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晶体 药物

本专题涉及晶体 药物的标准有369条。

国际标准分类中，晶体 药物涉及到无机化学、分析化学、化工产品、医疗设备、珠宝、摄影技术、杀虫剂和其他农用化工产品、词汇、半导体分立器件、电工和电子试验、兽医学、物理学、化学、医学科学和保健装置综合、半导体材料、教育、堆栈、仓储、医药卫生技术、农业和林业、机器、装置、设备的特性和设计、有色金属、光纤通信、术语学(原则和协调配合)、制药学、试验条件和规程综合、绝缘流体、频率控制和选择用压电器件与介质器件、字符符号、技术制图、货物的包装和调运综合、焊接、钎焊和低温焊、金属材料试验、无线通信、农业机械、工具和设备、微生物学、食品试验和分析的一般方法、电学、磁学、电和磁的测量。

在中国标准分类中，晶体 药物涉及到眼科与耳鼻咽喉科手术器械、、其他日用品、照相级化学药品、感光材料、农药、矫形外科、骨科器械、半导体三极管、半导体分立器件综合、动物检疫、兽医与疫病防治、医用光学仪器设备与内窥镜、医药综合、半导体集成电路、教学专用仪器、药用植物与产品、火工产品、焊接与切割、半导体二极管、光通信设备、教育、学位、学衔、体外循环、人工脏器、假体装置、元素半导体材料、术语、符号、农药管理与使用方法、场效应器件、物理学与力学、化合物半导体材料、金属物理性能试验方法、广播、电视发送与接收设备、法医、犯罪鉴定技术、半金属及半导体材料分析方法、劳动防护用品、基础标准与通用方法。


HU-MSZT，关于晶体 药物的标准

台湾地方标准，关于晶体 药物的标准

  • CNS 1996-1978 化学试药（氯化锡，晶体）（四氯化锡晶体）
  • CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
  • CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法

RU-GOST R，关于晶体 药物的标准

  • GOST 21988-1976 工业用的炸药.晶状体炸药（ГРАММОНИТ）.技术条件
  • GOST 31580.5-2012 眼科植入物.人工晶体.第5部分.生物适合性
  • GOST 31580.7-2012 眼科植入物.人工晶体.第7部分.临床研究
  • GOST R 52858-2007 眼科植入件.人工晶状体.第5部分:生物适应性
  • GOST R 57266-2016 用于储存药物, 精神药物及其前体的保险箱. 要求, 分类和试验方法
  • GOST 25948-1983 单晶体镓的砷化物和镓的磷化物.电阻比和霍拉系数的测定
  • GOST R 56701-2015 医用药物. 为实施药物用人体临床试验和上市许可的非临床安全研究指南
  • GOST 31580.2-2012 眼科植入物.人工晶体.第2部分.光学性质和试验方法
  • GOST 31580.3-2012 眼科植入物.人工晶体.第3部分.机械性能和试验方法
  • GOST 31580.6-2012 眼科植入物.人工晶体.第6部分.贮藏寿命和运输稳定性

丹麦标准化协会，关于晶体 药物的标准

英国标准学会，关于晶体 药物的标准

US-CFR-file，关于晶体 药物的标准

  • CFR 21-522.313a-2014 食品和药物. 第522部分:植入或注射用剂型的新动物药. 第522.313a节:头孢噻呋晶体注射液.
  • CFR 21-524.2620-2014 食品和药物. 第524部分:眼科外用剂型的新动物药. 第524.2620节:液晶的胰蛋白酶;秘鲁香脂;蓖麻油.
  • CFR 21-520.1195-2014 食品和药物. 第520部分:口服剂型的新动物药. 第520.1195节:伊维菌素液体.
  • CFR 21-522.1820-2014 食品和药物. 第522部分:植入或注射用剂型的新动物药. 第522.1820节:垂体促黄体生成素粉针.
  • CFR 21-529.1940-2014 食品和药物. 第529部分:某些其他剂型的新动物药. 第529.1940节:黄体酮阴道插入.

立陶宛标准局，关于晶体 药物的标准

  • LST EN ISO 11979-10:2007 眼科植入物 人工晶状体 第10部分：有晶状体眼人工晶状体（ISO 11979-10:2006）
  • LST EN ISO 11979-9:2007 眼科植入物 人工晶状体 第9部分：多焦点人工晶状体（ISO 11979-9:2006）
  • LST EN ISO 11979-5:2006 眼科植入物 人工晶状体 第5部分：生物相容性（ISO 11979-5:2006）
  • LST EN ISO 11979-5:2020 眼科植入物 人工晶状体 第5部分：生物相容性（ISO 11979-5:2020）
  • LST EN ISO 11979-1:2012 眼科植入物 人工晶状体 第1部分：词汇（ISO 11979-1:2012）
  • LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
  • LST EN ISO 11979-7:2006 眼科植入物 人工晶状体 第7部分：临床研究（ISO 11979-7:2006）
  • LST EN ISO 11979-8:2009 眼科植入物 人工晶状体 第8部分：基本要求（ISO 11979-8:2006）
  • LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）
  • LST EN ISO 11979-4:2009 眼科植入物 人工晶状体 第4部分：标签和信息（ISO 11979-4:2008）
  • LST EN ISO 17632:2008 焊接材料 非合金钢和细晶粒钢的气体保护和非气体保护金属电弧焊用管状药芯焊条 分类（ISO 17632:2004）

AENOR，关于晶体 药物的标准

  • UNE-EN ISO 11979-10:2007 眼科植入物 人工晶状体 第10部分：有晶状体眼人工晶状体（ISO 11979-10:2006）
  • UNE-EN ISO 11979-10:2007/A1:2014 眼科植入物 人工晶状体 第10部分：有晶状体人工晶状体（ISO 11979-10:2006/Amd 1:2014）
  • UNE-EN ISO 11979-9:2007 眼科植入物 人工晶状体 第9部分：多焦点人工晶状体（ISO 11979-9:2006）
  • UNE-EN ISO 11979-9:2007/A1:2014 眼科植入物 人工晶状体 第9部分：多焦点人工晶状体（ISO 11979-9:2006/Amd 1:2014）
  • UNE-EN ISO 11979-5:2007 眼科植入物 人工晶状体 第5部分：生物相容性（ISO 11979-5:2006）
  • UNE-EN ISO 11979-1:2013 眼科植入物 人工晶状体 第1部分：词汇（ISO 11979-1:2012）
  • UNE-EN ISO 11979-7:2015 眼科植入物 人工晶状体 第7部分：临床研究（ISO 11979-7:2014）
  • UNE-EN ISO 11979-8:2017 眼科植入物 人工晶状体 第8部分：基本要求（ISO 11979-8:2017）
  • UNE-EN ISO 11979-4:2009 眼科植入物 人工晶状体 第4部分：标签和信息（ISO 11979-4:2008）
  • UNE-EN ISO 20776-1:2007 临床实验室试验和体外诊断试验系统 传染性病原体的药敏试验和抗菌药敏试验装置的性能评价 第1部分：抗微生物药物体外活性试验的参考方法

中国团体标准，关于晶体 药物的标准

  • T/VSAC 001-2023 矿物晶体观赏石鉴评
  • T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
  • T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
  • T/SCNA 0005-2023 玻璃体腔注射药物围手术期护理标准
  • T/SATA 0003-2017 动物源性食品中多种药物（8种β-受体激动剂、18种磺胺类药物、14种喹诺酮类药物）残留量的测定 液相色谱—串联质谱法
  • T/YNBX 107-2023 茶叶农药残留基体标准物质制备技术规范
  • T/SOFIDPA 0003-2022 丘陵山区多年生植物水肥药一体化技术规范
  • T/SHQAP 001-2023 药物临床试验申办者质量管理体系建设指南
  • T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

国际标准化组织，关于晶体 药物的标准

行业标准-农业，关于晶体 药物的标准

法国标准化协会，关于晶体 药物的标准

韩国科技标准局，关于晶体 药物的标准

KR-KS，关于晶体 药物的标准

未注明发布机构，关于晶体 药物的标准

德国标准化学会，关于晶体 药物的标准

  • DIN EN ISO 11979-7:2018-08 眼科植入物 人工晶状体 第7部分：用于矫正无晶状体的人工晶状体的临床研究
  • DIN EN ISO 11979-7:2023-04 眼科植入物 - 人工晶状体 - 第 7 部分：人工晶状体矫正无晶体眼的临床研究 (ISO/DIS 11979-7:2023)
  • DIN EN ISO 11979-7:2018 眼科植入物 人工晶状体 第7部分：用于矫正无晶状体眼的人工晶状体的临床研究（ISO 11979-7:2018）
  • DIN EN ISO 11979-10:2018-08 眼科植入物 人工晶状体 第10部分：用于矫正有晶状体眼屈光不正的人工晶状体的临床研究
  • DIN EN ISO 11979-10:2006 眼科植入物.眼内透镜.第10部分:有晶体眼人工晶体植入术(ISO 11979-10:2006)
  • DIN EN ISO 11979-10:2018 眼科植入物 人工晶状体 第10部分：用于矫正有晶状体眼屈光不正的人工晶状体的临床研究（ISO 11979-10:2018）
  • DIN EN ISO 11979-5:2021-05 眼科植入物 人工晶状体 第5部分：生物相容性
  • DIN EN ISO 11979-1:2019-05 眼科植入物 人工晶状体 第1部分：词汇
  • DIN SPEC 91315:2014 药物中等离子体源的一般要求
  • DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
  • DIN EN ISO 11979-4:2009 眼科植入物 眼内晶状体 第4部分:标注和信息
  • DIN EN ISO 11979-4:2013-01 眼科植入物 人工晶状体 第4部分：标签和信息
  • DIN EN ISO 11979-5:2019 眼科植入物 人工晶状体 第5部分：生物相容性（ISO/DIS 11979-5:2019）
  • DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
  • DIN 4000-19:1988 第19部分:晶体管和可控硅用物品特性表格设计
  • DIN EN ISO 11979-10:2014 眼科植入物.眼内透镜.第10部分:有晶体眼人工晶体植入术(ISO 11979-10-2006+Amd 1-2014);德文版本EN ISO 11979-10-2006+A1-2014
  • DIN 1304-9:2003 物理量的字母符号.第9部分:压电晶体等效电路符号
  • DIN EN ISO 11979-8:2017 眼科植入物 人工晶状体 第8部分：基本要求（ISO 11979-8:2017）
  • DIN EN ISO 11979-1:2018 眼科植入物 人工晶状体 第1部分：词汇表（ISO/DIS 11979-1:2018）
  • DIN EN ISO 11979-8:2017-08 眼科植入物 - 人工晶状体 - 第 8 部分：基本要求 (ISO 11979-8:2017)
  • DIN EN ISO 17632:2016-05 焊接耗材 非合金钢和细晶粒钢气体保护和非气体保护金属电弧焊用管状药芯焊条 分类
  • DIN EN ISO 11979-2:2014-12 眼科植入物-人工晶状体-第2部分：光学性能和测试方法
  • DIN EN ISO 11979-3:2013-04 眼科植入物-人工晶状体-第3部分：机械性能和测试方法
  • DIN 1304-9:2003-01 物理量的字母符号第9部分：压电晶体等效电路的符号
  • DIN 50454-1:2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓
  • DIN 50454-2:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
  • DIN 50454-3:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
  • DIN EN ISO 11979-6:2015-02 眼科植入物 人工晶状体 第6部分：保质期和运输稳定性测试
  • DIN EN ISO 11979-5:2021 眼科植入物. 人工晶状体. 第5部分: 生物相容性(ISO 11979-5-2020); 德文版 EN ISO 11979-5-2020

ES-UNE，关于晶体 药物的标准

  • UNE-EN ISO 11979-7:2018 眼科植入物 人工晶状体 第7部分：用于矫正无晶状体的人工晶状体的临床研究
  • UNE-EN ISO 11979-10:2018 眼科植入物 人工晶状体 第10部分：用于矫正有晶状体眼屈光不正的人工晶状体的临床研究
  • UNE-EN ISO 11979-5:2021 眼科植入物 人工晶状体 第5部分：生物相容性
  • UNE-EN ISO 11979-1:2019 眼科植入物 人工晶状体 第1部分：词汇
  • UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
  • UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
  • UNE-EN ISO 17632:2016 焊接耗材 非合金钢和细晶粒钢气体保护和非气体保护金属电弧焊用管状药芯焊条 分类

欧洲标准化委员会，关于晶体 药物的标准

  • EN ISO 11979-10:2018 眼科植入物.眼内透镜.第10部分:有晶体眼人工晶体植入术
  • prEN ISO 11979-7 眼科植入物 人工晶状体 第7部分：用于矫正无晶状体眼的人工晶状体的临床研究（ISO/DIS 11979-7:2023）
  • EN ISO 11979-10:2006 眼科植入物.眼内透镜.第10部分:有晶体眼人工晶体植入术 ISO 11979-10-2006
  • EN ISO 11979-10:2006/A1:2014 眼科植入物.眼内透镜.第10部分:有晶体眼人工晶体植入术 包含修改件A1,2014
  • EN ISO 11979-1:2006 眼科植入物.眼内晶状体.第1部分:词汇
  • prEN 758-1992 非合金和细晶粒钢的有气体保护和无气体保护金属弧焊用药心焊条的分类
  • EN 13503-5:2001 眼科植入物 人工晶状体 第5部分：生物相容性 ISO 11979-5:1999，修改版
  • EN ISO 11979-3:2012 眼科植入物.人工晶体.第3部分:机械性能和测试方法
  • prEN ISO 11979-2 rev 眼科植入物 人工晶状体 第2部分：光学特性和测试方法
  • EN 13503-7:2001 眼科植入物 人工晶状体 第7部分：临床研究 ISO 11979-7:2001，已修改
  • EN 13503-8:2000 眼科植入物 人工晶状体 第8部分：基本要求 ISO 11979-8：1999，已修改
  • EN 368:1992 防护服.耐液体化学药物.试验方法:材料耐液体系统渗透性能

美国国家标准学会，关于晶体 药物的标准

行业标准-医药，关于晶体 药物的标准

CZ-CSN，关于晶体 药物的标准

欧洲电工标准化委员会，关于晶体 药物的标准

  • EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

ZA-SANS，关于晶体 药物的标准

IT-UNI，关于晶体 药物的标准

CU-NC，关于晶体 药物的标准

美国国防后勤局，关于晶体 药物的标准

  • DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 硅单块 移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 硅单块 自动记录器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 硅单块 二进制计数器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 硅单块 方形2输入和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
  • DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的3到8阵列译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入方形2输入非与门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 硅单块 方形双输入或带晶体管-晶体管逻辑电路数字输入门的高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制易识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双十进制波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
  • DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双8选1译码器或多路分解器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅单块 八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
  • DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4选1译码器或多路分解器,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91732-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的缓冲器或钟驱动器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
  • DLA SMD-5962-04228-2004 硅单片互补晶体管-晶体管逻辑电路,装有预先装置及脉冲计时器,双向二进制计算器的高级氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91725-1994 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双2比特双稳定易被识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转八进制透明闩锁,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91724-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 数字单硅片微电路,由双极互补金属氧化物半导体结构组成,带八进制总线收发器及三台输出寄存器,与晶体管-晶体管逻辑兼容
  • DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
  • DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
  • DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
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  • DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
  • DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

湖北省地方标准，关于晶体 药物的标准

SE-SIS，关于晶体 药物的标准

AT-ON，关于晶体 药物的标准

CH-SNV，关于晶体 药物的标准

PL-PKN，关于晶体 药物的标准

行业标准-教育，关于晶体 药物的标准

  • JY/T 0588-2020 单晶X射线衍射仪测定小分子化合物的晶体及分子结构分析方法通则
  • JY/T 008-1996 四圆单晶X射线衍射仪测定小分子化合物的晶体及分子结构分析方法通则

内蒙古自治区标准，关于晶体 药物的标准

广西壮族自治区标准，关于晶体 药物的标准

行业标准-兵工民品，关于晶体 药物的标准

(美国)军事条例和规范，关于晶体 药物的标准

  • ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 晶体振荡器(XO):450千赫-100兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.05兆赫-10兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.0兆赫-85兆赫的高速互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.544赫兹-125兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为0.75赫兹-200兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1赫兹-100兆赫的1.8伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
  • ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器

美国电气电子工程师学会，关于晶体 药物的标准

  • IEEE Std 581-1978 金属-氮化物-氧化物场效应晶体管的 IEEE 标准定义、符号和表征

US-FCR，关于晶体 药物的标准

国家药监局，关于晶体 药物的标准

  • YY/T 1682-2019 脲原体/人型支原体培养及药物敏感检测试剂盒

其他未分类，关于晶体 药物的标准

  • BJS 201808 食品中5种α-受体阻断类药物的测定

美国压缩气体协会，关于晶体 药物的标准

  • CGA M-2-2013 归类为药物的医用气体生产通用指南

CEN - European Committee for Standardization，关于晶体 药物的标准

行业标准-环保，关于晶体 药物的标准

  • HJ 768-2015 固体废物 有机磷农药的测定 气相色谱法
  • HJ 912-2017 固体废物 有机氯农药的测定 气相色谱-质谱法

农业农村部，关于晶体 药物的标准

  • NY/T 3280.1-2018 病毒微生物农药 棉铃虫核型多角体病毒 第1部分：棉铃虫核型多角体病毒母药

澳大利亚标准协会，关于晶体 药物的标准

  • AS/NZS ISO 17632:2022 焊接材料 非合金钢和细晶粒钢气体保护和非气体保护金属电弧焊用管状药芯焊条 分类

行业标准-电子，关于晶体 药物的标准

  • SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法

美国材料与试验协会，关于晶体 药物的标准

  • ASTM F3267-22 用于液体化疗和其他液体危险药物的防护服标准规范
  • ASTM E2627-10 在完全再结晶的多晶体物质中使用电子背向反射衍射(EBSD)测定平均粒度的标准实施规程
  • ASTM E2125-01 苯环哌啶及其相似物的司法分析中微晶体测试的标准指南
  • ASTM E2125-07 苯环哌啶及其相似物的司法分析中微晶体测试的标准指南
  • ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
  • ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

国际电工委员会，关于晶体 药物的标准

  • IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于晶体 药物的标准

  • GB/T 30537-2014 超导电性 块状高温超导体的测量 大晶粒氧化物超导体的俘获磁通密度

国家军用标准-总装备部，关于晶体 药物的标准

  • GJB 772.305-1991 炸药试验方法 固体炸药爆轰产物多方指数的测定 自由表面速度法
  • GJB 8683.3-2015 烟火药物理参数试验方法 第3部分：药柱(块)密度测定 液体静力称量法

YU-JUS，关于晶体 药物的标准

ANSI - American National Standards Institute，关于晶体 药物的标准

  • Z80.7-1984 眼科 人工晶状体 光学和物理要求（VC；修订和重新指定的 OLA Z80.7）

国家质检总局，关于晶体 药物的标准

  • GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
  • GB/T 21173-2007 动物源性食品中磺胺类药物残留测定方法 放射受体分析法

工业和信息化部，关于晶体 药物的标准

  • SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

国家质量监督检验检疫总局，关于晶体 药物的标准

  • SN/T 4922-2017 进出口食用动物、饲料中磺胺类药物的测定 放射受体分析法

国家军用标准-国防科工委，关于晶体 药物的标准

  • GJB 5382.3-2005 烟火药物理参数试验方法.第3部分:药柱(块)密度测定.液体静力称量法

晶体药物，晶体 药物，晶体 晶体，晶体 晶体 衍射，晶体，晶体光学，晶体大小，晶体 元素，硅晶体，结构 晶体，晶体 结构，石英 晶体，极性 晶体，熔融 晶体，晶体 密度，晶体峰，晶体 数据，晶体 界面，晶体 取向，晶体 大小。

 

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EZ3500系列氯化物分析仪

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VOC检测仪拓服工坊 可检测爆炸物；危险样品

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TOFWERK中国-南京拓服工坊

 

智城 ZXGP-A2160 曲线控制十段编程隔水恒温箱 用于药物储存

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智城 ZXDR-2800 真彩触摸屏系列电热恒温箱 用于药物储存

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