注入式激光器的结构及原理
它的主体是一个正向偏置的p-n结，当电流密度超过阈值时，注入载流子（电子和空穴）在p-n结结区通过受激辐射复合，产生激光。其工作特性和输出特性受温度影响极大，故备有冷却系统。
最早的同质结型砷化镓（GaAs）半导体激光器，在一块经过加工的砷化镓单晶体的上、下两面上（p型与n型砷化镓）分别焊上电极，组成谐振腔的两端面要平行，并经过研磨抛光，甚至涂膜，以增加反射，也可以直接利用平行的平坦晶面（自然解理面）组成谐振腔。
砷化镓的折射率约为3.6，在半导体与空气的分界面上反射率高于30%，因此，它可提供光反馈作用，使激光振荡能够产生，激光波长约为9040Å。
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