砷化镓 焓
本专题涉及砷化镓 焓的标准有86条。
国际标准分类中，砷化镓 焓涉及到半导体材料、金属材料试验、无机化学、绝缘流体、粉末冶金、半导体分立器件、光电子学、激光设备、标准化总则、分析化学、有色金属。
在中国标准分类中，砷化镓 焓涉及到化合物半导体材料、金属物理性能试验方法、半金属及半导体材料分析方法、半金属与半导体材料综合、元素半导体材料、金相检验方法、半金属、稀有金属及其合金分析方法、金属理化性能试验方法、太阳能、半导体二极管、半导体分立器件综合、半导体发光器件、场效应器件、微波、毫米波二、三极管。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于砷化镓 焓的标准
- GB/T 20228-2021 砷化镓单晶
- GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于砷化镓 焓的标准
- GB/T 35305-2017 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
国家质检总局，关于砷化镓 焓的标准
- GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
- GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底
- GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶
- GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
- GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
- GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
- GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
- GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
- GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
- GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
- GB/T 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
- GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法
- GB 8758-1988 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
- GB/T 8758-1988 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
- GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法
- GB/T 8757-1988 砷化镓载流子浓度等离子共振测量方法
- GB 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
行业标准-电子，关于砷化镓 焓的标准
- SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
- SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
- SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
- SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量
- SJ 20843-2002 砷化镓单晶AB微缺险密度定量检验方法
- SJ 20842-2002 砷化镓表面镓砷比的测试方法
- SJ 20844-2002 半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法
- SJ 50033/141-1999 半导体分立器件2EK150型砷化镓高速开关二极管详细规范
- SJ 20713-1998 砷化镓用高纯镓中铜、锰、镁、钒、钛等12种杂质的等离子体光谱分析法
- SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法
- SJ 20635-1997 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法
- SJ 50033/106-1996 半导体分立器件.CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/78-1995 半导体分立器件.CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/81-1995 半导体分立器件.CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/80-1995 半导体分立器件.CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/27-1994 半导体分立器件.2EC600系列砷化镓变容二极管详细规范
- SJ 50033/29-1994 半导体分立器件.EK20型砷化镓高速开关组件详细规范
- SJ 50033.53-1994 半导体分立器件.CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.51-1994 半导体分立器件.CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/42-1994 半导体分立器件.CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.52-1994 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 3249.2-1989 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- SJ 3244.5-1989 砷化镓和磷化铟材料补偿度的测试方法
- SJ 3248-1989 重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法
- SJ 3244.1-1989 砷化镓和磷化铟材料霍尔迁移率和载流子浓度的测量方法
- SJ 3242-1989 砷化镓外延片
- SJ 3247-1989 同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法
- SJ 3249.3-1989 半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法
- SJ 3244.2-1989 砷化镓、磷化铟衬底与异质结外延层之间晶格失配的测量方法
- SJ 3241-1989 砷化镓单晶棒及片
- SJ 3244.3-1989 砷化镓、磷化铟单晶晶向的测量方法
- SJ 3249.1-1989 半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法
- SJ 3244.4-1989 砷化镓和磷化铟材料载流子浓度剖面分布的测试方法.电化学电压电容法
- SJ 50033/118-1997 半导体分立器件 2EK31型砷化镓开关二极管详细规范
- SJ 50033/119-1997 半导体分立器件 CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
国家军用标准-总装备部，关于砷化镓 焓的标准
- GJB 7392-2011 空间用三结砷化镓太阳电池通用规范
德国标准化学会，关于砷化镓 焓的标准
- DIN 50454-1-2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓
- DIN 50449-2-1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
- DIN 50449-1-1997 半导体工艺用材料的检验.通过红外线吸收测定Ⅲ-Ⅴ-连接半导体杂质含量.第1部分:砷化镓中的碳素
美国材料与试验协会，关于砷化镓 焓的标准
- ASTM F1404-92(1999) 用熔融氢氧化钾（KOH）蚀刻技术测定砷化镓晶体完整性的试验方法
- ASTM F1404-1992(1999) 用熔融氢氧化钾腐蚀技术测试砷化镓结晶完整性的试验方法
- ASTM F1404-1992(2007) 用熔融氢氧化钾腐蚀技术测试砷化镓结晶完整性的标准试验方法
- ASTM F1212-89(1996)e1 砷化镓晶片热稳定性试验的标准试验方法
- ASTM F1212-1989(2002) 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
- ASTM F1212-1989(1996)e1 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
- ASTM F358-83(1996)e1 磷化镓砷化镓晶片的峰值光致发光波长和相应成分的标准试验方法
- ASTM F358-1983(2002) 磷化砷化镓片的最大光致发光波长及其相应成分的试验方法
- ASTM F358-1983(1996)e1 磷化砷化镓片的最大光致发光波长及其相应成分的试验方法
- ASTM F418-77(1996)e1 霍尔效应测量用外延砷化镓磷化物恒成分区样品制备的标准实施规程
- ASTM F418-1977(2002) 测量霍尔效应用恒定成分范围的外延磷化砷化镓试样的制备
- ASTM F418-1977(1996)e1 测量霍尔效应用恒定成分范围的外延磷化砷化镓试样的制备
台湾地方标准，关于砷化镓 焓的标准
- CNS 13625-1995 圆形砷化镓单芯片产品标准
- CNS 13624-1995 砷化镓晶体结晶完整性检验法（熔融氢氧化钾浸蚀法）
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于砷化镓 焓的标准
- JEDEC JES2-1992 电晶体,砷化镓场效应晶体管,总规范
，关于砷化镓 焓的标准
- CSN 34 5941-1984 砷化镓和磷化镓单晶硅．电阻率和霍尔系数测定
日本工业标准调查会，关于砷化镓 焓的标准
- JIS H1191-1991 砷化镓的化学分析方法
