硅表面
本专题涉及硅表面的标准有61条。
国际标准分类中，硅表面涉及到分析化学、金属材料试验、长度和角度测量、半导体材料、绝缘流体、橡胶和塑料工业的生产工艺、集成电路、微电子学、技术制图、电子设备用机械构件、半导体分立器件、无机化学、与食品接触的物品与材料。
在中国标准分类中，硅表面涉及到基础标准与通用方法、金属物理性能试验方法、基础标准与通用方法、元素半导体材料、半金属与半导体材料综合、电子光学与其他物理光学仪器、半金属、金相检验方法、、、半导体分立器件综合、化学、轻金属及其合金分析方法、标志、包装、运输、贮存、基础标准与通用方法、。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅表面的标准
- GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
- GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法
国家质检总局，关于硅表面的标准
- GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
- GB/T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法
- GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
- GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
- GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
- GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
- GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法
- GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法
，关于硅表面的标准
- KS D ISO 17560-2003(2018) 表面化学分析-二次离子质量分析-硅内硼深度分布测量方法
- KS D ISO 14237-2003(2018) 表面下学分析-二次离子质量分析-硅内均匀添加的硼原子浓度的测量方法
国际标准化组织，关于硅表面的标准
- ISO 23170:2022 表面化学分析.深度剖面.用中能离子散射法对硅衬底上纳米级重金属氧化物薄膜进行无损深度剖面
- ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO 14706:2014 表面化学分析 用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染
- ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- ISO 17331:2004/Amd 1:2010 表面化学分析.硅晶片加工标准物质表面元素收集用化学方法和及其光分析仪(TXRF)光谱学测定.修改件1
- ISO 23812:2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
- ISO 17560:2002 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法
- ISO 14706:2000 表面化学分析 用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染
- ISO 14237:2000 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
中国团体标准，关于硅表面的标准
- T/CESA 1186-2022 电子封装用二氧化硅微粉表面硅羟基含量测试方法 酸碱滴定法
- T/FSI 049-2020 气相二氧化硅表面硅羟基含量测试方法
英国标准学会，关于硅表面的标准
- BS ISO 17560:2014 表面化学分析.再生离子质量光谱测定.硅中硼的深仿形分析法
- BS EN 60191-6-22-2013 半导体器件的机械标准化. 表面安装半导体器件封装轮廓图的一般制备规则. 硅细间距球栅格阵列和硅细间距栅格阵列半导体封装的设计指南(S-FBGA和S-FLGA)
- BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- BS ISO 23812:2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法
- BS ISO 17560:2002 表面化学分析.再生离子质量光谱测定.硅中硼的深仿形分析法
- BS EN 1388-2-1996 与食品接触的材料和物品.硅化表面.第2部分:陶瓷品除外的测定从硅化表面释放的铅和镉
- BS EN 1388-1-1996 与食品接触的材料和物品.硅化表面.第1部分:测定从陶瓷品中释放的铅和镉
德国标准化学会，关于硅表面的标准
- DIN 51456-2013 半导体技术用材料的试验. 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 通过水分析解决方案的多元素测定进行硅晶片的表面分析
- DIN EN 60191-6-22-2013 半导体器件的机械标准化. 第6-22部分: 表面安装半导体器件封装轮廓图的一般制备规则. 硅细间距球栅格阵列和硅细间距栅格阵列半导体封装的设计指南(S-FBGA和S-FLGA) (IEC 60191-6-22-2012); 德文版本EN 60191-6-22-2013
- DIN EN 1388-2-1995 与食品接触的材料和物品.硅化表面.第2部分:除陶瓷制品外测定从硅化表面释放的铅和镉; 德文版本 EN 1388-2:1995
- DIN EN 1388-1-1995 与食品接触的材料和物品.硅化表面.第1部分:测定从陶瓷制品中释放的铅和镉; 德文版本 EN 1388-1:1995
国际电工委员会，关于硅表面的标准
- IEC 60191-6-22-2012 半导体器件的机械标准化第6-22部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则半导体封装的设计指南硅细间距球栅阵列和硅细间距地栅阵列（S-FBGA和S-FLGA）
- IEC 60191-6-22:2012 半导体器件的机械标准化.第6-22部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的通用规则.硅细间距球阵列和硅细间距栅格阵列半导体封装的的设计指南(S-FBGA和S-FLGA)
法国标准化协会，关于硅表面的标准
- NF X21-070-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度.
- NF X21-066-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层参考物质对硅进行深度校准的方法
- NF X21-051-2006 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法
- NF D25-501-2-1996 接触食品的材料和物品.硅化表面.第2部分:除陶瓷品外测定从硅化表面释放的铅和镉
- NF D25-501-1-1996 与食品接触的材料和器具.硅酸酯表面.第1部分:从陶瓷器具中释放的铅和镉的测定
日本工业标准调查会，关于硅表面的标准
- JIS K0164-2010 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深压型用方法
- JIS K0148-2005 表面化学分析.用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面主要污染物
- JIS K0143-2000 表面化学分析.次级离子质谱法.利用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
韩国科技标准局，关于硅表面的标准
- KS D ISO 14706:2003 表面化学分析.用全反射X射线荧光光谱法测定硅圆片表面主要污物
- KS D ISO 14237:2003 表面化学分析.次级离子质谱法.使用非均一掺杂材料的硅中硼原子的浓度测定
- KS D ISO 17560:2003 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法
美国材料与试验协会，关于硅表面的标准
- ASTM D1993-03(2013)e1 采用多点BET氮吸收法测定析出的硅表面面积的标准试验方法
- ASTM F154-00 镜面硅表面存在的结构和污染物识别的标准指南
- ASTM F1617-98 用次级离子质谱测定法(SIMS)测定表面钠,铝,钾-硅和EPI衬底的标准试验方法
- ASTM F672-88(1995)e1 用分布电阻探头测量硅晶片垂直于表面的纵断面电阻率的标准试验方法
(美国)福特汽车标准，关于硅表面的标准
- FORD WSD-M1A319-A1-2002 表面打磨的阀弹簧用铬硅合金钢丝***与标准FORD WSS-M99P1111-A一起使用***
中国有色金属工业总公司，关于硅表面的标准
- YS/T 25-1992 硅抛光片表面清洗方法
澳大利亚标准协会，关于硅表面的标准
- AS ISO 14237:2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度
- AS ISO 17560:2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
