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半导体触发电流
本专题涉及半导体触发电流的标准有500条。
国际标准分类中,半导体触发电流涉及到金属材料试验、集成电路、微电子学、半导体材料、半导体分立器件、整流器、转换器、稳压电源、光电子学、激光设备、绝缘流体、电学、磁学、电和磁的测量、信息技术(IT)综合、电击防护、电气工程综合、电工器件、开关装置和控制器、电气设备元件、造船和海上构筑物综合、印制电路和印制电路板、航空航天制造用材料、变压器、电抗器、电感器、电容器、电子电信设备用机电元件、环境试验、电工和电子试验。
在中国标准分类中,半导体触发电流涉及到金属物理性能试验方法、半导体集成电路、元素半导体材料、、半导体发光器件、导航通讯系统与设备、电感器、变压器、半导体整流器件、电力半导体器件、部件、基础标准和通用方法、卫生、安全、劳动保护、化合物半导体材料、低压电器综合、计算机应用、半金属与半导体材料综合、半导体分立器件综合、交直流电源装置、低压配电电器、能源、轴系设备、船舶电气、观通、导航设备综合、电工合金零件、激光器件、半导体光敏器件、电源设备、光通信设备、控制电器、船用发电、变电与配电设备、航空与航天用金属铸锻材料、变压器、微电路综合、光电子器件综合、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、电工绝缘材料及其制品、电子测量与仪器综合、电容器、电力电容器、半导体三极管。
CZ-CSN,关于半导体触发电流的标准
国家质检总局,关于半导体触发电流的标准
行业标准-电子,关于半导体触发电流的标准
德国标准化学会,关于半导体触发电流的标准
贵州省地方标准,关于半导体触发电流的标准
英国标准学会,关于半导体触发电流的标准
行业标准-航天,关于半导体触发电流的标准
ZA-SANS,关于半导体触发电流的标准
国家军用标准-总装备部,关于半导体触发电流的标准
RU-GOST R,关于半导体触发电流的标准
NEMA - National Electrical Manufacturers Association,关于半导体触发电流的标准
TH-TISI,关于半导体触发电流的标准
国际电工委员会,关于半导体触发电流的标准
RO-ASRO,关于半导体触发电流的标准
欧洲电工标准化委员会,关于半导体触发电流的标准
韩国科技标准局,关于半导体触发电流的标准
丹麦标准化协会,关于半导体触发电流的标准
ES-UNE,关于半导体触发电流的标准
澳大利亚标准协会,关于半导体触发电流的标准
日本工业标准调查会,关于半导体触发电流的标准
行业标准-机械,关于半导体触发电流的标准
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization,关于半导体触发电流的标准
法国标准化协会,关于半导体触发电流的标准
美国国防后勤局,关于半导体触发电流的标准
- DLA SMD-5962-89492-1991 硅单片二元可再触发单稳态触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89695-1990 硅单片,双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅单块 八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 硅单片六位反相施密特触发电路,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 可再触发可重调单稳多谐振荡器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89552 REV A-1997 硅单片四方D型触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-96813 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,六角倒相施密特触发器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-77045 REV E-1987 硅单片可再触发可重调单稳多谐振荡器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88655-1989 硅单片八进制D型触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-04213-2004 硅单片三态输出D型双稳态触发电路16比特氧化物半导体的数字微型电路
- DLA SMD-5962-96801 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,六角施密特触发脉冲倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96802 REV B-2005 互补金属氧化物半导体,六角施密特触发脉冲倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 硅单片装有置位复位键的J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77046 REV F-2005 硅单片装有施米特触发器与非门四重2输入氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89845 REV C-2002 硅单片,双重2输入非与门施米特触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88520 REV E-2007 硅单片双D型阳性边缘触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 硅单片双 J-K正极边缘触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96524 REV E-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器施密特触发器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95719 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角反相施密特触发电路 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 硅单片装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87732 REV B-1991 硅单片J-K触发器与预设和明确高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-87733 REV B-2005 硅单片J-K触发器与预设和明确高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88702 REV A-2003 硅单片八进制D型触发器的时钟互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-90849-1991 硅单块 带重设置的双J-K触发器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87624 REV C-2007 硅单块 施米特触发器,六进制转换器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 硅单片八进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA DSCC-DWG-03021-2003 TX和TXV型1N5597,1N56001,N5603,高电压整流模块,整流硅二极管半导体器件
- DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-96641 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-95681 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体十六进制反相施密特触发电路硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95726 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 硅单片,8位视频直流/交流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89742 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA MIL-PRF-19500/259 A NOTICE 2-1999 电力整流器用JAN-1N1130和JAN-1N1131型硅制二极管半导体装置
- DLA SMD-5962-96542 REV F-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96864-1996 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95836-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角触发D类三转台输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 硅单片时钟发生驱动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 硅单片,TTL兼容输入,装有施米特触发器的六位倒向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86814 REV B-2004 硅单块 八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86815 REV B-2004 硅单块 八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-97574 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97576 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-89601 REV E-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 硅单片,6位动画文件交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 硅单片,8位交流/直流动画文件转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-79017-1979 硅单片通用异步接收器/发送器,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
- DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 硅单片,双重四重电流反馈扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体发生器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96696 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT交流电和直流电转换器硅单片电路数字微电路
- DLA MIL-PRF-19500/286 H-2008 半导体装置,硅二极管电源整流器,型号1N4245到1N4249,JAN,JANTX,JANTXV,和JANHC
- DLA SMD-5962-87626 REV B-2005 硅单块 带主重设置六进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89693 REV B-1999 硅单片,TTL可兼容输入,四重D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87757 REV B-2005 硅单片TTL输入兼容十六进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89557 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 硅单片,通用异步接收发送器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 硅单片,四重串联接口8位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/359 H-2008 1N4942,1N4944,1N4946,1N4947和1N4948,JAN,JANTX和JANTXV电源整流器快速回复硅二极管半导体装置
- DLA MIL-S-19500/484 VALID NOTICE 4-2011 半导体器件、二极管、硅、电源整流器、通用 TX 和非 TX 类型 1N5835 和 1N5836
- DLA SMD-5962-89700 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的可再触发单稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88759 REV A-2001 硅单片TTL兼容输入四方D型触发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-87646 REV B-2006 硅单块 六进制接触回弹消除器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96846 REV B-2004 互补金属氧化物半导体,单供应600KSPS12-BIT交流电或直流电转换器,硅单片电路数字线型微电路
- DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 硅单片,图象重采样序列发生器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90518 REV A-1992 硅单片,可编程比特速率发生器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-05212 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态保持16比特双稳态触发电路,低压氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87694 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/646 E VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、二极管、硅、电源整流器、超快、类型 1N6774 至 1N6777、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 硅单片双重三态双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 硅单片,八位并行互连总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88653-1989 硅单片缓冲收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 硅单片总线收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 硅单片,双重12位缓冲多路复用氧化物半导体直流/交流转变器,线性微型电路
- DLA MIL-S-19500/155 E VALID NOTICE 4-2011 半导体器件、二极管、硅、电源整流器、通用类型 1N3189、1N3190、1N3191、TX 和非 TX 类型
- DLA MIL-PRF-19500/627 B-2012 半导体器件、二极管、硅、超快速恢复、电源整流器、1N6688、1N6689、1N6688US、1N6689US JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-95793 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出的阳性触发的稳态多谐振荡器 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 硅单片,8位TTL/BTL寄存的收发器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88566 REV C-1994 硅单片双异步接收器/发送器沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88652-1989 硅单片高速向前进行发电机高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96708 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类阳性触发三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/359 J-2009 半导体器件、二极管、硅、快速恢复、电源整流器、1N4942、1N4944、1N4946、1N4947 和 1N4948、JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA SMD-5962-89701 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的四重D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87734 REV B-1992 硅单片准备接口时钟发生器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-92201 REV A-2003 硅单片,9位奇偶发生器/校验器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90901-1992 硅单块 八进制记名的收发器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89532 REV C-2006 硅单片双异步接收器/发送器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96603 REV D-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角施密特持发器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角阳性触发的D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96576 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96599 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT发生器或监测器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 硅单块 八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89533-1989 硅单片10位扬声器收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 由互补金属氧化物半导体制成的单硅数字微电路,带通用异步收发器
KR-KS,关于半导体触发电流的标准
美国材料与试验协会,关于半导体触发电流的标准
PH-BPS,关于半导体触发电流的标准
立陶宛标准局,关于半导体触发电流的标准
美国国家标准学会,关于半导体触发电流的标准
IN-BIS,关于半导体触发电流的标准
SE-SIS,关于半导体触发电流的标准
TR-TSE,关于半导体触发电流的标准
IEC - International Electrotechnical Commission,关于半导体触发电流的标准
美国电信工业协会,关于半导体触发电流的标准
YU-JUS,关于半导体触发电流的标准
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.,关于半导体触发电流的标准
美国电气电子工程师学会,关于半导体触发电流的标准
AENOR,关于半导体触发电流的标准
GOSTR,关于半导体触发电流的标准
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于半导体触发电流的标准
(美国)军事条例和规范,关于半导体触发电流的标准
印度尼西亚标准,关于半导体触发电流的标准
(美国)固态技术协会,隶属EIA,关于半导体触发电流的标准
美国保险商实验所,关于半导体触发电流的标准
工业和信息化部,关于半导体触发电流的标准
台湾地方标准,关于半导体触发电流的标准
行业标准-有色金属,关于半导体触发电流的标准
PL-PKN,关于半导体触发电流的标准