HIT电池结构和原理
HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的缩写，意为本征薄膜异质结，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，当时转换效率可达到14．5％（4mm2的电池），后来在三洋公司的不断改进下，三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25．6％。2015年三洋的HITZL保护结束，技术壁垒消除，是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。
下图是HIT太阳能电池的基本构造，其特征是以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。
在电池正表面，由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动，空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p＋型非晶硅，构成空穴传输层。同样，在背表面，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，而电子可以隧穿后通过高掺杂的n＋型非晶硅，构成电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层，使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出，从而实现两者的分离。
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