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钛导电片
本专题涉及钛导电片的标准有381条。
国际标准分类中，钛导电片涉及到表面处理和镀涂、金属材料试验、导体材料、电子元器件综合、电线和电缆、电学、磁学、电和磁的测量、整流器、转换器、稳压电源、半导体分立器件、电工器件、轴和联轴器、橡胶和塑料制品、集成电路、微电子学、增强塑料、墨水、油墨、电阻器、印制电路和印制电路板、电影、电容器、核能工程、半导体材料、电子电信设备用机电元件、阀门、纺织机械、航空航天制造用材料、橡胶、绝缘流体、电气设备元件、频率控制和选择用压电器件与介质器件、电信设备用部件和附件、光纤通信、变压器、电抗器、电感器、滤波器、热力学和温度测量、无线通信。
在中国标准分类中，钛导电片涉及到金属物理性能试验方法、电工仪器、仪表综合、稀有高熔点金属及其合金、、裸电线、基础标准和通用方法、电力半导体器件、部件、连接器、电磁计量、电工材料和通用零件综合、其他橡胶制品、半导体集成电路、其他、纤维增强复合材料、电阻器、电容器、物理学与力学、电工合金零件、微电路综合、半导体分立器件综合、计算机应用、化合物半导体材料、阀门、纺织机械零部件、航空与航天用金属铸锻材料、橡胶制品综合、电工绝缘材料及其制品、电感器、变压器、元素半导体材料、织部机械与器具、半金属与半导体材料综合、电子测量与仪器综合、低压电器综合、半导体分立器件、波导同轴元件及附件、光通信设备、电工用钢、计算机设备、广播、电视发送与接收设备。
美国材料与试验协会，关于钛导电片的标准
- ASTM B999-15(2022) 导电和非导电基体上钛和钛合金电镀、钛和钛合金电沉积层的标准规范
- ASTM B999-15 钛和钛合金的标准规格镀钛 钛和钛合金在导电和非导电基板上的电沉积涂层
- ASTM B869-07(2013) 有线电视(CATV)停经片用包铜钢电导线的标准规格
- ASTM B869-07 共用天线电视(CATV)停经片用包铜钢电导线的标准规范
- ASTM E2584-07 用热电容(散热片)量热计测定材料导热性的标准实施规程
- ASTM F673-90(1996)e1 用非接触涡流仪测定半导体膜片的电阻率的标准试验方法
美国国防后勤局，关于钛导电片的标准
- DLA MIL-DTL-83528/13 F-2013 垫片材料、导电、屏蔽垫片、电子、弹性体、电气、EMI/RFI、波导
- DLA MS3322 REV B VALID NOTICE 2-2001 锁紧螺母垫片导电电插座连接器
- DLA MS3322 REV B VALID NOTICE 1-1991 锁紧螺母垫片导电电插座连接器
- DLA MS3322 REV B-1971 锁紧螺母垫片导电电插座连接器
- DLA QPL-83528-41 NOTICE 1-2008 垫片材料、导电、屏蔽垫片、电子、弹性体、EMI/RFI、通用规范
- DLA QPL-83528-QPD-2009 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，通用规范
- DLA QPL-83528-QPD-2011 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，通用规范
- DLA MIL-DTL-83528 D SUPP 1-2011 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，通用规范
- DLA MIL-DTL-83528 D-2011 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI 一般规范
- DLA QPL-83528-2012 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI 通用规范
- DLA MIL-DTL-83528 E SUPP 1-2012 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，通用规范
- DLA MIL-DTL-83528/4 F-2013 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，EMI/RFI，连接器法兰安装
- DLA QPL-83528-2013 垫片材料、导电、屏蔽垫片、电子、弹性体、EMI/RFI、通用规范
- DLA MIL-DTL-83528/8 E-2013 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，空心 P-STRIP
- DLA MIL-DTL-83528/11 E-2013 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，空心 O 型条
- DLA MIL-DTL-83528/9 E-2013 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，实心矩形条
- DLA MIL-DTL-83528/12 D-2013 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，电气，EMI/RFI，平面圆形垫圈
- DLA MIL-DTL-83528/3 E-2013 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，实心鎻异形条
- DLA MIL-DTL-83528/5 E-2013 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，O 型圈，非标准
- DLA MIL-DTL-83528/10 D-2013 垫片材料，导电，弹性体，电气，EMI/RFI，通道条
- DLA MIL-DTL-83528/6 E-2013 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，矩形，D 型横截面
- DLA A-A-59742-2002 表面安装低电阻功率芯片诱导体
- DLA MIL-DTL-83528/1 E-2013 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，圆形带，直径 0.040 至 0.250
- DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-DTL-83528/14 A VALID NOTICE 1-2012 垫片材料，导电，屏蔽垫片，电子，弹性体，EMI/RFI，用于 MIL-M-7793 涵盖的时间累加表
- DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 硅单片16位片状微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 硅单片六反相器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 硅单片四重虚拟开关,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-97543 REV C-2003 硅单片互补金属氧化物半导体,八角母线三状态接收器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA QPL-83528-41-2005 橡胶电子导电屏蔽垫片垫圈材料电磁干扰/射频干扰一般规格
- DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 硅单片异或门高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 硅单片总线控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 硅单片量值比较器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 硅单片,二维卷积器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 硅单片双重升计数器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 硅单片四重D锁存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 硅单片译码器-解码器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 互补金属氧化物半导体,超电压防护多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 硅单片,装有单片电可编程序只读存储器的16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-92284-1993 硅单片,精简指令集电脑微处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 硅单片,双重四重电流反馈扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体发生器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-06208-2006 硅单片数字信号处理机氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 硅单片,16比特微处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 硅单片时钟发生驱动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 硅单片3重3输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 硅单片双重4输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 硅单片双重4输入或栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94642-1994 硅单片,扩展多功能外围,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 硅单片,同步串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 硅单片,通用串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 数字互补金属氧化物半导体可编程电池排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 互补金属氧化物半导体微功率定相锁环硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BIT数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95525-1995 带电可消除编程分压计互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 硅单片3-8线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 硅单片可编程间隔计时器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 硅单片可编程序外围接口,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-79017-1979 硅单片通用异步接收器/发送器,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 硅单片,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 硅单片定点双信息处理器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 硅单片,低功率脉宽调制器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 硅单片,锁相环路文件,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
- DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 硅单片,高性能微型控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 硅单片,四重双向转换开关,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-08245 REV A-2011 微电路，存储器，数字，3.3 伏引导块闪存 EPROM，2M X 32 位，单片硅
- DLA SMD-5962-08245-2008 微电路，存储器，数字，3.3 伏引导块闪存 EPROM，2M X 32 位，单片硅
- DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 硅单片六位反相施密特触发电路,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 硅单片装有驱动器的高电平模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 互补金属氧化物半导体,双重单刀单掷(开关)硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 硅单片,电可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重与非门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 抗辐射互补金属氧化物半导体母线控制器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96786-1996 8-BIT双向互补金属氧化物半导体或转换器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95715-1996 数字的互补金属氧化物半导体时钟驱动器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 硅单片,两重4输入无门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 硅单片,两重2输入或门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 硅单片,三重3输入与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 硅单片10-4优先编码器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 硅单片四重三态R/S锁存器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 硅单片12级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 硅单片串联控制器接口,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 硅单片12比特二进制计数器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-03251-2004 硅单片解算器至数字变换器氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 硅单片,宽带增益可变扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89652-1990 硅单片,四冲双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89695-1990 硅单片,双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
- DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 硅单片,双重同步计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 硅单片,通用异步接收发送器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 硅单片,存储票接存取控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93008-1994 硅单片,16K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93109-1993 硅单片,高集成嵌入式处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 硅单片,96位浮点双口处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 硅单片,32K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89609 REV A-2006 硅单片,装有电控振荡器的锁相环路,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95521 REV B-2006 10,000 GATE可编程逻辑陈列互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 硅单片,电可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体二元比率乘数硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT闭锁装置硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重排外与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96671 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导,8-BIT优先编码器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体可编程定时器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,四重双向开关硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96816-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96822-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96825-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体16-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95824-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95610 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95611 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95612 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 硅单片,两重4输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 硅单片,两重2输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 硅单片,两重2输入正与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 硅单片可编程中断控制器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 硅单片,四重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 硅单片,两重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 硅单片,2K X 9先进先出型氧化物半导体,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 硅单片,4K X 9先进先出型氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 硅单片,视频多路复用器/扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94542-1994 硅单片,32位局域网络协处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94567-1996 硅单片,X 9时控先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
- DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 硅单片,双重低功率运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 硅单片,图象重采样序列发生器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 硅单片,I/O扩大的微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 硅单片,EE可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 硅单片数字数据处理器沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90518 REV A-1992 硅单片,可编程比特速率发生器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 硅单片,32位高集成微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 硅单片,8-16位并行接口/限时器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 硅单片,四重单刀双投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 硅单片,轨到轨四重运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 硅单片,四重单刀单投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-96696 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT交流电和直流电转换器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96645 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体四重低到高电压转换器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 数字的互补金属氧化物半导体可编程逻辑排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94733-1995 数字的互补金属氧化物半导体1200配置逻辑排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88652-1989 硅单片高速向前进行发电机高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96602 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体先入先出寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体四重排外或与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96617 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体18部静态寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96625 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体计数器或分配器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96632 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重互补缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96669 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重向上计数器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96682 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96684 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96708 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT数量比较器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95717-1995 数字的互补金属氧化物半导体八角母线接收器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96895-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜传播器接口硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96896-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜接收器接口硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97522 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97523 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97524 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97525 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95780 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95811 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
国家质检总局，关于钛导电片的标准
- GB/T 25897-2010 超导电性：铌-钛复合超导体剩余电阻比测定
- GB/T 21546-2008 铌钛复合超导体的直流临界电流测量
- GB/T 42835-2023 半导体集成电路 片上系统（SoC）
- GB/T 31293-2014 风电叶片用真空导入环氧树脂
- GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
- GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法
- GB/T 11441.2-2011 通信和电子设备用变压器和电感器铁心片 第2部分：软磁金属叠片最低磁导率规范
- GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- GB/T 42706.5-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分：芯片和晶圆
- GB/T 16525-2015 半导体集成电路 塑料有引线片式载体封装引线框架规范
- GB/T 20870.10-2023 半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序
行业标准-机械，关于钛导电片的标准
- JB/T 8223.8-1999 电工仪表用零部件.导电片
- JB/T 9687.1-1999 电力半导体器件用钼圆片
- JB/T 9687.2-1999 电力半导体器件用钨圆片
- JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片
- JB/T 8736-1998 电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片
英国标准学会，关于钛导电片的标准
- BS EN 61788-1:2007 超导性.临界电流测量.铌-钛复合超导体的直流临界电流
- BS PD IEC TR 63307:2020 噪声抑制片复相对磁导率和介电常数的测量方法
- BS EN 60747-16-10:2004 半导体器件.单片微波集成电路的技术验收程序(TAS)
- BS ISO 13435:2013 纺织机械和附件.电动断经自停装置用停经片导轨
- PD IEC TR 63307:2020 噪声抑制片复相对磁导率和介电常数的测量方法
- BS EN 61210:2011 连接装置 电气铜导体用片式快速插接件 安全性要求
- BS EN 61210:2010 连接装置.电气铜导体用片式快速插接件.安全性要求
中国团体标准，关于钛导电片的标准
- T/SHMHZQ 042-2022 电子产品用导热石墨片
- T/CECA 64-2021 多层片式瓷介电容器用贱金属导电浆料
- T/ANS 003-2020 磁约束核聚变装置用铌钛超导缆的电化学处理方法
- T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
IPC - Association Connecting Electronics Industries，关于钛导电片的标准
- IPC TM-650 5.5.4.11-1998 试片 J 和 K 导体电阻率
法国标准化协会，关于钛导电片的标准
- NF C31-800:1989 电机和仪器用导线.铌钛多股非绝缘超导电线的特性测量
- NF C31-888-1:2002 超导电性.第1部分:临界电流测量.铜/铌-钛复合超导体的直流临界电流
- NF C31-888-4:2012 超导性.第4部分:剩余电阻率测量.铌-钛复合超导体的剩余电阻率
- NF C31-888-1*NF EN 61788-1:2007 超导体.第1部分:临界电流测量.铌-钛复合超导体的临界直流电流
- NF C20-131:1974 用于铝导体的带导电涂层的铜或铝平接线片 规则和尺寸
- NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第9部分: 微机电系统硅片的硅片键合强度测试.
- NF C96-435-5*NF EN 62435-5:2017 电子元件 电子半导体器件的长期储存 第5部分 芯片和晶圆器件
- NF EN 62435-5:2017 电子元件 半导体电子器件的长期储存 第 5 部分 芯片器件和晶圆
- NF C31-888-10:2003 超导性.第10部分:临界温度测量.用电阻法测量铌-钛、铌<下标3>锡和铋-系统氧化物复合超导体的临界温度
日本工业标准调查会，关于钛导电片的标准
- JIS H 7301:2009 超导电性.第1部分:临界电流测量.铌-钛复合超导电体的直流临界电流
- JIS H 7301:1997 超导性.试验方法.第1部分:临界电流.第1部分:铜/铌-钛复合超导体
- JIS H 7311:2006 超导性.交流电损耗测量.铜/铌-钛多纤维复合材料磁滞损耗的磁强计测量法
CH-SNV，关于钛导电片的标准
- SEV 3034-1963 钢制导线管的双片电线夹
韩国科技标准局，关于钛导电片的标准
- KS C 6111-1997(2002) 铜/铌钛复合超导电流测量方法DC阈值
- KS C IEC 61788-4:2017 超导性第4部分:剩余电阻比测量铌钛复合超导体的剩余电阻比
- KS D 0406-2004 超导性·est·方法·art 1·临界电流·ection 1·C Cu/Nb-钛复合超导体的临界电流
- KS C IEC 62899-202-3:2021 印刷电子.第202-3部分:材料.导电油墨.导电膜片电阻的测量.非接触法
- KS D 0406-1999 超导性试验方法第1部分:临界电流第1节:铜铌钛复合超导体的直流临界电流
SAE - SAE International，关于钛导电片的标准
- SAE AMS4993-1982 用于 B-NUTS 6Al 4V 混合电源产品的钛合金压片
- SAE AS85049/130C-2016 连接器附件，电气垫片材料，导电/非导电，法兰安装，类别 7
- SAE AS85049/130A-2006 连接器附件，电气垫片材料，导电/非导电，法兰安装，类别 7
- SAE AS85049/130B-2011 连接器附件，电气垫片材料，导电/非导电，法兰安装，类别 7
- SAE AS85049/130-2004 连接器附件 电气垫片材料 导电/非导电 法兰安装 类别 7（FSC 5935）
- SAE AMS4993A-1988 用于 B-NUTS 6Al 4V 混合电源产品的钛合金压片（UNS R56400）
- SAE AS7928/5A-2008 端子、接线片和接头、导体、压接式、接头、电气（永久性、II 型、1 类）适用于 105 °C 总导体温度
国际电工委员会，关于钛导电片的标准
- IEC 61788-1:2006 超导性.第1部分:临界电流测量.铌-钛复合超导体的临界直流电流
- IEC 61788-1:1998 超导体 第1部分:临界电流测量 铜/铌-钛复合超导体的临界直流电流
- IEC 62899-202-3:2019 印刷电子.第202-3部分:材料.导电油墨.导电膜片电阻的测量.非接触法
- IEC 62951-6:2019 半导体器件.柔性和可拉伸的半导体器件.第6部分:柔性导电薄膜片电阻的试验方法
- IEC 62047-9:2011 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度测试
- IEC 62047-9:2011/COR1:2012 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度测试
- IEC TR 63307:2020 噪声抑制片复相对磁导率和介电常数的测量方法
- IEC 61210:2010 连接装置.电气铜导体用片式快速插接件.安全性要求
- IEC PAS 61338-1-5:2010 波导型电介质谐振器.第1-5部分:基本资料和试验条件.微波频率下导体层和电介质基片间接口传导性测量方法
- IEC 60740-2:1993 通信和电子设备用变压器和电感器用铁芯片 第2部分:软磁金属材料制铁芯片的最小磁导率规范
KR-KS，关于钛导电片的标准
- KS C IEC 61788-4-2017 超导性第4部分:剩余电阻比测量铌钛复合超导体的剩余电阻比
- KS C IEC 62899-202-3-2021 印刷电子.第202-3部分:材料.导电油墨.导电膜片电阻的测量.非接触法
RU-GOST R，关于钛导电片的标准
- GOST 21573-1976 带导磁片多片电磁离合器.基本参数及尺寸
- GOST 21574-1988 带导磁盘的多片电磁离合器.技术要求
- GOST R IEC 61210-1999 连接装置.电力铜导体的片式快速插接件.安全要求
美国机动车工程师协会，关于钛导电片的标准
- SAE AS85049/130C-2021 连接器附件，电气垫片材料，导电/非导电，法兰安装，类别 7
- SAE AS7928/1A_A1-2004 端子，接线片和接头，导体，压接式，铜端子，接线片，压接式，铜，绝缘，环形舌片，适用于薄壁电线，II 类 1 类，总导体温度为 150°C
- SAE AS7928/8-2013 端子、接线片和接头、导体、压接式、铜端子、接线片、压接式、铜、绝缘、环舌、用于薄壁电线、耐锡须、1 类 105 °C 总导体温度
- SAE AS7928/8B-2021 端子、接线片和接头、导体、压接式、铜端子、接线片、压接式、铜、绝缘、环舌、用于薄壁电线、耐锡须、1 类 105 °C 总导体温度
- SAE AS7928/6_A1-2004 端子、接线片和接头、导体、压接式、接头、电气、（永久性、II 型、1 类）用于 150°C 总导体温度
- SAE AS7928/5D-2022 端子、接线片和接头、导体、压接式、接头、电气（永久性、II 型、1 类）适用于 105 °C 总导体温度
- SAE AS7928/5A-2013 端子、接线片和接头、导体、压接式、接头、电气（永久性、II 型、1 类）适用于 105 °C 总导体温度
- SAE AS7928/5C-2021 端子、接线片和接头、导体、压接式、接头、电气（永久性、II 型、1 类）适用于 105 °C 总导体温度
- SAE AS7928/10D-2023 端子、接线片和接头、导体、压接式、接头、电气、耐锡须（永久、II 型、1 类） 导体总温度为 105 °C
- SAE AS7928/1E-2021 端子、接线片和接头、导体、压接式、铜端子、接线片、压接式、铜、绝缘、环舌、适用于薄壁电线、II 类 1 类适用于 105°C 总导体温度
- SAE AS7928/8C-2023 端子、接线片和接头、导体、压接式铜端子、接线片、压接式、铜质、绝缘、环舌、适用于薄壁电线、耐锡须、II 类 1 类、总导体温度为 105 °C
行业标准-化工，关于钛导电片的标准
- HG/T 2295-1992 彩色电视机用导热橡胶垫片
化学工业部，关于钛导电片的标准
- HG 2295-1992 彩色电视机用导热橡胶垫片
欧洲电工标准化委员会，关于钛导电片的标准
- EN 61788-1:2007 超导性.第1部分:临界电流测量.铜/铌-钛复合超导体的直流临界电流
- EN 62047-9:2011 半导体器件.微型电机装置.第9部分:微型电机系统(MEMS)硅片的硅片键合强度测试
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于钛导电片的标准
- EN 61788-1:1998 超导性.第1部分:临界电流测量.铜/铌-钛复合超导体的直流临界电流
国家军用标准-总装备部，关于钛导电片的标准
- GJB 8492-2015 航空K型热电偶用铜钛-铜镍补偿导线规范
美国航空工业协会，关于钛导电片的标准
- AIA NAS 4122-1996 散热片，电气电子元件，半导体器件，挤压
- AIA NAS 4119-1996 散热片、电气-电子元件、半导体器件、压接型
- AIA NAS 4121-1996 散热片、电气电子元件、半导体器件、成型 FSC 5999
- AIA NAS 4118-1996 散热片、电气-电子元件、半导体设备、固定夹类型
ES-UNE，关于钛导电片的标准
- UNE-EN 61788-1:2007 超导 第1部分：临界电流测量 铌钛复合超导体的直流临界电流 （IEC 61788-1:2006）
- UNE-EN 62258-5:2006 半导体芯片产品 第5部分：有关电气模拟的信息要求
- UNE-EN 62435-5:2017 电子元件 电子半导体器件的长期存储 第5部分：芯片和晶圆器件
行业标准-电子，关于钛导电片的标准
- SJ/T 11742-2019 印制电路用导热非预浸半固化片
- SJ/T 11822-2022 贴片单体导电硅胶弹性按键详细规范
- SJ/T 11856.3-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片
- SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
国际标准化组织，关于钛导电片的标准
- ISO 4241:1978 电影技术.35mm和16mm发行版的导片和放映预告片.规范
- ISO 4241:2019 电影摄影.预告片和提示标志处的放映影片引导器（基于时间的）.规范
- ISO 13435:2011 纺织机械和附件.电动断经自停装置用停经片导轨
贵州省地方标准，关于钛导电片的标准
- DB52/T 806-2013 CA551型导电高分子聚合物电解质片式钽电容器
AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc.，关于钛导电片的标准
- NAS4118-1996 散热片 电气-电子元件 半导体设备 固定夹型
- NAS4120-1996 散热片 电气-电子元件 半导体器件 封装型 TO-5
- NAS4121-2012 散热片 电气 电子元件 半导体器件 成型（修订版 1）
美国航空工业协会/国家航天工业标准，关于钛导电片的标准
- AIA/NAS NAS4120-2012 散热片，电气，电子元件，半导体器件，封装型，TO-5
- AIA/NAS NAS4121-2012 散热片、电气、电子元件、半导体器件、成型（修订版 1）
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于钛导电片的标准
- GB/T 35010.5-2018 半导体芯片产品 第5部分：电学仿真要求
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于钛导电片的标准
- IEEE 1302-1998 直流至 18 GHz 频率范围内导电垫片的电磁特性指南
- IEEE 1302-2008 直流至 18 GHz 频率范围内导电垫片的电磁特性指南
- IEEE P1302/D2-2019 直流至 40 GHz 频率范围内导电垫片的电磁特性指南草案
- IEEE P1302/D3-2019 直流至 40 GHz 频率范围内导电垫片的电磁特性指南草案
德国标准化学会，关于钛导电片的标准
- DIN EN 61788-1:2007 超导性.第1部分:临界温度测量.铜/铌-钛复合超导体的直流临界电流(IEC 61788-1:2006)
- DIN IEC 60740-2 Berichtigung 1:2018-12 电信和电子设备用变压器和电感器叠片第2部分：软磁金属材料叠片最小磁导率规范
- DIN 64580-1:2002 纺织机械和附件.停经片导轨.第1部分:电动断经自停装置用导轨
- DIN 50445:1992 半导体工艺材料检验.用涡流法无接触测定电阻率.均匀掺杂半导体片
- DIN 50435:1988 半导体材料试验:采用四探针/直流法测量硅片和锗片电阻率的径向变化
- DIN 50448:1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
- DIN IEC 60740-2:1995-08 电信和电子设备用变压器和电感器叠片 - 第 2 部分：软磁金属材料叠片最小磁导率规范 (IEC 60740-2:1993)
- DIN EN 62258-5:2007-02 半导体芯片产品 第5部分：有关电气模拟的信息要求
- DIN ISO 13435:2012 纺织机械及附件. 电动断经自停装置用停经片导轨(ISO 13435-2011)
- DIN EN 62047-9:2012 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度试验(IEC 62047-9-2011).德文版本 EN 62047-9-2011
- DIN EN 60747-16-10:2005 半导体器件.第16-10部分:单片微波集成电路的技术验收计划
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于钛导电片的标准
- GB/T 25897-2020 剩余电阻比测量 铌-钛（Nb-Ti）和铌三锡（Nb3Sn）复合超导体剩余电阻比测量
美国电气电子工程师学会，关于钛导电片的标准
- IEEE 1302-2019 直流至 40 GHz 频率范围内导电垫片电磁特性的 IEEE 指南
- IEEE Std 1302-2019 直流至 40 GHz 频率范围内导电垫片电磁特性的 IEEE 指南
- IEEE Unapproved Draft Std P1302_D7.02, Dec 2007.pdf DC 至 18 Ghz 频率范围内导电垫片电磁特性 IEEE 草案指南
- SMPTE RP 25:2011 RP 25:2011 SMPTE 推荐做法 电影胶片中的音频和图片同步与模拟磁记录和照片记录的电视和戏剧演示相关的领导者
- SMPTE ST 301:2005 ST 301:2005 - SMPTE 标准 - 电影 - 剧院投影引导线、预告片和提示标记
- ST 301:2005 ST 301:2005 SMPTE 标准 电影 剧院投影引导线、预告片和提示标记
SE-SIS，关于钛导电片的标准
- SIS SS CECC 00013-1985 基本规范．半导体芯片的扫描电子显微镜观察
(美国)军事条例和规范，关于钛导电片的标准
- ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
- ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
PT-IPQ，关于钛导电片的标准
- NP 3081-1985 电子元件．微电子扫描中的半导体芯片检验，基础规格说明
PL-PKN，关于钛导电片的标准
- PN E93606-1969 船载电气设备中的导体的金属密封压盖．船载电气设备．垫片板
PH-BPS，关于钛导电片的标准
- PNS IEC 62435-5:2021 电子元件.电子半导体器件的长期存储.第5部分：芯片和晶圆器件
