EN
KR
JP
ES
RU
DE
测试硅片
本专题涉及测试硅片的标准有24条。
国际标准分类中，测试硅片涉及到半导体材料、绝缘流体、金属材料试验、电学、磁学、电和磁的测量、集成电路、微电子学、有色金属。
在中国标准分类中，测试硅片涉及到金属物理性能试验方法、半金属与半导体材料综合、金属工艺性能试验方法、半金属及半导体材料分析方法、化合物半导体材料、半金属、、半导体集成电路、元素半导体材料。
韩国科技标准局，关于测试硅片的标准
- KS D 0260-1999 四点探针法测试单晶硅片电阻率的方法
- KS C 0256-2022 四点探针硅晶体及硅片电阻率测试方法
- KS D 0260-1989(1994) 具有四点探针的单晶硅片的电阻率测试方法
- KS C 0256-2002(2017) 具有四点探针的硅晶体和硅晶片的电阻率测试方法
国家质检总局，关于测试硅片的标准
- GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法
- GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法
- GB/T 15615-1995 硅片抗弯强度测试方法
- GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
- GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
- GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法
- GB/T 32280-2015 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法
- GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
- GB/T 42789-2023 硅片表面光泽度的测试方法
- GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于测试硅片的标准
- GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法
工业和信息化部，关于测试硅片的标准
- SJ/T 11631-2016 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法
- SJ/T 11630-2016 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法
- SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法
- SJ/T 11632-2016 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法
中国团体标准，关于测试硅片的标准
- T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法
美国国防后勤局，关于测试硅片的标准
- DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
CZ-CSN，关于测试硅片的标准
- CSN 34 5872-1970 有50 cm爱泼斯坦框架的电工硅钢片磁性测试
- CSN 34 5871-1970 有25 cm爱泼斯坦框架的电工硅钢片磁性测试
日本工业标准调查会，关于测试硅片的标准
- JIS H 0602:1995 用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法
