钛碳化硅

本专题涉及钛碳化硅的标准有312条。

国际标准分类中，钛碳化硅涉及到金属材料试验、有色金属产品、切削工具、航空器和航天器综合、分析化学、航空航天制造用材料、耐火材料、半导体材料、建筑物的防护、电阻器、空气质量、电击防护、家用、商用和工业用加热器具、半导体分立器件、非金属矿、陶瓷、道路车辆综合、导体材料、密封件、密封装置、化工设备、电气工程综合、复合增强材料、能源和热传导工程综合、增强塑料、牙科、热力学和温度测量、职业安全、工业卫生、输电网和配电网。

在中国标准分类中，钛碳化硅涉及到金属物理性能试验方法、轻金属及其合金、家具综合、磨料与磨具、半金属及半导体材料分析方法、航空与航天用非金属材料、化学、耐火材料综合、金属无损检验方法、化合物半导体材料、特种耐火材料、避雷器、耐火材料用设备、敏感元器件及传感器、硅质耐火材料、劳动卫生、、、、、、、、、、密封与密封装置、化工综合、、非金属化工机械设备、、半导体分立器件综合、特种陶瓷、、、、、、炭素材料、冶金辅助原料矿、、陶瓷、玻璃综合、、有毒害固体废弃物控制标准、不定型耐火材料、建筑卫生陶瓷、口腔科器械、设备与材料、炭素材料综合、半金属与半导体材料综合、氧化物、单质、技术管理、温度与压力仪表、生产环境安全卫生设施、实验室用玻璃、陶瓷、塑料器皿、无机化工原料综合、商业、贸易、合同、、、电阻器、低压配电电器、特殊炭素材料。


国家质检总局，关于钛碳化硅的标准

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于钛碳化硅的标准

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于钛碳化硅的标准

中国团体标准，关于钛碳化硅的标准

美国材料与试验协会，关于钛碳化硅的标准

  • ASTM C863-00(2022) 评估高温下碳化硅耐火材料抗氧化性的标准试验方法
  • ASTM C1835-16 纤维增强碳化硅 - 碳化硅（SiC-SiC）复合结构的标准分类
  • ASTM C1835-2016 纤维增强碳化硅-碳化硅 (SiC-SiC) 复合结构的标准分类
  • ASTM C1793-15 用于核应用的纤维增强碳化硅 - 碳化硅复合结构规范开发标准指南
  • ASTM C1793-2015 制定核应用设施纤维增强型碳化硅-碳化硅复合材料结构规格的标准指南
  • ASTM C863-00(2010) 评估碳化硅耐火材料在高温下的耐氧化性的标准试验方法
  • ASTM C863-00(2005) 评估碳化硅耐火材料在高温下的耐氧化性的标准试验方法
  • ASTM C863-00 评估碳化硅耐火材料在高温下的耐氧化性的标准试验方法
  • ASTM C863-2000(2016) 评估高温碳化硅耐火材料抗氧化性的标准试验方法
  • ASTM C863-2000 高温时评定碳化硅耐火材料抗氧化性的标准试验方法
  • ASTM C863-2000(2010) 高温时评定碳化硅耐火材料抗氧化性的标准试验方法
  • ASTM C863-2000(2005) 高温时评定碳化硅耐火材料抗氧化性的标准试验方法
  • ASTM E1718-1995 碳化硅金属须工作区域的管理与技术控制标准规范
  • ASTM E1718-1995(2004) 碳化硅金属须工作区域的管理与技术控制标准规范
  • ASTM C863-00(2016) 评估碳化硅耐火材料在高温下的耐氧化性的标准试验方法

国际电工委员会，关于钛碳化硅的标准

  • IEC 63275-2-2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
  • IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
  • IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
  • IEC 63275-1-2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
  • IEC 63229-2021 半导体器件.碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类
  • IEC 63229:2021 半导体器件.碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类
  • IEC 63068-3-2020 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分:用光致发光法检测缺陷的试验方法
  • IEC 63068-3:2020 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分:用光致发光法检测缺陷的试验方法
  • IEC 63068-2-2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第2部分:光学检验缺陷的试验方法
  • IEC 63068-1-2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分:缺陷分类
  • IEC 63068-1:2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分:缺陷分类
  • IEC 63068-2:2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第2部分:光学检验缺陷的试验方法
  • IEC 61051-2-1-1991 电子设备用可变电阻器.第2部分第1节:碳化硅浪涌抑制可变电阻的空白详细规范.E级评定

国际标准化组织，关于钛碳化硅的标准

  • ISO 9286-2021 磨粒和粗磨粒.碳化硅的化学分析
  • ISO 16169:2018 用ISO 12677 X射线荧光法（XRF）制备分析用碳化硅和类似材料-熔铸珠法
  • ISO 21068-2-2008 含有碳化硅原材料和耐火制品的化学分析.第2部分:点火、总碳、单体碳和碳化硅、总二氧化硅和游离二氧化硅及总硅和游离硅减少的测定
  • ISO 21068-3-2008 含有碳化硅原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮、氧和金属及氧化成分的测定
  • ISO 21068-1-2008 含有碳化硅原材料和耐火制品的化学分析.第1部分:一般信息和试样制备
  • ISO 21068-3:2008 含碳化硅原料和耐火材料的化学分析第3部分:氮、氧、金属和氧化成分的测定
  • ISO 21068-1:2008 含碳化硅原料和耐火产品的化学分析第1部分:一般信息和样品制备
  • ISO 21068-2:2008 含碳化硅原材料和耐火材料的化学分析第2部分:着火损失、总碳、游离碳和碳化硅、总硅和游离硅以及总硅和游离硅的测定
  • ISO 9286:1997 磨粒和粗粉煤灰；碳化硅的化学分析
  • ISO 9286-1997 磨料粒度 碳化硅的化学分析

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于钛碳化硅的标准

  • JEDEC JEP184-2021 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南

工业和信息化部，关于钛碳化硅的标准

海关总署，关于钛碳化硅的标准

行业标准-化工，关于钛碳化硅的标准

河北省市场监督管理局，关于钛碳化硅的标准

陕西省市场监督管理局，关于钛碳化硅的标准

工业和信息化部/国家能源局，关于钛碳化硅的标准

  • JB/T 13309-2017 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅内衬与钢壳复合装置

安徽省市场监督管理局，关于钛碳化硅的标准

，关于钛碳化硅的标准

  • UNI 7609-1976 弹性磨料生产用合成钢玉研磨颗粒和碳化硅研磨颗粒．分级和允许限度
  • UNI 7610-1976 弹性磨料生产用合成钢玉研磨颗粒和碳化硅研磨颗粒．分级和允许限度

德国标准化学会，关于钛碳化硅的标准

  • DIN EN 15991-2016 陶瓷原料和基本材料的试验.电热蒸发(ETV)电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数;德文版本EN 15991-2015
  • DIN EN 15991-2011 陶瓷原料和基本材料的试验.电热蒸发(ETV)电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数;德文版
  • DIN EN 15979-2011 陶瓷原料和基本材料的测试.直流电弧激发发射光谱法直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数;德文版本EN 15979-2011
  • DIN EN ISO 21068-1-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第1部分:一般信息和样品制备
  • DIN EN ISO 21068-3-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮、氧和金属及氧化成分的测定
  • DIN EN ISO 21068-2-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第2部分:点火、总碳、单体碳和碳化硅、总二氧化硅和游离二氧化硅及总硅和游离硅减少的测定(ISO 21068-2-2008).英文版本DIN EN ISO 21068-2-2008
  • DIN 51096-2008 陶瓷原材料和基本材料的测试.用感应耦合等离子体光学发射光谱测定法(ICP OES)和电热蒸馏器(ETV)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质的质量分率
  • DIN 51088-2007 陶瓷原料和基本材料的测试.用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率
  • DIN EN 12698-1-2007 氮化物结合碳化硅耐火材料的化学分析.第1部分:化学法
  • DIN EN 12698-2-2007 氮化物结合碳化硅耐火材料的化学分析.第2部分:X射线衍射(XRD)法
  • DIN 51079-2-2004 陶瓷材料的检验.作为原材料和材料成分的碳化硅的化学分析.第2部分:用酸进行的压力分解
  • DIN 51079-1-2004 陶瓷材料的检验.作为原材料和材料成分的碳化硅的化学分析.第1部分:用碳酸钠和硼酸分解
  • DIN ISO 9286-1998 磨料粒度.碳化硅的化学分析
  • DIN 51076-1-1991 陶瓷材料的检验.作为原材料的主要成份或次要成份的碳化硅的化学分析.用氧化成份和粘合料测定原料中碳化硅含量
  • DIN 51075-2-1984 陶瓷材料的检验.碳化硅的化学分析.游离碳含量的直接测定
  • DIN 51075-4-1982 陶瓷材料的检验.碳化硅的化学分析.游离硅含量的测定
  • DIN 51075-3-1982 陶瓷材料的检验.碳化硅的化学分析.总含碳量的测定
  • DIN 51075-1-1982 陶瓷材料的检验.碳化硅的化学分析.试样的制备和碳化硅含量的计算
  • DIN 51075-5-1982 陶瓷材料的检验.碳化硅的化学分析.游离碳含量的直接测定

英国标准学会，关于钛碳化硅的标准

  • BS EN 15991-2015 陶瓷原料和基本材料的测试.电热蒸发(ETV)电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数
  • BS EN 15991-2015 陶瓷原料和基本材料的测试.电热蒸发(ETV)电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数
  • BS EN 15979-2011 陶瓷原料和基本材料的测试.直流电弧激发发射光谱法直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数
  • BS EN 15991-2011 陶瓷原料和基本材料的测试.电热蒸发(ETV)电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数
  • BS EN ISO 21068-1-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.一般信息和样品制备
  • BS EN ISO 21068-2-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.点火、总碳、单体碳和碳化硅、总二氧化硅和游离二氧化硅及总硅和游离硅减少的测定
  • BS EN ISO 21068-3-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.氮、氧和金属及氧化成分的测定
  • BS EN 12698-2-2007 和碳化硅耐熔制品结合的氮化物的化学分析.射线衍射(XRD)法
  • BS EN 12698-1-2007 和碳化硅耐熔制品结合的氮化物的化学分析.化学方法
  • BS ISO 9286-1997 磨料颗粒和粗料.碳化硅的化学分析

欧洲标准化委员会，关于钛碳化硅的标准

  • EN 15991-2015 陶瓷和基本材料的检验.通过电感耦合等离子体光学发射光谱法(ICP OES)与电热汽化(ETV)的粉末和碳化硅的颗粒杂质质量分数的直接测定
  • EN 15991-2015 陶瓷和基本材料的检验.通过电感耦合等离子体光学发射光谱法(ICP OES)与电热汽化(ETV)的粉末和碳化硅的颗粒杂质质量分数的直接测定
  • EN 15979-2011 陶瓷原料和基本材料的测试.直流电弧激发发射光谱法直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数
  • EN 15991-2011 陶瓷原料和基本材料的测试.电热蒸发(ETV)电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数
  • EN ISO 21068-3-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮,氧和金属及氧化成分的测定
  • EN ISO 21068-1-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第1部分:一般信息和样品制备
  • EN ISO 21068-2-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第2部分:点火,总碳,单体碳和碳化硅,总二氧化硅和游离二氧化硅及总硅和游离硅减少的测定
  • EN 12698-1-2007 和碳化硅耐熔制品结合的氮化物的化学分析.第1部分:化学方法
  • EN 12698-2-2007 氮化物结合碳化硅耐火材料的化学分析.第2部分:X射线衍射(XRD)法

甘肃省质量技术监督局，关于钛碳化硅的标准

行业标准-建材，关于钛碳化硅的标准

行业标准-电子，关于钛碳化硅的标准

国家军用标准-总装备部，关于钛碳化硅的标准

  • GJB 8131-2013 氮化铝基碳化硅 复合微波电子衰减材料规范

行业标准-机械，关于钛碳化硅的标准

行业标准-黑色冶金，关于钛碳化硅的标准

  • YB/T 4349-2013 高炉用碳化硅-碳质捣打料
  • YB/T 174.4-2000 氮化硅结合碳化硅制品化学分析方法.邻二氮杂菲光度法测定三氧化二铁量
  • YB/T 175-2000 金刚砂中碳化硅的测定
  • YB/T 174.3-2000 氮化硅结合碳化硅制品化学分析方法.钼蓝光度法测定游离硅量
  • YB/T 174.2-2000 氮化硅结合碳化硅制品化学分析方法.高压溶样法测定碳化硅量
  • YB/T 174.1-2000 氮化硅结合碳化硅制品化学分析方法.高压溶样法测定氮化硅量
  • YB/T 5114-1993 小型加热炉用滑轨砖和座砖中碳化硅的化学分析方法

韩国标准，关于钛碳化硅的标准

法国标准化协会，关于钛碳化硅的标准

  • NF B41-106-2011 陶瓷原料和基本材料的测试.电热蒸发(ETV)电感耦合等离子体发射光谱法(ICP OES)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数.
  • NF B41-105-2011 陶瓷原料和基本材料的试验.直流电弧激发的光谱仪(OES)对碳化硅粉末和颗粒内杂质质量分数的直接测定
  • NF B49-423-2-2008 含有碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第2部分:点火、总碳、单体碳和碳化硅、总二氧化硅和游离二氧化硅及总硅和游离硅损失的测定
  • NF B49-423-1-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第1部分:通用信息和样品制备
  • NF B49-423-3-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮、氧和金属及氧化成分的测定
  • NF B49-422-1-2008 氮化物粘结的碳化硅耐火材料的化学分析.第1部分:化学法
  • NF B49-422-2-2008 氮化物结合碳化硅耐火材料的化学分析.第2部分:X射线衍射(XRD)法.
  • NF B49-421-1990 耐火材料制品.铝矾土、硅质材料、碳化硅、碳和金属硅耐火材料制品的化学分析

日本工业标准调查会，关于钛碳化硅的标准

国家军用标准-国防科工委，关于钛碳化硅的标准

行业标准-商品检验，关于钛碳化硅的标准

台湾地方标准，关于钛碳化硅的标准

行业标准-轻工，关于钛碳化硅的标准

(美国)海军，关于钛碳化硅的标准

美国国家标准学会，关于钛碳化硅的标准

机械电子工业部，关于钛碳化硅的标准

美国电气电子工程师学会，关于钛碳化硅的标准

印度尼西亚标准，关于钛碳化硅的标准

行业标准-电力，关于钛碳化硅的标准

  • DL/T 2310-2021 电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件

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可能用到的仪器设备

 

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Thermo Scientific™ Savant™ SC210 P1 SpeedVac™ 整体系统

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赛默飞实验室产品和服务

 

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