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线型 半高
本专题涉及线型 半高的标准有500条。
国际标准分类中，线型 半高涉及到半导体分立器件、集成电路、微电子学、有色金属产品、航空航天制造用材料、旋转-往复式机构及其部件、阀门、光电子学、激光设备、航空航天制造用零部件、半导体材料、紧固件、金属材料试验、电子元器件综合、整流器、转换器、稳压电源、电信系统、音频、视频和视听工程、数据存储设备、电信设备用部件和附件、机上设备和仪器、陶瓷、采矿设备、道路车辆装置、无线通信、电气设备元件、光纤通信、绝缘材料、电工器件、绝缘、电气工程综合、航空航天用电气设备和系统、电磁兼容性(EMC)、网络、电线和电缆、医疗设备、道路工程。
在中国标准分类中，线型 半高涉及到场效应器件、半导体集成电路、重金属及其合金、半导体整流器件、航空与航天用金属铸锻材料、计算机应用、阀门、微电路综合、半导体分立器件综合、半导体发光器件、、紧固件、金属物理性能试验方法、混合集成电路、通信设备综合、半导体三极管、计算机外围设备、航空仪表、特种陶瓷、煤矿专用设备器材、电子元器件、带绝缘层电线、广播、电视发送与接收设备、缝纫机、学校专用设备、电力半导体器件、部件、半导体二极管、无线电通信设备、计量综合、光通信设备、电工绝缘材料及其制品、连接器、输电线路器材、光电子器件综合、旋转电机综合、通信网技术体制、公路工程。
行业标准-电子，关于线型 半高的标准
- SJ 1977-1981 CS4型高频场效应半导体管
- SJ 1978-1981 CS5型高频场效应半导体管
- SJ 1979-1981 CS6型高频场效应半导体管
- SJ 1980-1981 CS7型高频场效应半导体管
- SJ 1981-1981 CS8型高频场效应半导体管
- SJ 1982-1981 CS9型高频场效应半导体管
- SJ 1487-1979 反向阻断型高频半导体闸流管
- SJ 50033/35-1994 GH30型半导体高速光耦合器详细规范
- SJ/T 11773-2021 半导体集成电路冲压型引线框架
- SJ 20066-1992 半导体分立器件.2CL3型硅高压整流堆详细规范
- SJ 50597.11-1994 半导体集成电路Jμ82289型总线仲裁器详细规范
- SJ 20076-1992 半导体集成电路Jμ82288型总线控制器详细规范
- SJ 50033/1-1994 半导体分立器件.3DA150型高频功率晶体管详细规范
- SJ 50033/103-1996 半导体分立器件.3DA89型高频功率晶体管详细规范
- SJ 20176-1992 半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
- SJ 50597.5-1994 半导体集成电路JF725、JF725A型高精度运算放大器详细规范
- SJ 50033/61-1995 半导体分立器件.3DK6547型高压功率开关晶体管详细规范
- SJ 50033/29-1994 半导体分立器件.EK20型砷化镓高速开关组件详细规范
- SJ 50033/62-1995 半导体分立器件.3DK406型高压功率开关晶体管详细规范
- SJ 50597/25-1994 半导体集成电路.JF7650型CMOS高精度运算放大器详细规范
- SJ 1488-1979 反向阻断型高频半导体闸流管额定高频通态平均电流IT的测试方法
- SJ/T 10045-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CT54LS138/CT74LS138型3线—8线译码器
- SJ 50033/159-2002 半导体分立器件.3DG142型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
- SJ 20059-1992 半导体分立器件.3DG111型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
- SJ 20060-1992 半导体分立器件.3DG120型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
- SJ 50033/160-2002 半导体分立器件.3DG122型硅超高频小功率晶体管.详细规范
- SJ 50033/158-2002 半导体分立器件.3DG44型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
- SJ 50033/154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
- SJ 50033/75-1995 半导体分立器件.3DG135型硅超高频小功率晶体管详细规范
- SJ 50033/141-1999 半导体分立器件2EK150型砷化镓高速开关二极管详细规范
- SJ 50033/67-1995 半导体分立器件.3DD103型高压低频大功率晶体管详细规范
- SJ/T 11848-2022 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
- SJ 50033/155-2002 半导体分立器件.3DG252型硅微波线性晶体管.详细规范
- SJ/T 10069-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CH2019型4线-10线译码器(BCD输入)
- SJ 20175-1992 半导体分立器件3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范
- SJ/T 11849-2022 半导体分立器件 3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
- SJ/T 10039-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CC4028型CMOS 4线—10线译码器(BCD输入)
- SJ/T 10080-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CT5442/CT7442型4线-10线译码器（BCD输入）
- SJ 20296-1993 半导体集成电路JF2500和JF2520型高转换速率运算放大器详细规范
- SJ 50597/24-1994 半导体集成电路.JF3140、JF3140A型BiMOS高输入阻抗运算放大器详细规范
- SJ 50033/95-1995 半导体分立器件.3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
- SJ 50033/94-1995 半导体分立器件.3DG143型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
- SJ 50033/93-1995 半导体分立器件.3DG142型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
- SJ/T 10074-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CJ 75188型四线驱动器
- SJ 20062-1992 半导体分立器件.3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管.详细规范
- SJ 20015-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
- SJ 20063-1992 半导体分立器件.3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管.详细规范
(美国)军事条例和规范，关于线型 半高的标准
- ARMY A-A-52033 A VALID NOTICE 1-2008 开顶式半高型货物集装箱
美国国防后勤局，关于线型 半高的标准
- DLA MIL-PRF-19500/187 B (1)-2012 半导体二极管，DILICON，高压型 JAN1N2361
- DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 硅单片3-8线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
- DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84092 REV D-2002 硅单片双重2至4线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 硅单片总线收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89508-1989 硅单片1/4译码器高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-97621 REV A-2003 微型电路,线型,高速差动线型驱动器,单块硅
- DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927高功率型,硅NPN晶体管半导体器件
- DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926高功率型,硅NPN晶体管半导体器件
- DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 2N384型高频率锗PNP晶体管半导体装置
- DLA MIL-PRF-19500/142 A NOTICE 2-1999 1N1731A,1N1733A和1N1734A型高压整流硅半导体装置
- DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，二极管，硅，高电导型 JAN 1N3207
- DLA SMD-5962-86716 REV D-2003 硅单块 高速四角形单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体直线型微型电路
- DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 硅单片装有驱动器的高电平模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87603 REV B-1992 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体9宽和10宽总线连接设备门闩线路,微型电路
- DLA MS16285 REV A VALID NOTICE 2-2005 UNC-2B和8N-2B型温度高达100度.F重型六边螺母半成品
- DLA MS16285 REV A NOTICE 1-2000 UNC-2B和8N-2B型温度高达100度.F重型六边螺母半成品
- DLA MS16285 REV A-1997 UNC-2B和8N-2B型温度高达100度.F重型六边螺母半成品
- DLA SMD-5962-87546 REV A-2002 硅单块 差异行驱动线双高速直线型微型电路
- DLA SMD-5962-89745 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,3线至8线解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
- DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95780 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95811 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，晶体管，PNP，锗，高频，25 毫瓦，JAN-2N128 型
- DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 硅单片,高性能微型控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-99536 REV E-2003 微型电路,数字型,辐射加固,高频率半桥式驱动器,单块硅
- DLA DSCC-VID-V62-03671 REV B-2005 微型电路,数字线型,高速差动总线收发器,单块硅
- DLA SMD-5962-90720 REV A-1992 硅单块 带三态输出8比特界面D型门闩线路,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95728 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90723 REV D-2005 硅单块 高功率直线型混合微型电路
- DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-88516 REV D-2002 硅单片10超宽总线接口记数器高性能互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95724 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95777 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95778 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95783 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95814 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重 2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-99536 REV F-2011 微电路，数字线性，抗辐射，高频半桥驱动器，单片硅
- DLA SMD-5962-99536 REV G-2011 微电路，数字线性，抗辐射，高频半桥驱动器，单片硅
- DLA SMD-5962-89972 REV C-2001 高速高压视频放大器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-93243 REV C-2001 高速高压视频扬声器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-93246 REV D-2005 高速高压视频扬声器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 硅单片,32位高集成微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89772-1992 硅单片,装有8位或16位外总线16位微型控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构微型电路
- DLA SMD-5962-95798 REV B-2004 高速功率驱动器线型微电路
- DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 硅单片异或门高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 高功率半导体装置,PNP硅晶体管,型号2N3442,JAN,JANTX和JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率型 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA MIL-S-19500/208 B VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，晶体管，NPN，硅，高功率，类型 2N1487、22N1488、2N1489 和 2N1490
- DLA MIL-S-19500/217 B VALID NOTICE 4-2011 半导体器件、晶体管、PNP、锗、高功率类型 2N456B、2N457B、2N458B、2N1021A、2N1022A
- DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率型 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-89732-1989 硅单片,装有三态输出的八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95790 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块 互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
- DLA SMD-5962-87620 REV D-2003 高功率操作扩大器,直线型混合微型电路
- DLA SMD-5962-95730 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元同步计时器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95805 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入夺路传输硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频类型 2N6603 和 2N6604 JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/384 F VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅高功率、类型 2N3584、2N3585、JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/384 G-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅高功率、类型 2N3584、2N3585、JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/262 G-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率类型 2N1722 和 2N1724，JAN 和 JANTX
- DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频类型 2N6603 和 2N6604 JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA SMD-5962-89721 REV B-2001 硅单片,高电流高速运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-86014 REV H-2005 硅单块 电压比较器高速双直线型微型电路
- DLA SMD-5962-86064 REV C-2006 硅单块 超高频操作扩大器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-97630 REV A-2003 微型电路,线型,高功率因素预调节器,单块硅
- DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 硅单片总线控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/413 F-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N3771 和 2N3772、JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/415 A VALID NOTICE 1-2008 半导体、器件、晶体管、NPN、硅、高功率类型 2N2812 和 2N2814 JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/488 E VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、2N5671 和 2N5672 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-84056 REV E-2002 硅单片D型双重双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-78023 REV R-2001 硅单片四重高速差速线接收器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89566 REV D-2006 高准确扬声器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-95719 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角反相施密特触发电路 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95788 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体同步4-BIT二元上下计数器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95789 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT平行通路改变寄存器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87598 REV A-2006 硅单块 晶体管阵列高电流NPN,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-90736 REV A-2002 功率操作增强器,高电压直线型混合微型电路
- DLA SMD-5962-88652-1989 硅单片高速向前进行发电机高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 硅单片,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 硅单片,锁相环路文件,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/408 J-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N3715 和 2N3716、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/488 E-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N5671 和 2N5672、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 硅单片,双重4级移位寄存器,改进型高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88655-1989 硅单片八进制D型触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-87809 REV B-2006 硅单片八进制数反转总线收发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90613-1990 硅单片,装有地址锁存器的3-8线路解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90665 REV A-2005 硅单片,装有地址锁存器的3-8线路解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95784 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95785 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT连续或平行输出寄存器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95786 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT连续或平行输出寄存器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95787 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT连续或平行输出寄存器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87591 REV C-2001 硅单块 模拟到数字转换器,高速直线型微型电路
- DLA SMD-5962-89673-1989 硅单片,高输出电流型运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87677 REV B-2002 硅单块 高速取样与保持放大器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-97641 REV B-2005 微型电路,线型,辐射加固,超高频率,全部NPN,单块硅
- DLA SMD-5962-99555-1999 微型电路,线型,四路,高速精密运作放大器,单块硅
- DLA SMD-5962-91653 REV C-2003 硅单块 双驱动高速直线式微型电路
- DLA SMD-5962-90812 REV D-2003 硅单块 高速缓冲器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-90815 REV B-2001 硅单块 高速缓冲器直线式微型电路
- DLA DSCC-DWG-03021-2003 TX和TXV型1N5597,1N56001,N5603,高电压整流模块,整流硅二极管半导体器件
- DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 硅单片,两重4输入无门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 硅单片,两重2输入或门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 硅单片,三重3输入与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 硅单片10-4优先编码器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 硅单片12级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 硅单片串联控制器接口,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块 八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89652-1990 硅单片,四冲双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89695-1990 硅单片,双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 硅单片,双重同步计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93109-1993 硅单片,高集成嵌入式处理器,氧化物半导体数字微型电路
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- DLA MIL-S-19500/341B-1968 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频、功率类型 2N3375、2N3553 和 2N4440 JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA SMD-5962-87550 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87552 REV J-2007 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 硅单片,128K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-87695 REV A-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95681 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体十六进制反相施密特触发电路硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95726 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95727 REV D-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体3到8行译码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95729 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4到16行译码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95782 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95792 REV D-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体八角透明三状态输出闭锁装置硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95803 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相四重三状态输入缓冲器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95821-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体高度可编程直接存储器存取控制器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA DSCC-DWG-08011-2008 半导体装置,无线射频混频器硅二极管,型号1N53B,1N53BR,1N53BM,1N53BMR
- DLA SMD-5962-89684 REV A-2004 硅单片,高压高电流达林顿晶体管阵列,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89685 REV A-2002 硅单片,高压高电流达林顿晶体管阵列,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89686 REV A-2002 硅单片,高压高电流达林顿晶体管阵列,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87545 REV B-2006 硅单块 高速差分电压电压比较器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87714 REV C-2003 硅单块 双切合高性能操作扩大器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-86058 REV C-2002 硅单块 达林顿晶体管阵列,高电流 直线型微型电路
- DLA SMD-5962-98628-1998 微型电路,线型,双路低噪音高速运行放大器,单块硅
- DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 硅单片装有复位键D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94562-1994 硅单片,高频率视频开关,线性微型电路
- DLA SMD-5962-94640-1994 硅单片,高电流MOSFET驱动器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89871 REV B-1995 硅单片,高速精密比较仪,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89880 REV C-2007 硅单片,高速运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-90638 REV E-2007 高功率运算放大器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-90659 REV E-2002 高功率运算放大器,线性混合微型电路
- DLA A-A-59700 A-2008 线圈、射频、芯片、固定、高频、微型、表面贴装
- DLA A-A-59739 A-2013 线圈、射频、芯片、固定、高 Q、微型、表面贴装
- DLA SMD-5962-91639 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-91640 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特缓冲/线驱动,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的反向八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 硅单片,两重4输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 硅单片,两重2输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 硅单片,两重2输入正与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 硅单片可编程中断控制器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 硅单片,四重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
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- DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/398 J-2010 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频、类型 2N3866、2N3866A、2N3866UB、2N3866AUB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
- DLA MIL-PRF-19500/439 G-2012 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N5038 和 2N5039、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
- DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 硅单片,低功率脉宽调制器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-98539-2000 微型电路,线型,辐射加固,单路高速,运算放大器,单块硅
- DLA SMD-5962-99593 REV B-2006 微型电路,线型,单路高速电压反馈,运算放大器,单块硅
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- DLA SMD-5962-95717-1995 数字的互补金属氧化物半导体八角母线接收器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 硅单块 高速结型场效应晶体管,双操作增强器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-91516 REV A-1997 硅单块 带地址闩锁3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的正向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的反向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95791 REV C-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体八角D可重新设置双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95802 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95804 REV B-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重2到4行解码器或信号分离器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95806 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步技计数器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95807 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95808 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 硅单块 双极金属氧化物半导体技术中断接口闩锁设备,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-90731 REV E-2004 硅单块 单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体四列,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-89594 REV C-2000 高速宽带运算放大器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-94535-1994 高速追踪保持扬声器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-91700 REV B-2004 操作放大器,高功率直线式混合微型电路
- DLA SMD-5962-89810 REV G-2007 单通道高增益振荡器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-89910 REV D-2006 高速宽带运算放大器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-89911 REV C-2000 高速宽带运算放大器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-89940 REV A-2003 高速取样保持放大器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-92165 REV D-2004 硅单块 高速操作放大器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-94749 REV B-2001 高频晶体管陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90828 REV D-2003 操作增强器,高功率直线式混合微型电路
- DLA SMD-5962-90925 REV A-1993 硅单块 操作放大器,高速直线式微型电路
- DLA SMD-5962-93261 REV F-2006 硅单片,高功率因素稳压器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 硅单片双重三态双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91513-1993 硅单块 是或倒转门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 硅单片,可编程逻辑阵列,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88653-1989 硅单片缓冲收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88758-1991 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA MIL-PRF-19500/461 F-2008 半导体器件、晶体管、PNP、硅、高功率、类型 2N6211、2N6212、2N6213、2N6213A、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
- DLA SMD-5962-94603-1994 硅单片,高输出电流高频率电流反馈扬声器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-95536 REV G-2003 高速高输出电流电压反馈放大器硅单片电路线型微电路
- DLA DSCC-DWG-94032 REV A-2000 矩形波瓣键控插头式线/线束终端高密度纳米型连接器
- DLA DSCC-DWG-94033-1996 矩形波瓣键控插座式线/线束终端高密度纳米型连接器
- DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-03251-2004 硅单片解算器至数字变换器氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 硅单片,宽带增益可变扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块 总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-99618 REV E-2007 微型电路,线型,辐射加固,CMOS高速四路SPST模式开关,单块硅
- DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 硅单片装有三态输出的八位D型透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/575 D-2009 半导体器件、二极管、硅、高压功率整流器、快速恢复、1N6512 至 1N6519 型、1N6512US 至 1N6519US 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/575 E-2012 半导体器件、二极管、硅、高压功率整流器、快速恢复、1N6512 至 1N6519 型、1N6512US 至 1N6519US 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-95759 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线收发器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84070 REV D-2005 硅单片双重2比特透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84093 REV F-2006 硅单片双重4通道多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84100 REV E-2005 硅单片双重4比特二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89707-1989 硅单片,同步复位二-十进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87723-1987 硅单块 13输入是非门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 硅单片双多谐振荡器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 硅单块 4比特计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 硅单块 高速互补金属氧化物半导体多功能边缘的数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 半导体器件.N-通道高压场效应硅晶体管.型号2N7387和2N7387U1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS
- DLA A-A-59739-2002 表面安装微型 高频 固定芯片阻力系数线圈
- DLA SMD-5962-78013 REV M-2006 厚膜/薄膜高电流扬声器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 硅单片高速电压比较器,双极线性微型电路
- DLA SMD-5962-89570 REV F-2003 单信道高速光耦合器的线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-89571 REV E-2003 双信道高速光耦合器的线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-90535 REV A-2000 硅单片,高速宽带运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-86878 REV A-2006 硅单块 电压比较器高速双直线式微型电路
- DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 硅单片装有复位键的六位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85128 REV D-2003 硅单块 带三态输出八进制D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86825 REV B-2003 硅单块 带三态输出的四方D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92229 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的九位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92230 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的八位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95731 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体同相八进制缓冲器或三状态输出行驱动器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95809 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95810 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 硅单片,视频多路复用器/扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块 八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 硅单片,双重低功率运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块 多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 硅单片,四重单刀双投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 硅单片,轨到轨四重运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 硅单片,四重单刀单投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-87715 REV B-2006 硅单块 切合高性能操作扩大器,双低支管直线型微型电路
- DLA SMD-5962-98588 REV D-2006 微型电路,线型,CMOS,2.7伏高转换速率,双路运算放大器,单块硅
- DLA SMD-5962-91755-1992 硅单块 带透明止动栓的高速电压比较器,高速直线式微型电路
- DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86813 REV B-2003 硅单块 带三态输出的八进制D型止动销,高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 硅单片六位反相施密特触发电路,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91605-1992 硅单块 平行D允许登记,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87611 REV D-2006 硅单块 三倍三输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 硅单块 四列二输入或门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 硅单块 四列二输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87623 REV B-2004 硅单块 双1选4译码器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 硅单片,TTL可兼容输入,六位倒相器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87713 REV A-1991 硅单块 系列控制器多协议高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87722 REV A-2005 硅单块 三倍三输出或门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 硅单片,2K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 硅单片,4K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 硅单片,8位同步二进降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90557 REV B-2003 硅单片,双重准确单稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86009 REV C-1991 硅单块 高速互补金属氧化物半导体,双二进制计数器数字微型电路
- DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 硅单块 七态波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 半导体器件、晶体管、高电压、场效应、N 沟道、硅、类型 2N7387 和 2N7387U1、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-95714 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体数字的8-BIT母线收发器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 硅单片,8位视频直流/交流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89716 REV B-1996 硅单片,4 X 16-BIT多级廉线寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,双直线式微型电路
- DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 硅单片,八位并行互连总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
- DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 硅单片,双重四重电流反馈扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-06206-2007 硅单片高准确性运算扬声器双线性微型电路
- DLA SMD-5962-89647 REV A-2002 硅单片,低功率高速运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89775-1991 硅单片,四重PNP晶体管阵列,高速线性微型电路
- DLA SMD-5962-89776 REV B-2007 硅单片,四重NPN晶体管阵列,高速线性微型电路
- DLA SMD-5962-90644 REV A-1996 硅单片,高性能低功率FM IF 系统,线性微型电路
法国标准化协会，关于线型 半高的标准
- NF A51-106:1977 铜和铜合金制半成品.高抗拉强度黄铜制棒材，线材和型材
- NF EN IEC 60966-4-2:2022 同轴电缆和射频电缆 第4-2部分：半刚性电缆（跳线）的特殊规范 频率范围高达 6000 MHz 50-9 型半刚性同轴电缆
- NF A51-117:1983 铜和铜合金制半成品.锌白铜棒材、线材和型材.特性
- NF A51-105:1984 铜和铜合金制半成品.铅黄铜制棒材、线材和型材.特性
- NF A51-417:1983 铜和铜合金制半成品.锌白铜棒材、线材和型材.尺寸和公差
- NF C66-428:1986 架空线路用绝缘子和配件.金属配件.半水平(扁拱形)构型 (NV)
国家军用标准-总装备部，关于线型 半高的标准
- GJB 8459-2015 飞行器半模型高速风洞试验方法
- GJB 33/5A-2021 半导体分立器件2CL59K、2CL60K、2CL80K、2CL150K 型硅高压整流堆详细规范
- GJB 33/14A-2021 半导体分立器件3DG44 型硅超高频低噪声晶体管详细规范
- GJB 33A/14-2003 半导体分立器件 3DG44 型硅超高频低噪声晶体管详细规范
CZ-CSN，关于线型 半高的标准
- CSN 02 7017-1975 带高切线力的级差半锥形活塞油环
美国机动车工程师协会，关于线型 半高的标准
- SAE AMS-QQ-W-428/1A-2003 I型圆形高碳钢线材
- SAE AMS-QQ-W-428/2A-2003 III型圆形高碳素钢线
- SAE AMS-QQ-W-428/1-2001 线材，钢，高碳，圆形，I 型
- SAE AMS-QQ-W-428/1A-2013 线材，钢，高碳，圆形，I 型
- SAE AMS-QQ-W-428/2-2001 线材，钢，高碳，圆形，III 型
- SAE AMS-QQ-W-428/2A-2013 线材，钢，高碳，圆形，III 型
- SAE AMS-QQ-W-428/1A-2001 （非现行）线材，钢，高碳，圆形，I 型
- SAE AMS-QQ-W-428/2A-2001 （非现行）线材，钢，高碳，圆形，III 型
NEMA - National Electrical Manufacturers Association，关于线型 半高的标准
- NEMA C29.7-1992 瓷绝缘子 高压线柱型
- NEMA C29.7-1996 湿法瓷绝缘子 高压线柱型
- NEMA C29.14A-2019 复合绝缘子拉线（拉）绝缘子型（紫外线耐光高分子材料包棒型）
- NEMA C29.7-1983 湿法瓷绝缘子 高压线柱型（增补 C29.7A 1986）
- NEMA HP 4-1988 电气和电子 FEP 绝缘高温连接线 K KK 和 KT 型
中国团体标准，关于线型 半高的标准
- T/IAWBS 017-2022 金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
- T/IAWBS 015-2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
- T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
- T/CEEIA 225-2014 BL/G型高压互感器和变压器用 自动高速绕线机
- T/CASME 479-2023 半导体集成电路 塑料小外形封装冲制型引线框架
SAE - SAE International，关于线型 半高的标准
- SAE AMS-QQ-W-428/1B-2017 线材 钢材 高碳 圆形 I型
- SAE AMS-QQ-W-428/2B-2017 线材 钢材 高碳 圆形 III 型
英国标准学会，关于线型 半高的标准
- BS EN IEC 60966-4-2:2022 射频和同轴电缆组件 半刚性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6000MHz 50-9 型半刚性同轴电缆
- 21/30436491 DC BS EN IEC 60966-3-4 射频和同轴电缆组件 第3-4部分 半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6GHz 50-141 型半柔性同轴电缆
- 21/30436487 DC BS EN IEC 60966-3-3 射频和同轴电缆组件 第3-3部分 半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 18GHz 50-141 型半柔性同轴电缆
- 19/30400780 DC BS EN IEC 60966-4-2 射频和同轴电缆组件 第4-2部分 半刚性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6000MHz 50-9 型半刚性同轴电缆 适用于 ISO/IEC 11801-1
- BS EN IEC 60966-4-3:2022 射频和同轴电缆组件 半刚性电缆组件的详细规范 频率范围高达 6000MHz 50-12 型低损耗半刚性同轴电缆
- BS EN 62802:2017 高频光纤无线电 (RoF) 系统中马赫曾德光调制器半波长电压和线性调频参数的测量方法
国家质检总局，关于线型 半高的标准
- GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
- GB/T 15877-2013 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范
- GB/T 14112-2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范
- GB/T 14112-1993 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范
(美国)全国电气制造商协会，关于线型 半高的标准
- NEMA C29.7-2015 湿法瓷绝缘子 高压线柱型
- NEMA HP 3-2021 绝缘高温连接线；类型 ET（250 伏）、E（600 伏）和 EE（1000 伏）
美国国家标准学会，关于线型 半高的标准
- ANSI T1.426-2004 增强型单线-双线高速数字用户线(E-SHDSL)收发器
- ANSI/ATIS 0600426-2004 增强型单对高速数字用户线(E-SHDSL)收发器
- ANSI/NEMA HP4-2012 KT型(250V)和KK型(1000V)电和电子FEP(氟乙烯丙烯)绝缘高温架空电线
- ANSI/NEMA HP 3-2021 绝缘高温连接线；类型 ET（250 伏）、E（600 伏）和 EE（1000 伏）
- ANSI/NEMA HP 3-2012 绝缘高温连接线；类型 ET（250 伏） E（600 伏） 和 EE（1000 伏）
工业和信息化部，关于线型 半高的标准
- SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范
- SJ/T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
- SJ/T 1480-2016 半导体分立器件 3CG130型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
- SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
- JB/T 12174.5-2018 热收缩模制型材 第5部分：半硬质高弹性材料规范与系统性能
国家计量检定规程，关于线型 半高的标准
- JJG(民航) 0073-2004 ARA-552型无线电高度表测试仪
- JJG(电子) 03010-1991 SG-1型二线高灵敏度示波器检定规程
- JJG(民航) 028-1996 980N-1型无线电高度表测试仪检定规程（试行）
国际电工委员会，关于线型 半高的标准
- IEC 60966-4-2:2022 射频和同轴电缆组件.第4-2部分:半刚性电缆组件（跳线）详细规范.频率范围高达6000 MHz 50-9型半刚性同轴电缆
- IEC 60966-3-3:2023 射频和同轴电缆组件 第 3-3 部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 18 GHz，50-141 型半柔性同轴电缆
(美国)海军，关于线型 半高的标准
- NAVY MIL-P-85723 NOTICE 1-1997 PGU-28/B型20毫安半精确位置高爆炸指示器射弹
- NAVY MIL-P-85723 (1)-1991 PGU-28/B型20毫安半精确位置高爆炸指示器射弹
- NAVY MIL-P-85723-1986 PGU-28/B型20毫安半精确位置高爆炸指示器射弹
国际标准化组织，关于线型 半高的标准
- ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).检测半导光催化材料用紫外线源
行业标准-航空，关于线型 半高的标准
- HB 8598-2021 飞机低速增压风洞高雷诺数试验半模型设计要求
行业标准-煤炭，关于线型 半高的标准
- MT/T 946-2005 煤矿用增安型高压电缆接线盒
- MT/T 1100-2009 煤矿用隔爆型高压电缆接线盒
台湾地方标准，关于线型 半高的标准
- CNS 6911-1990 汽车用分电盘高压线端子（ＩＡ型）
欧洲电工标准化委员会，关于线型 半高的标准
- EN IEC 60966-4-2:2022 射频和同轴电缆组件 第4-2部分：半刚性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6000 MHz 50-9 型半刚性同轴电缆
- EN IEC 60966-3-4:2023 射频和同轴电缆组件 - 第 3-4 部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 - 频率范围高达 6 GHz，50-141 型半柔性同轴电缆
- EN IEC 60966-3-3:2023 射频和同轴电缆组件 - 第 3-3 部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 - 频率范围高达 18 GHz，50-141 型半柔性同轴电缆
未注明发布机构，关于线型 半高的标准
- BS EN IEC 60966-3-4:2023 射频和同轴电缆组件 第3-4部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 — 频率范围高达 6 GHz，50 - 141 型半柔性同轴电缆
- BS EN IEC 60966-3-3:2023 射频和同轴电缆组件 第3-3部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 — 频率范围高达 18 GHz，50 - 141 型半柔性同轴电缆
ES-UNE，关于线型 半高的标准
- UNE-EN IEC 60966-4-2:2023 射频和同轴电缆组件 第 4-2 部分：半刚性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6000 MHz 50-9 型半刚性同轴电缆
行业标准-航天，关于线型 半高的标准
- QJ 10007/11-2008 宇航用半导体分立器件 3DG182型硅高频小功率高反压晶体管详细规范
- QJ 10007/10-2008 宇航用半导体分立器件 3DG122、3DG130型硅高频小功率晶体管详细规范
- QJ 10007/5-2008 宇航用半导体分立器件 3CG110、3CG130型硅高频小功率晶体管详细规范
- QJ 10007/9-2008 宇航用半导体分立器件 3DG100、3DG101、3DG111、3DG112型硅高频小功率晶体管详细规范
上海市标准，关于线型 半高的标准
- DB31/ 149-1994 建筑用阻燃型半硬质聚乙烯电线导管安全标准
FI-SFS，关于线型 半高的标准
- SFS C.6.14-1959 支座隔绝缘子的高压线．类型S-35
- SFS C.6.15-1959 支座隔绝缘子的高压线．类型S-45
- SFS C.6.13-1959 支座隔绝缘子的高压线．类型S-10和S-20
SE-SIS，关于线型 半高的标准
- SIS SEN 43 10-1961 非线绕固定电阻器，高稳定性类型
行业标准-轻工，关于线型 半高的标准
- QB/T 3557-1999 GC15型高速平缝机挑线杆 技术条件
- QB/T 2380-1998 工业用缝纫机 GC型自动剪线高速平缝机
行业标准-教育，关于线型 半高的标准
- JY 212-1986 等高线地形图制读模型技术条件
国际电信联盟，关于线型 半高的标准
- ITU-R F.1111-1-1995 高频无线电话电路的增强型Lincompex系统
- ITU-R REPORT F.2062 ARABIC-2005 能够提供增强型应用的增强型高频数字无线电通信系统
- ITU-R REPORT F.2062 CHINESE-2005 能够提供增强型应用的增强型高频数字无线电通信系统
- ITU-R REPORT F.2062 RUSSIAN-2005 能够提供增强型应用的增强型高频数字无线电通信系统
德国标准化学会，关于线型 半高的标准
- DIN EN IEC 60966-3-4:2022-06 射频和同轴电缆组件 - 第 3-4 部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范，频率范围高达 6 GHz，50-141 型半柔性同轴电缆 (IEC 46/845/CDV:2021)
- DIN EN IEC 60966-4-2:2022-04 射频和同轴电缆组件 - 第 4-2 部分：半刚性电缆组件（跳线）的详细规范，频率范围高达 6000 MHz，50-9 型半刚性同轴电缆，适用于 ISO/IEC 11801-1 (IEC 46/803/CDV:2021）
- DIN EN 300652:2001-02 宽带无线接入网络(BRAN)高性能无线局域网(HIPERLAN)类型 1 功能规范
- DIN EN 300652:2001 宽带无线电接入网(BRAN).高效无线电局域网(HIPERLAN)(类型1).功能规范
美国宇航局，关于线型 半高的标准
- NASA-TP-2990-1990 高升力半翼展飞机模型的实验性和理论性空气动力特性
美国电信行业解决方案联盟，关于线型 半高的标准
- ATIS 0600426-2004 增强型单对高速数字用户线（E-SHDSL）收发器
ATIS - Alliance for Telecommunications Industry Solutions，关于线型 半高的标准
- T1.426-2004 增强型单对高速数字用户线（E-SHDSL）收发器
AT-ON，关于线型 半高的标准
- ONORM E 4106-1981 电力架空线路．额定电压高达1000 V的系紧线绝缘体A型
行业标准-邮电通信，关于线型 半高的标准
- YD/T 1687.1-2007 光通信用高速半导体激光器组件技术条件 第1部分：2.5Gbit/s致冷型直接调制半导体激光器组件
- YD/T 1687.2-2007 光通信用高速半导体激光器组件技术条件 第2部分：2.5Gbit/s无致冷型直接调制半导体激光器组件
AT-OVE/ON，关于线型 半高的标准
- OVE EN IEC 60966-4-2:2021 射频和同轴电缆组件 第 4-2 部分：半刚性电缆组件（跳线）的详细规范，频率范围高达 6000MHz，50-9 型半刚性同轴电缆，适用于 ISO/IEC 11801-1（IEC 46 /803/CDV）（英文版）
BR-ABNT，关于线型 半高的标准
- ABNT P-EB-248-1968 中型和高压线圈和钢板钢管，其相关的规格
AR-IRAM，关于线型 半高的标准
- IEAM 2207-1964 地下电缆用T型接线盒（最高点压不超过1KV）
CU-NC，关于线型 半高的标准
- NC 66-27-1984 电子线路．高频双极性晶体管．BF310型质量规范
- NC 66-28-1984 电子线路．高频双极性晶体管．BF199型质量规范．
行业标准-机械，关于线型 半高的标准
- JB/T 50132-1999 中型高压电机定子线圈成品 产品质量分等
- JB/T 50133-1999 中型高压电机少胶整浸线圈 产品质量分等
ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector，关于线型 半高的标准
- REPORT F.2062-2005 能够提供增强型应用的增强型高频数字无线电通信系统
RO-ASRO，关于线型 半高的标准
- STAS 11144/1-1989 漆包圆铜线．抗变压器油高机械性能的漆包导线Cu-EMr-105类型
丹麦标准化协会，关于线型 半高的标准
- DS/EN 300652 V1.2.1:2002 宽带无线接入网（BRAN）；高性能无线电局域网（HIPERLAN）类型 1；功能规格
立陶宛标准局，关于线型 半高的标准
- LST EN 300 652 V1.2.1-2002 宽带无线接入网（BRAN）；高性能无线电局域网（HIPERLAN）类型 1；功能规格
美国材料与试验协会，关于线型 半高的标准
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