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半导体触发电流

本专题涉及半导体触发电流的标准有500条。

国际标准分类中,半导体触发电流涉及到金属材料试验、集成电路、微电子学、半导体材料、半导体分立器件、整流器、转换器、稳压电源、光电子学、激光设备、绝缘流体、电学、磁学、电和磁的测量、信息技术(IT)综合、电击防护、电气工程综合、电工器件、开关装置和控制器、电气设备元件、造船和海上构筑物综合、印制电路和印制电路板、航空航天制造用材料、变压器、电抗器、电感器、电容器、电子电信设备用机电元件、环境试验、电工和电子试验。

在中国标准分类中,半导体触发电流涉及到金属物理性能试验方法、半导体集成电路、元素半导体材料、、半导体发光器件、导航通讯系统与设备、电感器、变压器、半导体整流器件、电力半导体器件、部件、基础标准和通用方法、卫生、安全、劳动保护、化合物半导体材料、低压电器综合、计算机应用、半金属与半导体材料综合、半导体分立器件综合、交直流电源装置、低压配电电器、能源、轴系设备、船舶电气、观通、导航设备综合、电工合金零件、激光器件、半导体光敏器件、电源设备、光通信设备、控制电器、船用发电、变电与配电设备、航空与航天用金属铸锻材料、变压器、微电路综合、光电子器件综合、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、电工绝缘材料及其制品、电子测量与仪器综合、电容器、电力电容器、半导体三极管。


CZ-CSN,关于半导体触发电流的标准

国家质检总局,关于半导体触发电流的标准

  • GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
  • GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法
  • GB/T 17950-2000 半导体变流器 第6部分:使用熔断器保护半导体变流器防止过电流的应用导则
  • GB/T 12113-1996 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • GB/T 12113-2023 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • GB/T 12113-2003 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • GB/T 13422-2013 半导体变流器 电气试验方法
  • GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
  • GB/T 13422-1992 半导体电力变流器 电气试验方法
  • GB/T 3859.3-1993 半导体变流器 变压器和电抗器
  • GB/T 22193-2008 船舶电气设备 设备 半导体变流器
  • GB/T 10236-1988 半导体电力变流器与电网互相干扰及其防护方法导则
  • GB/T 10236-2006 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则
  • GB/T 3859.2-2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-2部分:应用导则
  • GB/T 14048.12-2006 低压开关设备和控制设备 第4-3部分:接触器和电动机起动器 非电动机负载用 交流半导体控制器和接触器
  • GB/T 14048.12-2016 低压开关设备和控制设备 第4-3部分:接触器和电动机起动器 非电动机负载用交流半导体控制器和接触器
  • GB/T 8446.2-1987 电力半导体器件用散热器热阻和流阻测试方法
  • GB/T 15651.6-2023 半导体器件 第5-6部分:光电子器件 发光二极管
  • GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
  • GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
  • GB/T 3859.3-2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-3部分:变压器和电抗器
  • GB 14048.6-1998 低压开关设备和控制设备 接触器和电动机起动器 第2部分;交流半导体电动机控制器和起动器
  • GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
  • GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管
  • GB/T 3859.1-2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-1部分:基本要求规范
  • GB/T 8446.2-2004 电力半导体器件用散热器 第2部分;热阻和流阻测试方法
  • GB 14048.6-2008 低压开关设备和控制设备.第4-2部分:接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和起动器(含软起动器)
  • GB/T 14048.6-2016 低压开关设备和控制设备 第4-2部分:接触器和电动机起动器 交流电动机用半导体控制器和起动器(含软起动器)
  • GB/T 18904.3-2002 半导体器件 第12-3部分;光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范

行业标准-电子,关于半导体触发电流的标准

  • SJ 50597.2-1994 半导体集成电路JH2014型HTL触发器详细规范
  • SJ 20287-1993 半导体集成电路JT54LS123型LS-TTL双可重触发单稳态触发器详细规范
  • SJ 50597/39-1996 半导体集成电路 JC54HC221型HCMOS双单稳态触发器(斯密特触发输入)详细规范
  • SJ 50597.7-1994 半导体集成电路JT54S74和JT54S175型S-TTL触发器详细规范
  • SJ 50597/41-1996 半导体集成电路.JE10531型ECL双D主从触发器详细规范
  • SJ 1795-1981 50~1000mA小电流半导体闸流管(暂行)
  • SJ 20286-1993 半导体集成电路JT54LS74、JT54LS112、JT54LS174和JT54LS175型LS-TTL触发器详细规范
  • SJ 50597/50-1997 半导体集成电路.JT54F74型FTTL双上升沿D触发器详细规范
  • SJ 2355.3-1983 半导体发光器件测试方法.反向电流的测试方法
  • SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
  • SJ 50597/30-1995 半导体集成电路.JC40106型CMOS反相器(有斯密特触发器)详细规范
  • SJ/T 10068-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CH2005型双下降沿J-K触发器
  • SJ 20161-1992 半导体集成电路JT54LS273(373、374和377)型LS-TTL可级联触发器详细规范
  • SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法
  • SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流
  • SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法
  • SJ 2214.8-1982 半导体光敏三极管暗电流的测试方法
  • SJ/T 10078-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CT54107/CT74107型双主从J-K触发器(有清除端)
  • SJ/T 10884-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CE10131型ECL双主从D触发器(可供认证用)
  • SJ/T 10932-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CC4013型CMOS双上升沿D触发器(可供认证用)
  • SJ 2214.10-1982 半导体光敏二、三极管光电流的测试方法
  • SJ/T 10085-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CT54H74/CT74H74型双上升沿D触发器(有预置端、清除端)
  • SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器(二极管)正向电流的测试方法
  • SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法
  • SJ/T 10043-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路.CT54LS112/CT74LS112型双下降沿J-K触发器(有预置端、清除端)
  • SJ 2355.4-1983 半导体发光器件测试方法.结电容的测试方法
  • SJ/Z 9014.3-1987 半导体器件 分立器件和集成电路 第6部分:闸流晶体管
  • SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器(三极管)反向截止电流的测试方法
  • SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容
  • SJ 50033/110-1996 半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范
  • SJ 50033/136-1997 半导体光电子器件.GF116型红色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/143-1999 半导体光电子器件.GF1120型红色发光二极管详细规范
  • SJ 53930/1-2002 半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范
  • SJ 50033/137-1997 半导体光电子器件.GF216型橙色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/139-1998 半导体光电子器件.GF4111型绿色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/138-1998 半导体光电子器件.GF318型黄色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/58-1995 半导体光电子器件GF413型绿色发光二极管详细规范
  • SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法
  • SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
  • SJ 50033/142-1999 半导体光电子器件.GF4112型绿色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/57-1995 半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/117-1997 半导体分立器件 2CK38型硅大电流开关二极管详细规范
  • SJ 50033/115-1997 半导体分立器件 2CK28型硅大电流开关二极管详细规范
  • SJ 50033/116-1997 半导体分立器件 2CK29型硅大电流开关二极管详细规范
  • SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法
  • SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压
  • SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻
  • SJ/T 10947-1996 电子元器件详细规范 FG341052、FG343053型半导体绿色发光二极管
  • SJ 2658.3-1986 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法
  • SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
  • SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法
  • SJ 50033/99-1995 半导体光电子器件.GF511型橙/绿双色发光二极管详细规范
  • SJ 20642.7-2000 半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范
  • SJ/T 11817-2022 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范
  • SJ 50597/51-1999 半导体集成电路.JW1846/JW1847型电流型脉冲宽度调制控制器详细规范
  • SJ 1488-1979 反向阻断型高频半导体闸流管额定高频通态平均电流IT的测试方法
  • SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率
  • SJ/T 10948-1996 电子元器件详细规范 FG313052、FG314053、FG313054、FG314055型半导体红色发光二极管
  • SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范
  • SJ 2658.5-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向串联电阻的测试方法
  • SJ 20293-1993 半导体集成电路JT54LS243、JTLS245型LS-TTL双向总线发送器/接收器(3S)详细规范

德国标准化学会,关于半导体触发电流的标准

  • DIN 50445:1992 半导体工艺材料检验.用涡流法无接触测定电阻率.均匀掺杂半导体片
  • DIN EN 60990:2000 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • DIN EN 62415:2010-12 半导体器件-恒流电迁移测试
  • DIN 50448:1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
  • DIN 50447:1995 半导体工艺材料的检验.用涡流法无接点测量半导体层的表面电阻
  • DIN 41777:1986 静态功率变流器.铅酸蓄电池滴流充电用半导体整流器设备
  • DIN 41752:1982 静态电源转换器.半导体整流设备.额定值代码
  • DIN EN 60990:2017 接触电流和保护导体电流的测量方法(IEC 60990-2016);德文版本EN 60990-2016
  • DIN EN 62415:2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验(IEC 62415-2010);德文版本EN 62415-2010
  • DIN 41772 Beiblatt 1:1979-02 静态电源转换器;半导体整流器设备,电池充电器特性曲线示例
  • DIN EN 60947-4-2:2007 低压开关设备和控制设备.第4-2部分:接触器和电动机起动器 交流半导体电动机控制器和起动器
  • DIN IEC 60747-2:2001 半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管
  • DIN IEC 60747-2:2001-02 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
  • DIN 41772 Bb.1:1979 静态功率转换器.半导体整流设备.蓄电池充电器特性曲线示例
  • DIN EN 60146-1-3:1994 半导体变流器.第1部分:电网换相变流器和一般要求.第3节:变压器和电抗器
  • DIN EN 60947-4-3:2007 低压开关设备和控制设备.第4-3部分:接触器和电动机起动器.非电动机负载用交流半导体控制器和接触器(IEC 60947-4-3:1999 + A1-2006)
  • DIN 41776:1983 静态电源转换器.蓄电池充电用具有I特性曲线的半导体整流器.要求
  • DIN 41776:1983-01 静态电源转换器;用于电池充电的具有I特性的半导体整流设备;要求
  • DIN 41773-1:1979 静态功率变流器.第1部分:铅酸蓄电池滴流充电用具有 IU 特性的半导体整流器设备指南
  • DIN 41772:1979-02 静态电源转换器;半导体整流设备、特性曲线的形状及字母符号
  • DIN EN 60947-4-2:2013 低压开关设备和控制设备. 第4-2部分:电流接触器和电动起动器. 交流半导体电动控制器和起动器 (IEC 60947-4-2-2011+Cor. -2012); 德文版本EN 60947-4-2-2012
  • DIN EN 60947-4-3:2015 低压开关设备和控制设备.第4-3部分:接触器和电动机起动器.非电动机负载用交流半导体控制器和接触器(IEC 60947-4-3-2014);德文版本EN 60947-4-3-2014
  • DIN 41774:1987 静态功率转换器.铅酸蓄电池充电用具有W特性的半导体整流器设备.要求
  • DIN 41772 Beiblatt 2:1979-02 静态电源转换器;半导体整流器设备,与电池并联运行的设备特性曲线示例
  • DIN 41772 Bb.2:1979 静态功率转换器.半导体整流设备.与蓄电池并联运行的整流设备的特性曲线示例
  • DIN 50440:1998 半导体工艺材料的试验.硅单晶中载流子寿命的测量.用光电导法在微小喷射时测量复合载流子寿命

贵州省地方标准,关于半导体触发电流的标准

英国标准学会,关于半导体触发电流的标准

  • BS IEC 60747-6:2000 分立半导体器件和集成电路.半导体闸流管
  • BS IEC 60747-6:2001 分立半导体器件和集成电路.半导体闸流管
  • BS EN 60990:2000 接触电流和安全导体电流的测量方法
  • BS EN 60990:2016 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • BS EN 60947-4-3:2000 低压开关装置和控制装置.电流接触器和电动起动器.非电动机负荷用交流半导体控制器和电流接触器
  • BS EN 62415:2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验
  • BS IEC 62830-6:2019 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 垂直接触模式摩擦电能量收集器件的测试和评估方法
  • BS EN 60947-4-2:2000 低压开关装置和控制装置.电流接触器和电动起动器.交流半导体电动控制器和电流起动器
  • BS IEC 60092-304:2002 船上电气装置.设备-半导体变流器
  • BS IEC 62830-5:2021 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 测量柔性热电装置发电功率的试验方法
  • BS IEC 62830-7:2021 半导体器件。用于能量收集和发电的半导体器件。线性滑模摩擦电能量收集
  • BS IEC 60747-5-11:2019 半导体器件 光电器件 发光二极管 发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法
  • BS EN 60947-4-3:2000+A2:2011 低压开关设备和控制设备,接触器和发动机启动器,非机动车负载用交流半导体控制器和接触器
  • BS EN 60947-4-3:2014 低压开关设备和控制设备,接触器和发动机启动器,非机动车负载用交流半导体控制器和接触器
  • BS IEC 62830-2:2017 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件第2部分:基于热电的热电能量收集
  • 18/30383448 DC BS EN 60947-4-3 低压开关设备和控制设备 第4-3部分 接触器和电机启动器 非电机负载用半导体控制器和半导体接触器
  • 18/30375223 DC BS EN 60947-4-3 低压开关设备和控制设备 第4-3部分 接触器和电机启动器 非电机负载用半导体控制器和半导体接触器
  • BS IEC 60747-5-16:2023 半导体器件-光电器件 发光二极管 基于光电流谱的GaN基发光二极管平带电压测试方法
  • 18/30355426 DC BS EN 62830-5 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 第5部分 测量柔性热电装置发电量的测试方法
  • BS IEC 62830-4:2019 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 柔性压电能量收集器件的测试和评估方法
  • BS EN 60947-4-2:2012 低压开关设备和控制设备.接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和起动器
  • BS EN 61643-341:2002 低压电涌保护装置.半导体闸流管电涌抑制器(TSS)规范
  • 14/30296894 DC BS EN 62830-1 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 第1部分:基于振动的压电能量收集
  • BS IEC 60747-2:2000 分立的半导体器件器件和集成电路.整流二极管
  • 18/30380675 DC BS EN IEC 62830-7 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 第7部分:线性滑模摩擦电能量收集
  • BS IEC 60747-5-8:2019 半导体器件 光电器件 发光二极管 发光二极管光电效率的测试方法
  • PD IEC TR 60747-5-12:2021 半导体器件 光电器件 发光二极管 LED效率测试方法
  • BS IEC 62830-8:2021 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 低功率电子产品用柔性和可拉伸超级电容器的测试和评估方法
  • 18/30388245 DC BS EN IEC 60747-5-11 半导体器件 第5-11部分 光电器件 发光二极管 发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法
  • PD IEC TR 62240-2:2018 航空电子设备的流程管理 电子元件运行能力 半导体微电路寿命
  • 21/30440970 DC BS EN IEC 60747-5-16 半导体器件 第 5-16 部分 光电器件 发光二极管 基于光电流谱的平带电压测试方法
  • 19/30392174 DC BS EN 60747-5-6 半导体器件 第5-6部分 光电器件 发光二极管
  • BS IEC 60747-5-9:2019 半导体器件 光电器件 发光二极管 基于温变电致发光的内量子效率测试方法
  • BS EN 153000:1998 电子元器件质量评定协调体系.通用规范.分立压力接触电源半导体装置(合格鉴定批准)
  • 17/30364674 DC BS EN 60947-4-2 低压开关设备和控制设备 第4-2部分 接触器和电机启动器 交流半导体电机控制器和启动器
  • BS IEC 60747-5-15:2022 半导体器件-光电器件 发光二极管 基于电反射光谱的平带电压测试方法
  • 19/30395503 DC BS EN IEC 62830-8 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 第8部分:低功率电子产品用柔性可拉伸超级电容器的测试和评估方法
  • DD IEC/TS 62564-1:2011 航空电子设备的流程管理 航空航天合格电子元件 (AQEC) 集成电路和分立半导体
  • PD IEC/TS 62564-1:2016 航空电子设备的流程管理 航空航天合格电子元件(AQEC)集成电路和分立半导体
  • BS EN IEC 60947-4-2:2023 低压开关设备和控制设备 接触器和电机启动器 半导体电机控制器、启动器和软启动器
  • 18/30367363 DC BS IEC 60747-5-8 半导体器件 第5-8部分 光电器件 发光二极管 发光二极管光电效率的测试方法

行业标准-航天,关于半导体触发电流的标准

  • QJ 10006/4-2008 宇航用半导体集成电路 四D触发器(C40175)详细规范
  • QJ 10006/3-2008 宇航用半导体集成电路 六上升沿D触发器(C40174)详细规范
  • QJ 260-1977 半导体集成相敏整流电路测试方法

ZA-SANS,关于半导体触发电流的标准

  • SANS 60146-6:1992 半导体变流器.第6部分:半导体变流器熔丝过电流保护应用手册
  • SANS 60947-4-3:2007 低压开关和控制器.第4.3节:接触器和电动机起动器.非电动机负载用交流半导体控制器和接触器
  • SANS 60947-4-2:2007 低压开关和控制器.第4.2节:接触器和电动启动器.交流电半导体电动控制器和启动器
  • SANS 60146-1-3:1991 半导体变流器.有源变流器的一般要求.第1.3部分:变压器和电抗器

国家军用标准-总装备部,关于半导体触发电流的标准

  • GJB 597/6-1990 半导体集成电路CMOS触发器、锁存器(JC4013、JC4027、JC4043)详细规范
  • GJB 33/15-2011 半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范
  • GJB 33/12A-2021 半导体分立器件2CK36 型硅大电流开关二极管详细规范
  • GJB 33/13A-2021 半导体分立器件2CK37 型硅大电流开关二极管详细规范
  • GJB 33A/13-2003 半导体分立器件 2CK37 型硅大电流开关二极管详细规范
  • GJB 33A/12-2003 半导体分立器件 2CK36 型硅大电流开关二极管详细规范

RU-GOST R,关于半导体触发电流的标准

  • GOST R 50471-1993 半导体光电发射体.半值角的测量方法
  • GOST R IEC 60990-2010 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • GOST 18986.1-1973 半导体二极管.反向直流电流测定方法
  • GOST 18986.3-1973 半导体二极管.恒定直流电压与恒定直流电流测定方法
  • GOST 26282-1984 功率5kVA以内的半导体电能变流器.参数
  • GOST 19656.2-1974 超高频混频半导体二极管.平均整流电流测量方法
  • GOST 18986.16-1972 半导体整流二极管.直流电压平均值和反向电流平均值的测量方法
  • GOST R 50030.4.2-2012 低压开关装置和控制装置.第4-2部分.电流接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和起动器
  • GOST 25953-1983 功率为5kVA及其以上的半导体电能变流器.参数
  • GOST 19656.7-1974 超高频检波半导体二极管.电流灵敏度测量方法
  • GOST IEC 60947-4-3-2014 低压开关设备和控制设备. 第4-3部分. 接触器和电机起动器. 非点击负荷用交流半导体控制器和接触器
  • GOST 18986.13-1974 遂道式半导体二极管.峰值电流、谷值电流、峰值电压、谷值电压、溶液电压测量方法
  • GOST 26830-1986 功率5kVA及其以内的半导体电能变流器.一般技术条件
  • GOST 29209-1991 半导体器件.分立器件式器件与集成电路.第2部分.整流二极管

NEMA - National Electrical Manufacturers Association,关于半导体触发电流的标准

TH-TISI,关于半导体触发电流的标准

  • TIS 2525-2011 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • TIS 1670-2009 半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管

国际电工委员会,关于半导体触发电流的标准

  • IEC 60990:1999 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • IEC TR 60990:1990 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • IEC 60990:2016 RLV 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • IEC 60990:2016 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • IEC TR 60146-6:1992 半导体变流器第6部分:用熔断器防止半导体变流器过电流的应用指南
  • IEC 62415:2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验
  • IEC TR2 60146-6:1992 半导体变流器 第6部分:半导体变流器对由熔断器引起的过电流保护的应用指南
  • IEC 60700:1981 高压直流输电用半导体电子管的试验
  • IEC 60947-4-3:2007 低压开关设备和控制设备.第4-3部分:电流接触器和电动机起动器 非电动机负载用交流半导体控制器和电流接触器
  • IEC 60947-4-3:2020 低压开关设备和控制设备第4-3部分:接触器和电动机起动器半导体控制器和半导体 非电机负载用接触器
  • IEC 60747-5-11:2019 半导体器件第5-11部分:光电子器件发光二极管发光二极管辐射电流和非辐射电流的试验方法
  • IEC 62830-1:2017 半导体器件 用于能量采集和发电的半导体器件 第1部分:基于振动的压电能量采集
  • IEC 60092-304:1980 船舶电气设施 第304部分:设备 半导体变流器
  • IEC 60146-1-2:1991 半导体变流器 一般要求和电网换相变流器 第1-2部分:应用导则
  • IEC 60700-1:1998/AMD2:2008 高压直流电(HVDC)电力传输用半导体闸流管阀.第1部分:电气测试
  • IEC 60947-4-3:2011 低压开关设备和控制设备 第 4-3 部分:接触器和电机启动器 非电机负载用交流半导体控制器和接触器
  • IEC 60947-4-2:2007 低压开关设备和控制设备.第4-2部分:电流接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和起动器
  • IEC 60747-5-6:2016 半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管
  • IEC 60747-5-6:2021 半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管
  • IEC 60947-4-3/AMD2:2011 低压开关装置和控制器.第4-3部分:接触器和电动机启动器.非电动机负荷用交流半导体电动机控制器和接触器
  • IEC 60947-4-3:2014 低压开关装置和控制装置.第4-3部分:接触器和电动机起动器.非电动机负载用交流半导体控制器和接触器
  • IEC 60947-4-3:1999 低压开关设备和控制设备 第4-3部分:接触器和电动机起动器 非电动机负载用交流半导体控制器和接触器
  • IEC 60947-4-3/COR1:2000 低压开关设备和控制设备.第4-3部分:接触器和电动机起动器.非电动机负载用交流半导体控制器和接触器
  • IEC 60747-5-6:2021 RLV 半导体器件第5-6部分:光电子器件发光二极管
  • IEC 62830-6:2019 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第6部分:垂直接触式摩擦电能收集器件的试验和评定方法
  • IEC 60092-304/AMD1:1980 船舶电气设施 第304部分:设备 半导体变流器 修改1
  • IEC 60092-304:1980/AMD1:1995 船舶电气设施 第304部分:设备 半导体变流器 修改1
  • IEC 60947-4-2/AMD1/COR1:2002 低压开关设备和控制设备.第4-2部分:接触器和电动机启动器.交流电半导体电动控制器和启动器
  • IEC 60146-5:1988 半导体变流器.第5部分:不间断电源系统开关(UPS开关)
  • IEC 60146-1-3:1991 半导体变流器 一般要求和电网换相变流器 第1-3部分:变压器和电抗器
  • IEC 60947-4-2/COR1:2002 低压开关设备和控制设备.第4-2部分:接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和起动器
  • IEC 60947-4-2:2011 低压开关设备和控制设备.第4-2部分:接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和起动器
  • IEC 60947-4-2:2011/COR1:2012 低压开关装置和控制装置.第4-2部分:接触器和电动机起动器.交流电(AC)半导体电动机控制器和起动器
  • IEC 60747-5-16:2023 半导体器件.第5-16部分:光电子器件.发光二极管.基于光电流光谱的GaN基发光二极管的平带电压的试验方法
  • IEC 60747-2:2000 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
  • IEC 60146-1-1:1991 半导体变流器 一般要求和电网换相变流器 第1-1部分:基本要求规范
  • IEC 60747-5-8:2019 半导体器件第5-8部分:光电子器件发光二极管发光二极管光电效率试验方法
  • IEC 60947-4-2/AMD1:2001 低压开关设备和控制设备 第4-2部分:接触器和电动机起动器 交流半导体电动机控制器和起动器 修改1
  • IEC 60947-4-2/AMD2:2006 低压开关设备和控制设备.第4-2部分:接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和起动器.修改件2
  • IEC 62830-8:2021 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 第8部分:用于低功率电子设备的柔性和可拉伸超级电容器的测试和评估方法
  • IEC 60146-1-1/AMD1:1996 半导体变流器 一般要求和电网换相变流器 第1-1部分:基本要求规范 修改 1
  • IEC 60947-4-2:2002 低压开关设备和控制设备 第4-2部分:接触器和电动机起动器交流半导体电动机控制器和起动器(含软起动器)
  • IEC TR 60146-1-2:2011 半导体转换器.一般要求和电网整流转换器.第1-2部分:应用指南
  • IEC 60146-1/COR1:1993 半导体变流器.一般要求和电网换相变流器.第1-1部分:基本要求规范.技术勘误1
  • IEC TR 60747-5-12:2021 半导体器件第5-12部分:光电子器件发光二极管LED效率的试验方法
  • IEC 61136-1:1992 半导体电力变流器 可调速电气传动系统 一般要求 第1部分:特别是对直流电动机传动的定额规范
  • IEC 60146-4:1986 半导体变流器.第4部分:不间断电力系统性能和试验要求的规定方法
  • IEC 60747-12-3:1998 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范

RO-ASRO,关于半导体触发电流的标准

欧洲电工标准化委员会,关于半导体触发电流的标准

  • EN 60990:2016 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • EN 60990:1999 接触电流和保护导体电流的测量方法 IEC 60990:1999
  • FprEN IEC 60947-4-3:2020 低压开关设备和控制设备 第 4-3 部分:接触器和电机启动器 用于非电机负载的半导体控制器和半导体接触器
  • EN 60947-4-3:2014 低压开关设备和控制设备.第4-3部分:接触器和电动机起动器.非电动机负载用交流半导体控制器和接触器
  • EN 60947-4-2:2012 低压开关设备和控制设备 第 4-2 部分:接触器和电机启动器 交流半导体电机控制器和启动器
  • EN 60947-4-3:2000 低压开关设备和控制设备.第4-3部分:接触器和电动机起动器.非电动机负载用交流半导体控制器和接触器;包含修改件A1:2006年12月[:CENELEC HD 419.2 S1]
  • EN 60146-1-3:1993 半导体变流器.一般要求和电网换相转换器.第1-3部分:变压器和电抗器

韩国科技标准局,关于半导体触发电流的标准

丹麦标准化协会,关于半导体触发电流的标准

  • DS/EN 60990:2000 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • DS/EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试
  • DS/EN 60947-4-3/A2:2011 低压开关设备和控制设备 第 4-3 部分:接触器和电机启动器 用于非电机负载的交流半导体控制器和接触器
  • DS/EN 60947-4-3/A1:2007 低压开关设备和控制设备 第 4-3 部分:接触器和电机启动器 用于非电机负载的交流半导体控制器和接触器
  • DS/EN 60947-4-3:2001 低压开关设备和控制设备 第 4-3 部分:接触器和电机启动器 用于非电机负载的交流半导体控制器和接触器
  • DS/IEC 747-6:1993 半导体装置.分立器件和集成电路.第6部分:闸流管
  • DS/IEC 92-304:1994 船上电气设备的安装.第304部分:设备.半导体变流器
  • DS/EN 60947-4-2:2012 低压开关设备和控制设备 第 4-2 部分:接触器和电机启动器 交流半导体电机控制器和启动器

ES-UNE,关于半导体触发电流的标准

澳大利亚标准协会,关于半导体触发电流的标准

  • AS IEC 60990:2018 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • AS/NZS 3947.4.3:2000 低压开关设备和控制设备.电流接触器和电动起动器.非电动机负荷用交流半导体控制器和电流接触器
  • AS/NZS IEC 60947.4.3:2015 低压开关设备和控制设备 接触器和电机启动器 用于非电机负载的交流半导体控制器和接触器
  • AS/NZS IEC 60947.4.2:2015 低压开关设备和控制设备 接触器和电机启动器 交流半导体电机控制器和启动器
  • AS 60947.4.2:2004 低压开关设备和控制设备.接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和启动器

日本工业标准调查会,关于半导体触发电流的标准

  • JIS C 60990:2023 接触电流和保护导体电流的测量方法
  • JIS C 8201-4-3:2010 低压开关装置和控制装置.第4-3部分:接触器和电动机启动器.非电动机负载用交流半导体控制器和接触器
  • JIS C 8201-4-2:2010 低压开关装置和控制装置.第4-2部分:接触器和电动机启动器.交流半导体电动机控制器和启动器

行业标准-机械,关于半导体触发电流的标准

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization,关于半导体触发电流的标准

  • EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试
  • EN 60947-4-2:1996 低压开关设备和控制设备第4部分:接触器和电机启动器第 2 节:交流半导体电机控制器和启动器
  • EN 60947-4-2:2000 低压开关设备和控制设备 第 4-2 部分:接触器和电机启动器 交流半导体电机控制器和启动器(包含修正案 A1:2002)
  • EN 61136-1:1995 半导体功率对流器可调速电驱动系统一般要求 第1部分:额定规格 特别适用于直流电机驱动

法国标准化协会,关于半导体触发电流的标准

  • NF EN 62415:2010 半导体器件 – 恒流电迁移测试
  • NF EN 60990:2016 接触电流和保护导体中电流的测量方法
  • NF C80-201*NF EN 62415:2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验.
  • NF C63-113/A1:2007 低压开关装置和控制装置.第4-3部分:电流接触器和电动机起动器.交流半导体控制装置和非电动机负荷用电流接触器
  • NF C53-228:1989 半导体变流器.无间断电力系统用开关
  • NF C53-225:1985 直流高压电力传输用半导体电子管的测试
  • NF C63-112:1996 低压开关设备和控制设备.第4部分:电流接触器和发动机启动器.第2节:交流半导体发动机控制器和启动器(欧洲标准60 947-4-2)
  • NF C63-113:2000 低压开关设备和控制装置.第4-3部分:接触器和电动启动器.非电动机负载用交流电半导体控制器和接触器
  • NF C96-006:1984 电子元件.半导体器件.分立器件和集成电路.第6部分:闸流晶体管
  • NF C63-112/A2:2007 低压开关装置和控制装置.第4-2部分:接触器和电动机起动器.交流半导体电动机控制器和起动器
  • NF C63-112*NF EN 60947-4-2:2012 低压开关设备和控制设备 第4-2部分:接触器和电动机起动器 交流半导体电动机控制器和起动器
  • NF C96-002:2001 半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管
  • NF C54-143-4*NF EN 60143-4:2011 电力系统用串联电容器 第4部分:半导体闸流管受控串行电容器
  • NF C96-002:1984 电子元件.半导体器件.分立元件和集成电路.第2部分:整流二极管
  • NF C53-213:1993 半导体变流器.一般要求和线路转换变流器.第1-3部分:变压器和电抗器
  • NF C53-211:1993 半导体变流器.电网换相变流器和一般要求.第1部分第1节:基本要求规范

美国国防后勤局,关于半导体触发电流的标准

KR-KS,关于半导体触发电流的标准

  • KS C IEC 60990-2020 触摸电流的测定和保护导体电流的方法
  • KS C IEC 62830-6-2022 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第6部分:垂直接触模式摩擦电能收集器件的试验和评估方法

美国材料与试验协会,关于半导体触发电流的标准

  • ASTM F673-90(1996)e1 用非接触涡流仪测定半导体膜片的电阻率的标准试验方法
  • ASTM B845-97(2003) 电触点的混流气体试验用标准导则
  • ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
  • ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
  • ASTM F615M-95(2008) 在半导体元件上喷镀金属的安全电流脉冲操作区域的标准作法(米制)

PH-BPS,关于半导体触发电流的标准

  • PNS IEC 62830-2:2021 半导体器件.能量收集和发电用半导体器件.第2部分:热电能量收集
  • PNS IEC 62830-6:2021 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第6部分:垂直接触模式摩擦电能收集器件的试验和评估方法

立陶宛标准局,关于半导体触发电流的标准

  • LST EN 60990-2002 接触电流和保护导体电流的测量方法(IEC 60990:1999)
  • LST EN 62415-2010 半导体器件-恒流电迁移测试(IEC 62415:2010)
  • LST EN 60947-4-3-2000/A1-2007 低压开关设备和控制设备 第 4-3 部分:接触器和电机启动器 用于非电机负载的交流半导体控制器和接触器(IEC 60947-4-3:1999/A1:2006)
  • LST EN 60947-4-3-2000/A2-2011 低压开关设备和控制设备 第 4-3 部分:接触器和电机启动器 用于非电机负载的交流半导体控制器和接触器(IEC 60947-4-3:1999/A2:2011)
  • LST EN 60947-4-3-2000 低压开关设备和控制设备 第4部分:接触器和电机启动器 第 3 节:用于非电机负载的交流半导体控制器和接触器(IEC 60947-4-3:1999)
  • LST EN 60947-4-2-2012 低压开关设备和控制设备 第 4-2 部分:接触器和电机启动器 交流半导体电机控制器和启动器(IEC 60947-4-2:2011)

美国国家标准学会,关于半导体触发电流的标准

IN-BIS,关于半导体触发电流的标准

SE-SIS,关于半导体触发电流的标准

TR-TSE,关于半导体触发电流的标准

  • TS 2959-1978 船舶电气装置:电源和照明变压器、半导体整流器、发电机和发动机、电推进装置、油箱

IEC - International Electrotechnical Commission,关于半导体触发电流的标准

  • IEC 60990:1990 接触电流和保护导体电流的测量方法(1.0 版;勘误表 08/1991)

美国电信工业协会,关于半导体触发电流的标准

YU-JUS,关于半导体触发电流的标准

  • JUS N.N0.206-1992 接触电流和保护传导体电流的测量方法(等同于IEC 990-1990版)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.,关于半导体触发电流的标准

美国电气电子工程师学会,关于半导体触发电流的标准

AENOR,关于半导体触发电流的标准

  • UNE-EN 60947-4-3:2014 低压开关设备和控制设备 第 4-3 部分:接触器和电机启动器 用于非电机负载的交流半导体控制器和接触器
  • UNE-EN 60947-4-2:2013 低压开关设备和控制设备 第 4-2 部分:接触器和电机启动器 交流半导体电机控制器和启动器

GOSTR,关于半导体触发电流的标准

  • GOST IEC 60947-4-3-2017 低压开关设备和控制设备 第4-3部分 接触器和电机起动器 非点击负荷用交流半导体控制器和接触器
  • GOST IEC 60947-4-2-2017 低压开关设备和控制设备 第 4-2 部分 接触器和电机启动器 用于交流电机的交流半导体电机控制器和启动器

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于半导体触发电流的标准

  • GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
  • GB/T 8446.2-2022 电力半导体器件用散热器 第2部分:热阻和流阻测量方法

(美国)军事条例和规范,关于半导体触发电流的标准

印度尼西亚标准,关于半导体触发电流的标准

(美国)固态技术协会,隶属EIA,关于半导体触发电流的标准

  • JEDEC JESD4-1983 晶体闸流管和整流二极管的分离半导体封装的外部清洁度和漏电距离的定义
  • JEDEC JESD66-1999 半导体闸流管电涌保护设备分级认证和特征测试的瞬时电压抑止器标准

美国保险商实验所,关于半导体触发电流的标准

  • UL 60947-4-2 (ND)-2014 UL 60947-4-2低压开关设备和控制设备的国家差异. 第4-2部分: 电流接触器和电动起动器. 交流半导体电动控制器和起动器 (第一版)
  • UL 60947-4-2 BULLETIN-2015 UL 安全低压开关设备和控制设备标准 第 4-2 部分:接触器和电机启动器 交流半导体电机控制器和启动器
  • UL 60947-4-2-2014 低压开关设备和控制设备安全标准的 UL 标准 第 4-2 部分:接触器和电机启动器 交流半导体电机控制器和启动器(第一版)

工业和信息化部,关于半导体触发电流的标准

  • YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法

台湾地方标准,关于半导体触发电流的标准

  • CNS 6122-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–闸流体之连续通电试验
  • CNS 6124-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–闸流体之断续通电试验
  • CNS 6126-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–闸流体之高温通电试验

行业标准-有色金属,关于半导体触发电流的标准

  • YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

PL-PKN,关于半导体触发电流的标准

  • PN T01202-1989 半导体器件.分离器件和集成电路.整流二极管[出版物的译本1EC 747-2 (1983)]

半导体触发电流半导体电流半导体 电流+++++ 半导体 电流半导体 光 电流半导体暗电流半导体光电流半导体 光电流光电流 半导体半导体的光电流半导体与光电流半导体光电流的测量

 

可能用到的仪器设备

 

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