家计量检定规程，关于场效应型晶体管的标准
- JJG(电子) 04049-1995 国洋双栅场效应晶体管CX测试仪检定规程
- JJG(电子) 04046-1995 QC-13型场效应晶体管跨导参数测试仪检定规程
行业标准-航天，关于场效应型晶体管的标准
- QJ 2617-1994 微波场效应晶体管(微波FET)管壳验收规范
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于场效应型晶体管的标准
- JEDEC JES2-1992 电晶体,砷化镓场效应晶体管,总规范
丹麦标准化协会，关于场效应型晶体管的标准
- DS/IEC 747-8:1992 国际电工委员会IEC标准No．747-8-1984以及附录No．1-1991半导体装置．分立器件．第8部分：场效应晶体管
欧洲电工电子元器件标准，关于场效应型晶体管的标准
- EN 150012-1991 空白详细规范.单栅场效应晶体管
日本工业标准调查会，关于场效应型晶体管的标准
- JIS C7214-1978 有可靠性保证的场效应晶体管
