金 溅射
本专题涉及金 溅射的标准有76条。
国际标准分类中，金 溅射涉及到长度和角度测量、有色金属、分析化学、真空技术、有色金属产品、术语学(原则和协调配合)、半导体材料、电子显示器件、电学、磁学、电和磁的测量、消防、杀虫剂和其他农用化工产品、粒度分析、筛分、无损检测、表面处理和镀涂、电子管、流体系统和通用件、泵。
在中国标准分类中，金 溅射涉及到基础标准与通用方法、轻金属及其合金、基础标准与通用方法、真空技术与设备、电子光学与其他物理光学仪器、贵金属及其合金、、稀有高熔点金属及其合金、、、金属物理性能试验方法、化学助剂基础标准与通用方法、稀有轻金属及其合金、重金属及其合金、金属无损检验方法、化学、物理学与力学、电磁计量、农药、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、、电真空器件综合、半导体分立器件综合、电子技术专用材料、半金属与半导体材料综合、光学计量仪器、其他生产设备、泵、加工专用设备。
国家质检总局，关于金 溅射的标准
- GB/T 31227-2014 原子力显微镜测量溅射薄膜表面粗糙度的方法
- GB/T 29658-2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材
- GB/T 29557-2013 表面化学分析 深度剖析 溅射深度测量
- GB/T 25755-2010 真空技术.溅射离子泵.性能参数的测量
- GB/T 20175-2006 表面化学分析.溅射深度剖析.用层状膜系为参考物质的优化方法
国际标准化组织，关于金 溅射的标准
- ISO 14606:2022 表面化学分析.溅射深度轮廓.使用分层系统作为参考材料的优化
- ISO/TR 15969:2021 表面化学分析 - 深度分析 - 溅射深度的测量
- ISO 22415:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.有机材料氩团簇溅射深度剖面测定屈服体积的方法
- ISO 14606:2015 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法
- ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- ISO/TR 15969:2001 表面化学分析 深度描述 溅射深度测量
- ISO/TS 13762:2001 粒度分析 小角度X射线溅射法
- ISO 14606:2000 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法
工业和信息化部，关于金 溅射的标准
- YS/T 1555-2022 铂钴铬硼合金溅射靶材
- YS/T 1358-2020 磁记录用铁钴钽合金溅射靶材
- YS/T 1357-2020 磁记录用铬钽钛合金溅射靶材
- YS/T 1124-2016 磁性溅射靶材透磁率测试方法
中国团体标准，关于金 溅射的标准
- T/ICMTIA TG0011-2022 集成电路用高纯铝及铝合金溅射靶材
- T/ZZB 1790-2020 铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备
- T/ZZB 0093-2016 集成电路用高纯钛溅射靶材
美国材料与试验协会，关于金 溅射的标准
- ASTM E1634-11(2019) 溅射坑深度测量的标准指南
- ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
- ASTM E1438-11(2019) 用SIMS测量溅射深度剖面中界面宽度的标准指南
- ASTM F1709-97(2016) 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范
- ASTM E1634-11 测量溅射坑深度的标准指南
- ASTM F2113-01(2007) 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南
- ASTM E1162-06 报告次级离子质谱法(SIMS)中溅射深度截面数据的标准实施规程
- ASTM E1636-04 用扩展的逻辑函数分析描述溅射深度剖面接口数据的标准规程
- ASTM E684-04 固体表面溅射深度仿形加工用大直径离子束的电流密度近似测定的标准规程
- ASTM E1634-02(2007) 溅射焰口深度测量标准导则
- ASTM E1634-02 溅射焰口深度测量标准导则
- ASTM F2113-01 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南
- ASTM F1512-94(1999) 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法
- ASTM F1512-94(2003) 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法
- ASTM F1367-98(2011) 薄膜设备用铬溅射极的标准规范
- ASTM F1709-97(2002) 电子薄膜用高纯度钛溅射靶机的标准规范
- ASTM F1709-97(2008) 电子薄膜用高纯度钛溅射靶机的标准规范
- ASTM F1709-97 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范
- ASTM F1238-95(2011) 微电子设备用耐熔硅化物溅射电极的标准规范
- ASTM F1238-95(2003) 微电子设备用耐熔硅化物溅射电极
- ASTM E1634-94(1999) 溅射焰口深度测量标准导则
- ASTM F1512-94(2011) 溅射目标垫板部件的超声波C扫描粘结评估的标准操作规程
- ASTM E1438-91(2001) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
- ASTM E1438-91(1996) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
- ASTM E1162-87(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
- ASTM E1162-87(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
英国标准学会，关于金 溅射的标准
- BS ISO 14606:2015 表面化学分析.溅射深度剖面测定.采用作为参考材料的成层系统最优化
- BS ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- BS ISO 14606:2001 表面化学分析.溅射深度剖面测定.采用作为参考材料的成层系统最优化
- BS ISO 14606:2000 表面化学分析.溅射深度剖面测定.采用作为参考材料的成层系统最优化
行业标准-有色金属，关于金 溅射的标准
- YS/T 1025-2015 电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材
- YS/T 1024-2015 溅射用钽靶材
- YS/T 935-2013 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南
- YS/T 893-2013 电子薄膜用高纯钛溅射靶材
- YS/T 819-2012 电子薄膜用高纯铜溅射靶材
- YS/T 837-2012 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法
，关于金 溅射的标准
- GOST 5.1807-1973 GIN-0.5-1M型离子溅射泵.认证产品质量要求
- GOST 5.413-1970 BP-150供电的粒状冷却二极管型离子溅射泵NMDO-01-01(NORD-100).认证产品质量要求
行业标准-机械，关于金 溅射的标准
- JB/T 4081-2011 真空技术 溅射离子泵
- JB/T 8945-2010 真空溅射镀膜设备
- JB/T 8945-1999 真空溅射镀膜设备
- JB/T 2965-1992 溅射离子泵性能测试方法
- JB/T 4081-1991 溅射离子泵.型式与基本参数
- JB/T 4082-1991 溅射离子泵.技术条件
法国标准化协会，关于金 溅射的标准
- NF X21-062-2008 表面化学分析.溅射深度剖析.层状膜系作为参考物质的优化方法
韩国标准，关于金 溅射的标准
- KS D ISO 14606:2003 表面化学分析.溅射深度剖面测定.作为参考材料的层系统最优化
德国标准化学会，关于金 溅射的标准
- DIN 28429-2003 真空技术.溅射离子泵验收规范
行业标准-电子，关于金 溅射的标准
- SJ 1779-1981 普通二极型溅射离子泵.参数系列
- SJ 1780-1981 普通二极型溅射离子泵.技术条件
- SJ 1781-1981 溅射离子泵.试验方法
- SJ/T 31066-1994 3180型溅射台完好要求和检查评定方法
澳大利亚标准协会，关于金 溅射的标准
- AS ISO 14606:2006 表面化学分析．溅射深度剖析．用层状膜系为参考物质的优化方法
