ASTM E673-03
与表面分析相关的标准术语

Standard Terminology Relating to Surface Analysis

2012-01

哪些标准引用了ASTM E673-03

 

ASTM E1016-07(2020) 文献描述静电电子光谱仪性质的标准指南ASTM E1880-12(2020) SIMS组织冷冻分析标准实践ASTM E984-12(2020) 识别俄歇电子能谱中化学效应和基质效应的标准指南ASTM E1881-12(2020) SIMS细胞培养分析标准指南ASTM E1217-11(2019) 用于确定在俄歇电子能谱仪和一些X射线光电子能谱仪中检测到的信号的样品区域的标准实践ASTM E1504-11(2019) 二次离子质谱法(SIMS)中质谱数据报告的标准实施规程ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程ASTM E1634-11(2019) 溅射坑深度测量的标准指南ASTM E1438-11(2019) 用SIMS测量溅射深度剖面中界面宽度的标准指南ASTM E1635-06(2019) 二次离子质谱(SIMS)中成像数据报告的标准实施规程ASTM E983-19 俄歇电子光谱法中最小化不需要的电子束效应的标准指南ASTM E2426-10(2019) 用SIMS测量同位素比测定脉冲计数系统死区时间的标准实施规程ASTM E1508-12a(2019) 用能量分散能谱学作定量分析的标准指南ASTM E2734/E2734M-10(2018) 刀刃法兰尺寸标准规格ASTM E2108-16 X射线光电子能谱仪的电子结合能量标尺的标准实践ASTM E995-16 俄歇电子光谱和X射线光电子能谱背景减法技术标准指南GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法ISO 14606:2015 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法ASTM E1523-15 X射线光电子能谱法中电荷控制和电荷参考技术的标准指南ASTM E1508-12a 用能量分散能谱学作定量分析的标准指南ASTM E1881-12 用次级离子质谱法 (SIMS) 对细胞培养分析的标准指南ASTM E1880-12 用次级离子质谱法 (SIMS) 进行组织低温截面分析的标准实施规程ASTM E984-12 用俄歇电子能谱法鉴别化学效应和基体效应的标准指南ASTM E1162-11 报告次级离子质谱分析法(SIMS)中溅深深度文件数据的标准操作规程ASTM E1634-11 测量溅射坑深度的标准指南ASTM E1438-11 使用SIMS测量溅镀深度剖面接口宽度的标准指南ASTM E995-11 在俄歇电子能谱和X射线光电子能谱中应用背景消除技术的标准指南ASTM E1577-11 用于表面分析的离子束参数报告的标准指南ASTM E1217-11 用X射线光电子光谱仪和俄歇电子光谱仪测定影响检测信号样品面积的标准操作规程ASTM E1504-11 次级离子质谱分析法中报告质谱数据的标准操作规程ASTM E996-10 俄歇电子光谱仪和X射线光电子能谱的报告数据的标准规程ASTM E1636-10 用扩展的逻辑函数描述深度剖面和行扫描剖面数据的标准实施规程ASTM E983-10 在俄歇电子谱法中测定化学效应和基质效应的标准指南ASTM E2426-10 通过用次级离子质谱法测量同位素比率对脉冲计算系统死时间测定的标准实施规程ASTM E2734/E2734M-10 刀口法兰的尺寸用标准规范GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法ASTM E2695-09 用飞行时间二次离子质谱法说明质谱数据获取的标准指南ASTM E1127-08(2015) 俄歇电子能谱学中的深度压形的标准指南ASTM E827-08 对奥格电子光谱法的基本识别方法ASTM E1016-07(2012)e1 静电电子分光仪性能描述文献的标准指南ASTM E1635-06(2011) 次级离子质谱法(SIMS)成像数据报告标准规程ASTM E1880-06 用次级离子质谱法(SIMS)进行组织低温截面分析的标准实施规程ASTM E1438-06 用次级离子质谱法(SIMS)测量深度掺杂分布界面宽度标准指南ASTM E1881-06 用次级离子质谱法(SIMS)进行细胞培养分析的标准指南ASTM E2108-05 X-射线光电分光仪的电子结合能刻度表校准的标准实施规程ASTM E902-05 检查X射线光电子光谱仪的操作特性的标准实施规程ASTM E995-04 螺旋电子光谱法和X射线光电光谱法中减去背景技术的标准指南ASTM E684-04 固体表面溅射深度仿形加工用大直径离子束的电流密度近似测定的标准规程ASTM E1636-04 用扩展的逻辑函数分析描述溅射深度剖面接口数据的标准规程ASTM E1577-04 用于表面分析的离子束参数报告的标准指南ASTM E1127-03 螺旋电子光谱法的深度剖面的标准指南ASTM E1508-98(2008) 用能量分散能谱学作定量分析的标准指南ASTM F1894-98(2011) 定量分析硅化钨半导体加工膜组分和厚度的标准试验方法ASTM F1894-98(2003) 定量分析硅化钨半导体加工膜组分和厚度的标准试验方法ASTM F1617-98 用次级离子质谱测定法(SIMS)测定表面钠,铝,钾-硅和EPI衬底的标准试验方法ASTM E684-95(2000) 固体表面溅射深度仿形加工用大直径离子束的电流密度近似测定的标准规程ASTM E1505-92(2001) 根据离子移植外标物测定 SIMS 有关敏感因素的标准指南ASTM F1617-98(2002) ASTM F1617-98(2002)ASTM F2139-01 ASTM F2139-01ASTM E1015-90 ASTM E1015-90
ASTM E673-03

标准号
ASTM E673-03
发布
2003年
发布单位
美国材料与试验协会
当前最新
ASTM E673-03
 
 
1.1 该术语与表面分析涉及的各个学科相关。 1.2 列出的定义适用于 (a) 俄歇电子能谱 (AES)、(b) X 射线光电子能谱 (XPS)、(c) 离子散射能谱 ( ISS)、(d)二次离子质谱(SIMS)和(e)高能离子分析(EIA)。

谁引用了ASTM E673-03 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号