29.045 半导体材料 标准查询与下载

GB/T 24582-2009 酸浸取.电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。 本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/mL。 酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效益。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品的重量的1%。 本标准适用于重量为25 g～5000 g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的重量为约300 g。

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参照此方法。 本标准适用于测量标准直径76mm,100mm,125mm,150mm,200mm,电阻率不大于200Ω•cm厚度不大于1000μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

Testing methods for surface flatness of silicon slices

GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法。 本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。 本方法适用于测量面密度在(10～10)atoms/cm的范围的元素。 本方法是非破坏性的。

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy

GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时， AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。

Test method for measuring the Al fraction in on AlGaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。 本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为 ∮300mm。不适用于测量硅片的不圆度。

Test method for measuring diameter of semiconductor wafer

GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物

1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。 1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。 1.3本标准的检测限范围取决于被检测的有机化合物，比如碳氢化合物(C～C)的检测范围就是 10 g/cm～10g/cm。 1.4本标准适用于硅抛光片和有氧化层的硅片。 1.5本标准中包含了两种方法。方法A适用于切割后的硅片，方法B则适用于完整的硅片。两种方法的不同点在第7部分中有详细描述。

Test methods for analyzing organic contaminants on silicon water surfaces by thermal desorption gas chromatography

GB/T 14139-2009 硅外延片

本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N)和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P)的同质硅外延层，产品主要用于制作硅半层体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

Silicon epitaxial wafers

GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×10at•cm至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。

Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

GB/T 12963-2009 硅多晶

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

Specification for polycrystalline silicon

GB/T 14264-2009 半导体材料术语

本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。 本标准适用于元素和化合物半导体材料。

Semiconductor materials-Terms and definitions

GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法

本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。

Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection

GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。 1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度

Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为：4×10cm～8×10cm。 本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽的深度。 本标准也适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

本标准规定了以三氯氢硅和四氯氢硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯氢硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion

GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

本标准规定了a角的测量方法，a角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。 本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB／T 12964和GB／T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5º到+5º范围之内。 由本标准测定的晶向精度直接依赖于参考表面与基准挡板的匹配精度和挡板与相对于的x射线的取向精度。 本标准包含如下两种测试方法： 测试方法1-X射线边缘衍射法 测试方法2-劳厄背反射X射线法 测试方法1是非破坏性的，为了使硅片唯一的相对于X射线测角器定位，除了使用特殊的硅片夹具外，与GB／T 1555测试方法1类似。与劳厄背反射法相比，该技术测量参考面的晶向能得到更高的精度。 方法2也是非破坏性的，为了使参考面相对于X射线束定位，除了使用“瞬时”底片和特殊夹具外，与ASTM E82和DIN 50433测试方法第3部分类似。虽然方法2更简单快速，但不具有方法l的精度，因为其使用的仪器和夹具装置精确度较低且成本较低。方法2提供了一个测量的永久性底片的 记录。 注：解释Laue照片可以获得硅片取向误差的信息。然而这超出了测试方法的范围。愿意进行这种解释的用户，可 以参阅ASTM E82和DIN50433测试方法第3部分或标准的X射线教科书。由于可以使用不同的夹具，方法2也适用于硅片表面取向的测定。 本标准中的数值均以公制为单位，英制单位的数值放在括号内仅作为信息提供。 注：本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。标准使用前，建立合适的安全和保障措施以及确定规 章制度的廊用范围是标准使用者的责任。

Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques

GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法

本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3Ω•cm的p型硅片及电阻率高于1Ω•cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率高于0.1Ω•cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。 也适用于硅多晶中代位碳原子含量测定，但其晶粒界间区的碳同样不能测定。

Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

Test method for bow of silicon wafers

GB/T 2881-2008 工业硅

本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单或合同内容。 本标准适用于矿热炉内碳质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅，主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。

Silicon metal

GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料

Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices